G11C 19/28 — с использованием полупроводниковых приборов

Номер патента: 376810

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Велик, Морщенок

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, статический, тиристорах

...Диод 16 Предлагаемая схема может бьвана в различных устройствахвычислительной техники,Известны регистры на тиристорах с общим сбросом, каждый разряд которых состоит из основного тиристора и вспомогательного, предназначенного для сброса. Известны также схемы, сброс которых осуществляется прерывателем напряжения.Однако регистры со вспомогательными тиристорами требуют удвоенного числа тиристоров, что значительно удорожает устройство и увеличивает его габариты,В регистрах с прерывателем т ряжения последние выполнены на транзист, пропускающем большой ток, из-за ч на нем рассеивается большая мощность. Это требует специальной схемы управления и установки его на радиатор.Цель изобретения заключается в устранении этих недостатков и упрощения...

Номер патента: 376811

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вьюков, Патрашин, Филков

МПК: G11C 19/28

Метки: зарядовой, регистр, связью, сдвига

...ям под электродами.Устройство представляет собой пластину полупроводника 1, покрытую слоем диэлектрика 2, на который нанесена однослойная система электродов 8 - 8, подключенных к шинам источника трехтактового питания 9 - П.На систему электродов нанесен резпстивный слой 12, соединяющий электроды между 5 собой. Пластина 1 снизу имеет заземленныйомический контакт. Резистивный слой может быть нанесен и на лиэлектрик, но тогда электроды нанесены на резистивный слой. Этот слой выполнен, например, из СдО илп спла ва МЛТ.Устройство работает следующим образом.Предположим, что в момент времени 1=10на шину 9 подан потенциал такой, что под электродами 8, б, подключенными к этой шине, 15 образуется глубокая потенциальная яма(фиг. 2,а), в которую...

Номер патента: 378962

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вьюков, Крутиков, Филков

МПК: G11C 19/28

Метки: интегральный, регистр, сдвига

...сопротивлением р 2на быть равной 150 - 200 иклт, Толщина общей базы должна превосходить диффузионну ю длину неосновных носителей, чтобы уменьшить коэффициент усиления нижнего составляющего и исключить электрическую связь между тиристорами, Между тиристорами расположены МДП-конденсаторы 6 таким образом, что их затворы перекрывают промежутки между тиристорами,Толщина слоя окисла 7 должна обеспечить образование каналов проводимости под затворами при напряжениях на них меньших, чем напряжение тиристоров в линии. Для ЬЮ, например, она должна составлятьо1500 - 2000 А. Затворы каждого конденсатора электрически соединены с эмиттером соседнего тиристора. Цифрой 8 на чертеже обозначена металлическая обкладка МДП-конденсатора. Тиристоры через...

Номер патента: 381099

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Ефимов, Клейнерман

МПК: G11C 19/28

Метки: 1а11йтуз-1и, cihtjlioteka, регистр, сдвигаbuc

...тремя ячейками 1 - 8. Соответственно генератор прямоугольных импульсов 4имеет в данном случае лишь три тактовыхвыхода со влвинутыми по фазе импульсныминапряжениями 1 ь 12, 1 з. Временные диаграммы этих напряжений приведены на фиг. 2. 30 Каждая -я ячейка регистра сдвига содержит диоды Ганна 5, и б, и конденсатор 7 соединенный с шиной нулевого потенциала 8 многотактного генератора 4, и резистор 9 т, соединенный с входным выводом 10 ячейУстройство работает следующим образом, При подаче на клеммы 8, 9, входного сигнала в течение времени перекрытия импульсов напряжения 1, и 1, ячейка 1 данного разряда регистра сдвига устанавливается в положение, соответствующее коду входного сигнала, и сохраняет его на протяжении всей длительности импульса...

Номер патента: 413529

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: G11C 19/28

Метки: 413529

...передается ца затворт)ранзИстора 2. 1-1 а время пауз импульсной аоследовательности (1 информация о значении логиеского сигнала иа ходе Л .; минается межэлектродными с:акост 51 ми 1 раизистора 2, который, следователь 5 о, постояшю открыт или закрыт в зависимости от значснИя логического сигнала А, До прихода от:крывающих сипналов па затворы транзисторов 3 и 4 триггер находится и спетоиР 151, определяемом информацией, занесенной в исго во время предыдущего,сдвига, Для выполнения сдвига необходима подача па входы схемы сигналов 1, и (з сигнал ( открывая транзистор 4, переводит триггер в нулевое состояние, Транзистор 4 овкрывается, потенциал точки К приближается к потенциалу заземлепРпого полюса источника питания; посту)пая на затворы...

