Резистор объемного типа
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 303660
Авторы: Власов, Гребенкина, Королева, Перевезенцев, Просвирнина, Самсонов, Юсов
Текст
О П И СА Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 303660 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ свидетельства9 (Лте 1372064/26-9) заявкиависимое о 01 с 7/О явлено ЗО.Х,19 с п исоединение торитетубликовано Комитет по делам аобретеиий и открытий при Совете Мииистров СССРХ.1971. Бюллетень Мния описания 14 Х 11.197 УДК 621.316.86:68 621(088 та опубликов Авторыизобретения Г, В. Самсонов, В, Г. Греоенкина, Ю, П. Юсов, А. В. Перевезенцев,Л, Г. Власов, Н. Е, Просвирнина и П. И, Королева аявител РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИП 2 свинцовобов %) РЬО исход карбид нентов Та 27 - 28 4,9 - 5,9 0,3 - 0,1 Собщ Соооб Пред ме тзо 6 рете 100% от общ" и вольфрам - остальвеса компонентов. Резисторных карбидлью повышерасширениинпп в низконого материследующим(в вес. % ) на основе слож.тем, что, с цеагостойкости при ний сопротивлекачестве исход- композиция сокомпонентов ого типа ипаюитийся рмо- и вл зона значе область, в пользована ношением ооъеи ов, огл нпя те диапа омпую ала иссоот 25 оров на о состава ления реуглерода.объемного 30 Технология изгот снове сложного кар е отличается от тех исторов на основе Например, постоянньрезис занно изгото аций торы овления бида ук нологии модифи е резт Изобретение относится к компонентам ра. диоаппаратуры и может быть использовано в качестве резисторов общего назначения.Известные непроволочные резисторы объемного типа, выполненные на основе модификации углерода, имеют недостаточную термо- и влагостойкость, Кроме того, эти резисторы не могут быть низкоомными.Цель изобретения - создание резисторов объемного типа, обладающих низким температурным коэффициентом сопротивления, высокой термо- и влагостойкостью, а также расширяющих номинальные значения сопротивлений в низкоомную область.Это достигается тем, что в качестве ного материала используется сложный со следующим соотношением ком по(в вес. % ): типа в габаритах изделий ТВ 0-0,25 изготовляют с применением следующих материалов:1) исходный резистивный: сложный карбид (в вес. % ) - Та 27 - 28, Собщ 4 9 5,9, С,б 0,3 - 0,7, цт остальное;2) наполнитель; К - электрокорундовый микропорошок;3) стеклосвязка: флюс М 6 -росиликатное лекло состава (68,5; 5102 11,5; ВаОв 20;4) подбивка серебряная;5) выводы платпнптовые.Исходный резистивный материал, наполни- тель и стеклосвязка смешиваются (причем композиция ихимеет состав (в об. %): исходный резистивный 37, наполнитель 26, флюс 37), размалываются в шаровой мельнице и прессуются в среде продуктов сгорания пропана при 900 С.Заказ 1750/8 Изд.728 Тираж 473 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, % 35, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ТаСобщСсвоб 27 - 28 4,9 - 5,9 0,3 - 0,7 и вольфрам - остальное до 100% от общеговеса компонентов.
СмотретьЗаявка
1372064
Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Ю. П. Юсов, А. В. Перевезенцев, Л. Г. Власов, Н. Е. Просвирнина, П. И. Королева
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: объемного, резистор, типа
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-303660-rezistor-obemnogo-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистор объемного типа</a>
Резистор объемного типа
Номер патента: 302756
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Власов, Гребенкина, Королева, Перевезенцев, Просвирнина, Самсонов, Юсов
МПК: H01C 7/00
Метки: объемного, резистор, типа
...1 ийся тем, что, с целстоикости и влагостойкширении диапазона со5 ную область, исходныедящей фазы введенывенных соотношениях (тЬ - 90 8 - 91 8Собщ. - 9,2 - 8,2. тпа с ью повь ости рез протпвле компоне в следую вес.% ): с Р 1 Известен резистор объемного типа с токо проводящей фазой на основе сложного карбиль изобретения - повышение термостойи и влагостойкости резистора при расшии диапазона сопротивлений в низкоому область,Для этого в предлагаемом резиные компоненты токопроводящейны в следующих количественныхях (вес.%):МЬ - 90,8 - 91,8Соощ - 9,2 - 8,2.В предлагаемом низкоомном резисторе вкачестве резистивного материала используется карбид в области гомогенности ХЬСо;, который отличается низким ТКС, высокой терм о- и вла го стойкостью,...
