Номер патента: 283367

Авторы: Гальперин, Солдатова, Техаа

ZIP архив

Текст

Союа Соввтскик Социалистических Республик3;ш.снмое от авт, свидетельствал. 21 с, 55/01 Заявлено 24.И.1969 ( 1340475/26с присоединением заявки1 ПК Н 01 с 1700ДК 621.396.692(088.8) рпоритет Комитет по деламобретений и открытийри Совете МинистровСССР 70, Бюллетень3 Опубликовано 06.Х. Дата опубликовани, Е льперин, Л. П, Солдатов аявител тт-МЕАМЕвА ЕЗИСТИНАЯ КОМПОЗИЦИ степенью деструктирования значительно понижают сопротивление (от 15 до 5 с,ц на квадрат) композиции и улучшают ее стабильностьзащитным покрытиям без ухудшения других рактеристик.Поверхностные окислы, образующиеся саже в процессе вибропомола, препятств ее структурированию и сохраняются в д руктированном виде длительное время.Использование деструктпрованной сажи цел есоо бр азно и для вы сокоом ных 1 ком позиций, так как при этом повышается содержание сажи при данной проводимости, что способствует однородности композиций и улучшению ее электрических характеристик. на уют естмет изобретения П Резистивющей смо.в ней частвиде сажирасширении улучшенкопроводящруктировандисперснаяоб. %. Изобретение относится к непроволочным резисторам на основе лакосажевых композиций.Минимальное сопротивление известных пленочных лакосажевых композиций, используемых в современных непроволочных резисторах, составляет 50 - 100 ол на квадрат поверхности,Для получения более низкоомных композиций увеличивают объем сажи, но при этом ухудшается механическая прочность, пленок, их адгезия к подложке, стабильность к нагреву и действию защитных покрытий,Критический объем мелкодисперных саж, используемых в производстве резисторов, не превышает 15 - 20% вследствие высокой степени их структурирования. Применение же неструктурирующихся саж (или графита) ухудшает электрические характеристики резисторов из-за более грубой дисперсности этих саж.С целью получения низкоомных композиций при устранении указанных недостатков, предлагается использовать в качестве токопроводящего компонента деструктированную частично окисленную высокодисперсную сажу, составляющую от 6 до 40 об, 7 о. Такая сажа может быть получена, например, вибропомолом обычной высокодисперсной сажи в течение 2 - 3 час. Выбором сажи с определенной ная композиция на основе связучы с равномерно раопределенными нцами токопроводящего вещества вотличающаяся тем, что, с целью я пределов величин сопротивления я их характеристик, в качестве тоего компонента применена дестная частично окисленная высокосажа в количестве от 6 до 40

Смотреть

Заявка

1340475

Б. С. Гальперин, Л. П. Солдатова, И. Е, тЕхаа калй

МПК / Метки

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-283367-rezistivnaya-kompoziciya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивная композиция</a>

Похожие патенты