Номер патента: 415730

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: G11C 19/28

Метки: 415730

...на эффекте переноса заряда вдоль цепи электродов переноса и на регене рации этого заряда по меньшей мере под одиим из этих электродов при помощи контактов 8, При подаче на входной затвор последовательности импульсов, соответствующих записываемому слову, происходит перенос заряда в приповерхностиом слое полупроводнике, под первый из электродов переноса. При этом под ним формируется последовательность зарядов пакетов с тактовой частотой, сдвигаемая вдоль цепи электродов переноса. Но при этом имеот место потери заряда за счет конечной скорости переноса его от одного электрода переноса к соседнему и захвата заряда на поверхностные состояния на границе раздела полупроводник в диэлектр, При прохождении одного из зарядовых...

Номер патента: 417844

Опубликовано: 28.02.1974

МПК: G11C 19/28

Метки: 417844

...управления, к базе транзистора 3 - источник 11 входного сигнала. Запоминающий конденсатор 1 заряжается от источника 12 тактового питания через транзистор 14 типа р - и - р, переход эмгггтер в коллект которого используется в качестве диода, ц переход база в эмитт транзистора 4 транзисторного ключа второго каскада. Разряд запоминающего конденсатора 1 осуществляется через полевой транзистор 16 с каналом р-типа.Во втором каскаде запоминаОщей емкосьо является конденсатор 2. Транзисторный ключ выполнен на транзисторе 4, резистор 6 - его коллекторный резистор. Через диод 9 подклочен источник 10 импульсного управления. Заряд запоминающего конденсатора 2 обеспечивается от источника 13 тактового питашя через церсход эмиттер - -коллектор...

Номер патента: 417845

Опубликовано: 28.02.1974

МПК: G11C 19/28

Метки: 417845

...другой, соответствующий ответному задержанному сигналу, больше порогового. В регистре это обеспечивается специальной схемой, состоящей из истокового повторителя, в нагрузке которого для понижения уровня выход ого напряжения стоит делительная цепочка (транзистор 4, цепочка транзисторов 5 - 7, нагрузочный транзистор 8), формирователя (инвертора) па транзисторах 9 и 10 с импульсными питанием от напряжения второй фазы для строгого фазировапия выход ого импульса.На затворе транзистора 4 во время действия второго такта присутствует либо папряжение 2 Ею в С, либо Ео и во время действия первого такта в любом случае - напряжение Ео - Уо. Это напряжение передается па делитель, состоящий из трапзисторов 4 - 8. Тра - зисторы 5 - 7 представляют...

Номер патента: 430444

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Голубчиков, Донецкий, Коломийцев, Кубраков, Лагунович, Проектно

МПК: G11C 19/28

Метки: реверсивный, регистр, сдвига

...состоянии каждого разряда оба транзистора открыты и через резисторы б и 7 протекает ток. В выключенном состоянии разряда оба транзистора заперты смещением, подаваемым на базы через резисторы 8 и 9. Резистор 11, конденсатор 13 и диод 15 служат для сдвига единицы влево но 10 схеме; резистор 10, конденсатор 12 и диод 14предназначены для сдвига единицы вправо, Диоды 16 - 19 и резистор 20 образуют цепи смещения и питания счетчика. Регистр работает следующим образом.15 При поступлении положительного импульса, например, на шину Сложение, он проходит через незаряженный конденсатор 12 включенного разряда в базу транзистора 2 последующего разряда н включает его. Осталь 2 О ные конденсаторы 12 в это время заряжены,соответствуютцие диоды 14...