Материал для непроволочных резисторов объемного типа
Номер патента: 317113
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Павлов, Павлушкин, Рудовол
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, непроволочных, объемного, резисторов, типа
...наполнителя использован хромово-титановый боридв области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло,Кроме того, упомянутые компоненты взяты в 20весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50 - 80, алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло 20 - 50.Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен 2методом горячего прессования при +900 С вслабо восстановительной среде. В качестверезистивн ого материала в нем примененсложный тугоплавкий борид: Т 1 о,аСго 2 В, а вкачестве связующей фазы - стекло состава, З 0 вес. %: 8102(4 - 20); В 20 з (8 - 20); ВаО (60 - 78); А 120 з (до 12).Содержание резистивного материала в композиции составляет 50 - 80 вес, %, остальное -...
Резистор объемного типа
Номер патента: 347807
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Павлов, Рудовол
МПК: H01C 7/06
Метки: объемного, резистор, типа
...и отличается от известных тем, что в 10качестве токопроводя щей фазы использовансложный карбид металлов Ю и Ч групп периодической системы.Компоненты токопроводящей фазы взяты вследующих количественных соотношениях 15(вес. %):Металл 1 Ч группы 1 - 94Металл Ч группы 1 - 94Углерод общ. 4 - 25Углерод своб. 001 - 25 20Для расширения температурного интервалаработы резистора до 200 - 250 С, увеличениямощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочносги истабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений всостав предлагаемого низкоомного объемногорезистора наряду со связующим материалом(например, алюмо-силикатно-борно-бариевогосостава стекло) входит сложный карбид типа ЗО пример 2Т 1...
Резистор объемного типа
Номер патента: 302757
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Власов, Гребенкина, Изобрете, Королева, Перевезенцев, Просвирника, Самсонов, Юсов
МПК: H01C 7/00
Метки: объемного, резистор, типа
...от авт, свидетельствааявлено 30.1.1970 ( 1396815/26-9 МПЕ, Н 01 с 7/О присоединением заявкириоритетпубликовано 28.17.1971. Бюллетень15ата опубликования оппсанпя 26.И 1.1971 Кокитет оо лелагл зобретений и открытий при Совете Министров СССРявитель О ТИ ЕЗИСТОР ОБЪ Предмет изобретен Известны резисторы объемного типа с ткопроводящей фазой на основе сложного ка Резистор офазой на оснигийся тем, чткости и влакомпоненты тследующих(вес.% ):0 Т - 84Собщ бъемного ти ове сложно о, с целью гостой кости окопроводя количестве ида,повышение термостойрезистора.омпоненты токопровоследующих количестес,%): 5 кости и Для дящей венных Т Собщизобретения - влагостойкости того исходные фазы введены соотношениях - 84,5 - 85,5 - 15,5 - 14,5. па с...
Резистор объемного типа
Номер патента: 347812
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Павлов, Перевезенцев, Рудовол
МПК: H01C 7/06
Метки: объемного, резистор, типа
...низкую мощность расс яния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент.Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем,;то в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов у и у 1 гру;ш периодической системы, В качестве металла Х 1 группы взят вольфрам, в качестве металла у группы - ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес, %):Ниобий (вацадий) 10 - 95 Вольфрам 0,5 - 70Углерод общ. 4 - 20Углерод сноб. 0,1 - 2(например, алюмо-сил состава стекла) входит имущественно твердые Такая тугоплавкая 5 при пропускании тока температуры и при это рактеристик в течение эксплуатации. Для получения задан О водится следующий пр тивцого карбида (вес....
Предыдущий патент: Токосъемное устройство
Следующий патент: Способ изготовления mho гоотверстных ферритовыхплат
Случайный патент: Способ градуировки электрических датчикрв t потенциала массопереноса-1-: шг-л"н. я•ia-c-ka