Резистор объемного типа

Номер патента: 344280

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гримпель, Зак

МПК: G01F 13/00

Метки: веса, мелкофракционных, объемного, сыпучих

...5, датчик б объемной производительности, реостат 7 объема, непрерывный весоизмерптель 8 с датчиком веса 9, реостат веса 10, источник питания 11 датчика веса, усилитель 12, двигатель обратной связи 13 и шкала прибора 14,Вспученный материал из печи обжига поступает в приемный бункер проточной емкости, Поскольку емкость ограничена по объему и от ее наполнения зависит производительность разгружателя 5, то уровень материала в емкости поддерживается постоян ым с помощью датчика уровня 2 и пропорцпо344280 Составитель В. АлекперовЕжкова Текред Т. Ускова Корректор Т, Гревцов Рсдакт Тираж 406 Подписпоытий при Совете Министров ССС аб., д, 4/5 аказ 2191/6 Изд.937 НИИПИ Комитета по делам изобретений и от Москва, Ж.35, РаушскаТипографии, пр....

Номер патента: 303660

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Королева, Перевезенцев, Просвирнина, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: объемного, резистор, типа

...реуглерода.объемного 30 Технология изгот снове сложного кар е отличается от тех исторов на основе Например, постоянньрезис занно изгото аций торы овления бида ук нологии модифи е резт Изобретение относится к компонентам ра. диоаппаратуры и может быть использовано в качестве резисторов общего назначения.Известные непроволочные резисторы объемного типа, выполненные на основе модификации углерода, имеют недостаточную термо- и влагостойкость, Кроме того, эти резисторы не могут быть низкоомными.Цель изобретения - создание резисторов объемного типа, обладающих низким температурным коэффициентом сопротивления, высокой термо- и влагостойкостью, а также расширяющих номинальные значения сопротивлений в низкоомную область.Это достигается тем, что...

Номер патента: 317113

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Павлов, Павлушкин, Рудовол

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, непроволочных, объемного, резисторов, типа

...наполнителя использован хромово-титановый боридв области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло,Кроме того, упомянутые компоненты взяты в 20весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50 - 80, алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло 20 - 50.Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен 2методом горячего прессования при +900 С вслабо восстановительной среде. В качестверезистивн ого материала в нем примененсложный тугоплавкий борид: Т 1 о,аСго 2 В, а вкачестве связующей фазы - стекло состава, З 0 вес. %: 8102(4 - 20); В 20 з (8 - 20); ВаО (60 - 78); А 120 з (до 12).Содержание резистивного материала в композиции составляет 50 - 80 вес, %, остальное -...

Номер патента: 347812

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Перевезенцев, Рудовол

МПК: H01C 7/06

Метки: объемного, резистор, типа

...низкую мощность расс яния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент.Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем,;то в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов у и у 1 гру;ш периодической системы, В качестве металла Х 1 группы взят вольфрам, в качестве металла у группы - ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес, %):Ниобий (вацадий) 10 - 95 Вольфрам 0,5 - 70Углерод общ. 4 - 20Углерод сноб. 0,1 - 2(например, алюмо-сил состава стекла) входит имущественно твердые Такая тугоплавкая 5 при пропускании тока температуры и при это рактеристик в течение эксплуатации. Для получения задан О водится следующий пр тивцого карбида (вес....

Номер патента: 302757

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Изобрете, Королева, Перевезенцев, Просвирника, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: объемного, резистор, типа

...от авт, свидетельствааявлено 30.1.1970 ( 1396815/26-9 МПЕ, Н 01 с 7/О присоединением заявкириоритетпубликовано 28.17.1971. Бюллетень15ата опубликования оппсанпя 26.И 1.1971 Кокитет оо лелагл зобретений и открытий при Совете Министров СССРявитель О ТИ ЕЗИСТОР ОБЪ Предмет изобретен Известны резисторы объемного типа с ткопроводящей фазой на основе сложного ка Резистор офазой на оснигийся тем, чткости и влакомпоненты тследующих(вес.% ):0 Т - 84Собщ бъемного ти ове сложно о, с целью гостой кости окопроводя количестве ида,повышение термостойрезистора.омпоненты токопровоследующих количестес,%): 5 кости и Для дящей венных Т Собщизобретения - влагостойкости того исходные фазы введены соотношениях - 84,5 - 85,5 - 15,5 - 14,5. па с...