Номер патента: 444247

Опубликовано: 25.09.1974

Автор: Свердлов

МПК: G11C 19/28

Метки: разрядный, регистр, сдвига

...15 несен слои диэлектрика 2/йО /,внутри которого находятся электроды 5, выполненные из молибденаили поликрйсталл,На поверхности диэлектрика рас 2 о положены металлические электроды 4обьединенные шинами в двухфазнуюсистему, В кристалле 1 вблизиэлектродов 3 проходит диКузионная шина 5/р-область/. На шину 525 подается отрицательное напряжение,Составитель ИМИЛКИСЗОВЗТехред А, ЗбарСНИЙ Редактор АМ аказ ф Изд.592 Тиражза Подписно ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4/5Предприятие сПатент, Москва, Г.59, Бережковская наб., 24 3вызывающее пробои -рп- перехода, в результате чего электронны 5 заряжаются. На них возникает от: рицательный потенциал, приводящий к...

Номер патента: 444249

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Белопольский, Иванов, Мамута, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 19/28

Метки: разрядный, регистр, сдвигающий

...7 и 8. Передача информации происходит с помощью управляющих тактовых импульсов р, и р которые подаются соответст венно по шинам 9 и 10. Изменение величин токов при переходе из режима хранения в режим передачи информации осуществляется путем использования тактовых импульсов питания ср, и ср 4, приложенных соответственно к 25 шинам 11 и 12.Сдвигающий регистр работает следующимобразом.Пусть к шине управляющих тактовых импульсов 9 приложен низкий уровень потенциа- ЗО ла (ячейка 1 работает в режиме хранения ин.формации) и двухэмиттерный транзистор 3 ячейки насыщен, а транзистор 4 закрыт. В момент времени 1, на шине 9 потенциал увеличивается, а на шине 10 уменьшается, Ток насыщенного транзистора 3 переключается во второй эмиттер этого...

Номер патента: 491216

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Свердлов, Седашева

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвиговый

...13, 14, Кшине 13 подключен также затвор транзистора 4,а к шине 14 - затвор трачзцстора 2. Сток транзистора 2 соединен с шиной источника напряжения 15.Работает устройство следующим образом.5 До подачи на затвор 11 устройства 1 импульса Фь передающего заряд на сток устройства 1, потенциал на стоке должен быть понижен настолько, чтобы он стал ниже потенциала поверхности под затвором 11. Для о этого открывают транзистор 2 подачей,на егозатвор импульса Ф и сток устройства 1 заряжается до потенциала - К Прц подаче импульса Ф, на затвор 11 заряд втекает в сток устройства 1, в результате чего его по твнциал уменьшается (по абсолютной величине) до потенциала поверхности под затвором 11. После этого фазовым импульсом Фв открывают транзистор 4, в...

Номер патента: 519762

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Золотаревский, Некрасов, Сидоренко, Ткачук

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающая, регистра, сдвига, ячейка

...через малое внутреннее сопротивление генератора первых тактовых импульсов. Прп этом уровень О на информационном входе 8 схемы не влияет на состояние триггера, Уровень 1 может открывать транзистор 6, однако, первый диод 13 ограничивает ток потребления от генератора вторых тактовых импульсов при открытом первом переключающем транзисторе 2, что исключает ложпь.е срабатывания схемы при записи информации,519762 Составитель Г, Веременкоедактор И. Грузова Текред А. Каиышникова Корректор Т. Добровольска Изд.1430Государственног по делам пзо3035, Москва, 71( Тираж 723 комитета Совета Минпст бретений и открытий 35, Раушская иаб., д. 4 аказ 1556/17ЦНИИП Подп испоСССР нпография, пр. Сапунова 1)СЛП Н 2 Г)Ерву)О ТЯКТОВ) Ю Шипу 10 ГдГ)Н...

Номер патента: 519763

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Зуб, Маленцов, Семенович

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающая, регистра, сдвига, ячейка

...питания дополнительное напряжение на затвор зарядного транзистора 1. При наличии на входе 9 логической единицы и на шине 10 импульса питания транзисторы 1 и 2 открываются и на выход 16 первого каскада ячейки передается логическая единица. После окончания действия импульса на шине 10 транзистор 2 закрывается и на емкости выхода 16 хранится логическая единица. При поступлени;л импульса на шину 13 питания, разрядный транзистор б открывается, емкость выхода 15 ячейки разряжается на шину 14 нулевого потенциала и на выходе 15 устанавливается логический нуль (напряжение меньше порогового напряжения МДП-транзистора). С приходом импульса на шину 11 питания конденсатор 8 передает на затвор транзистора 4 дополнительное напряжение,...

Номер патента: 533991

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Золотаревский, Некрасов, Сидоренко, Ткачук

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающая, регистра, сдвига, ячейка

...на шину 9 тактовых импульсов уровня 1, транзисторы 1 - 5 образуют триггер, так как открывается транзистор 5 управления и замыкает цепь обратной связи.Одновременно открывается транзистор 6 и передает информацию на затвор транзистора 8. Уровень О на входной шине 12 не влияе0 на состояние триггера.533991 Формула изобретения Составитель В. фроловТехред 3. Тараненко Редактор И, Грузова Корректор А, Галахова Заказ 2268/17 Изд.1694 Тираж 723 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К, Раушская наб., д, 45Типография, пр. Сапунова, 2 С подачей уровня 1 открывается транзистор 8, однако, ток через узел записи не протекает вследствие того, что на истоке транзистора 8 действует...

Номер патента: 534794

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Деркач, Копыл, Рева, Торчинский, Фролов

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...вторая группа электродов 7-9. Электроды 5, 6, 8 и 9, присоединенык первой управляющей шине 10,электроды 3, 4 и 7 - ко второй управлян 3щей шине 11. Устройство содержит такжевыходную 12 заряжающую 13 и входную1 4 области противоположного с подложкойтипа проводимости, заряжающий 15, входной 16 и дополнительный 17 электроды,Заряжающий электрод 15 и входная област14 присоединены к шине 10, дополнитель .ный электрод 17 и заряжавшая область 1к шине 11, Входной электрод 16 соединенс выходной областью 12, Устройство содержит также экранируюший электрод 18, рас-,положенный между электродом 16 и входной областью 14.На шину 10 подано импульсное напряже,ние, тактирующее работу устройства, нашину 11 - постоянное напряжение, равноепримерно половине...

Номер патента: 535604

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Гусаков, Зеленцов, Пашинцев, Сельков, Скориков

МПК: G11C 19/28

Метки: зарядовой, приборах, регистр, связью, сдвига

...полупроводника.5 10 15 2 д 25 30 35 принятые во вни 40 45 При подаче на эти слои обедняющих потенциалов основные носители из них удаляются через внешнюю цепь, и потенциал от поверхности раздела диэлектрик-полупроводник изменяется периодически вглубь полупроводника, образуя чередующуюся последовательность экстремумов (максимумов и минимумов), каждый из которых расположен в слое полупроводника соответствующей проводимости. Каждая экстремальная область, являющаяся одним из информативных каналов, отделена от соседней экстремальной области потенциальным барьером, Свободные основные носители заряда одного знака (электроны или дырки), инжектированные из внешнего источника в информативный канал соответствующей проводимости, храняться в...

Номер патента: 543013

Опубликовано: 15.01.1977

Авторы: Маркин, Прушинский

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...многоэмпттерного транзистора 2, к базе второго многоэмиттерного транзистора 3, к базе первого дополнительного транзистора 4, и первому входу 5, к первому дополнительному входу 6 и через первый резистор 7 - и катоду диода 8, анод которого соединен с шиной тактовых импульсов 9. База второго транзистора 1 О соеднепа с коллектором транзистора 3, с базой транзистора 2, с базой второго дополнительного транзистора 11, со вторым входом 12, со вторым дополнительным входом 13 и через второй резистор 14 - с катодом диода 8. Коллектор транзистора 1 объединен с первым выходом 15, а коллектор транзистора 10 - со вторым выходом 16. Коллектор транзистора 4 связан с первым дополнительным выходом 17, а коллектор транзистора 11 - со вторым...

Номер патента: 550678

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Зуб, Маленцов, Семенович, Сидоренко

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...этом открываются транзисторы 1 и 2 и происходит заряд узловой емкости 16, т. е. на выход первой ячейки передается логическая 1. По окончании тактового импульса на шине 13 транзистор 2 закрывается, и на узловой емкости 16 хранится логическая 1. Так как выход первой ячейки соединен со входом второй ячейки, то с появлением на шине 14 тактового импульса аналогично происходит передача логической 1 на выход второй ячейки, который является информационным выходом разряда. После этого необходимо стереть логическую 1, хранящуюся на выходе первой ячейки, т. е. разрядить узловую емкость 16 до потенциала общей шины питания. Для этого используются вспомогательный транзистор 3 и конденсатор 5. Во время нарастания тактового импульса на шине 14 через...

Номер патента: 565328

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Иванов, Крюков, Маркин, Прушинский, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...второго переключающего р-и-р транзистора соединен с коллектором второго токозадающего р-и-р транзистора, эмиттеры переключающих р-и-р транзисторов подключены ко входам ячейки памяти,30 коллекторы и-р-и транзисторов соединены сдополнительной шиной тактовых импульсов,ММВ Составитель А. Воронинюрина Техред 3. Тараненио Корректор А, Степанова Редактор Заказ 1654/19ЦНИИП Изд.609 осударственного к по делам изоб 035, Москва, Ж 3Тираж 738омитета Совета Минисетений и открытий5, Раушская наб д. 4/ ПодписноеСССР 5 ипография, пр. Сапунова,Йа чертеже представлена принципиальная схема описываемой ячейки.Первый эмиттер первого двухэмиттерного п-р-п транзистора 1 соединен с базой второго двухэмиттерного п-р-п транзистора 2, с коллектором...

Номер патента: 570108

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Зуб, Семенович

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...памяти для ре 1 идержит нагрузочный МДП тчевой МДП-транзистор 2,МДП-транзистор 3, шину птактового питания 5, узлов7 и 8. Кроме того ячейкаи выход 10.Предлагаемая ячейка рщим образом. При подачежения логической " коммтранзистор 3 открывается,570108 Заказ 3064/4529 Подписное ЦНИИП Тираж 3затвором ындуцируется канал. Во время нарастания на шине 5 тактового питания напряжения тактового импульса с помощью емкости затвор-канал коммутирующего МДП-транзистора 3 на узловую емкость 65 передается дополнительное напряжение, в результате чего напряжение на затворе коммутируюшегося МДП-транзистора 3 превышает напряжение тактового импульса. Поэтому во время действия тактового нмпуль- щ са на шине 5 узловая емкость 7 заряжается до напряжения...

Номер патента: 587507

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Золотаревский, Некрасов

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...14.С приходом первого управляющего сигнала на шины 9 и 10 согласующие каскады 3 и 6 закрываются. При этом 15 разрывается одна перекрестная связь квазистатического триггера и отключается вход третьего инвертора 5 от выхода первого инвертора 1, что обеспечивает на выходной шине 8 поддержание З 1 уровня напряжения, соответствующего состоянию ячейки до поступления тактовых сигналов, благодаря заряду, сохраняющемуся на входной паразитной емкости третьего инвертора 5; открывается второй согласующий каскад 4, че" рез который: сигнал, присутствующий на входной шине 7, поступает на вход инвертора 1. По окончании Первого управляющего сигнала закрывается второй согласующий каскад 4 и открываются, согласующие каскады 3 и 6, что обеспечивает...

Номер патента: 601756

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Кирпичников, Музюкин, Цибулин

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...1 находится в состоянии 1, а триггер 2 - в состоянии О, т. е.транзисторы 3 и б закрыты, а транзисторы 4и 5 - открыты.При подаче импульса сдвига вправо транзистор 3 открывается. Отрицательный потенциал, до которого был заряжен конденсатор18, согласно первому закону коммутации подается,на базу транзистора 5 через резистор 7.Резисторы 7 и 10 (7 и 1 б) образуют делитель, напряжения, который обеспечивает открытое состояние транзистора 5 во времядействия импульса сдвига.При снятии импульса сдвига положительный потенциал передается через резистор 725 на базу транзистора 5 и триггер 2 переходитв состояние 1,После подачи второго импульса сдвигавправо единица, хранящаяся в триггере 2, через резистор 8 аналогично передается в следующий разряд...

Номер патента: 616655

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Потемкина, Рейфман

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...тактовых импульсов нсе тиристорызакрыты. С нагрузочного резистора18 снимается сигнал счета, которыйусловно принимается за нулевое состояние. С приходом первого нечетноготактового импульса на вход шины 7о ьоткрывается диод 9 цепи управленияти истора 1 и включается тиристор.На нагрузочном резисторе 19, нключенном н цепь анода тиристора 1, появляется сигнал счета.С приходом четного тактового импульса на аход шины 10 открываетсядиод 12 цепи управления тиристора 2,На нагрузочном резисторе 20, включенном в цепь анода тиристора 2, появляется сигнал счета. Каждый следующий входной тактоный импульс зажи"гает последовательно все тиристоры,при этом нсе предыдущие тиристоры невключаются, При открывании последнеготиристора, служащего для...

Номер патента: 618796

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Востриков, Гуля, Дышлов, Яковенко

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, ячейка

...источником питания и выходнойшиной разряда регистра 2 .Недостатком этого устройства является наличие непосредственной связи между ключами, т,е, жесткие требования к соотношению длительностейуправляющего и информационного сигналов, отсутствие возмоаности коррекциивыходной информации без разрушения информации в памяти,Целью изобретения является расшиние области применения ячейки зает увеличения диапазона управляющих сигналов,нии ячейки памяти на по- орах (фиг.2) первый элесодержит три полевых второй элемент ИЛИ-НЕ ых транзистора. К ячейт быть подключен вспомоч 1 б, обеспечивающий е режим работы.618796изменена только при новом поступлении управляющего сигнала по входу 14 (разрывом цели обратной связи).Если ключ 4 закрыт (нуль на...

Номер патента: 677012

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Акопян, Маркарян

МПК: G11C 11/39, G11C 19/28

Метки: памяти, ячейка

...ий резистор, катод втоен к катоду первого дииода соединен с катодом ретий резистор с шиной а. На чертеже предс схема ячейки памяти регистра, содержащ ячеек памяти. Ячейка памяти, н ряде регистра содер резисторы 2, - 2, 3 5, - 5, 6, - 6, конд 8 управления, шину левого потенциала.авлена электрическая и электрическая схема его гг предложенных пример, в перв життиристор- Зп и 4, - 4 п, енсаторы 7, - 7 9 питания, шин ом раз 11 1 п диоды шину у 10 ну Работает ячейка памятиющим образом.На шину 8 управленияуправляющий импульс (полярности), который, прохозажигает тиристор 1,. Полтенциал с резистора 4, чер егистра следупервый ной по- диод 5 ный по, подаподаетсяложительдя через жител з дио677012 Ячейка памяти, содержащая тиристор,ансд...

Номер патента: 705523

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Коноплев, Пономарев

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, ячейка

...для рассматриваемого примера), будет происходить сравнение токов в соответствующих триггерах и переключение их в такие состояния, при кото рых транзисторы 2, 4 и 6 - включены, а транзисторы 1, 3 и 5 - выключены. Итак при входном сигнале, соответствующем значению ноль, транзисторы 2, 4 и 6 - выключены, при сигнале, соответствующем значению один, транзистор 2 включен, а 4 и 6 4 выключены, при сигнале соответствующем значению два, транзисторы 2 и 4 включены, а 6 выключен, при сигнале, соответствующем значению три, транзисторы 2, 4 и 6 включены.зоПосле переключения триггеров в состояния, соответствующие входному логическому сигналу, процесс установки заканчивает- ся и можно переходить к режиму хранения,В режиме хранения при подаче йМйульса...

Номер патента: 706880

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Зуб, Семенович

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент

...дей- ьр ствия высокого потенциала тактового сигнала на шине 4 открываются транзисторы 1 и 2 и происходит заряд узловых емкостей в точках 6 и 7. По достижении в точке 8 нап ряжения логической 1 открывается транзистор 3 и начинается разряд узловой емкости входа на шину 5, которая в это время находится под потенциалом шины нулевого потенциала. Транзистор 1 закрывается, а на узловой емкости в точке 8 сохраняется напряжение логической 1. По окончании действия высокого потенциала тактового сигнала на шине 4 закрывается транзистор 2, а на выходе элемента памяти (первого) запоминается логическая 1. да первого элемента передается дополнительное напряжение, достаточное для отпирания транзистора 1. При этом происходит разряд емкости точки 8 на...

Номер патента: 739655

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Еремин, Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: G11C 19/28

Метки: динамический, регистр, сдвига

...первому варианту. При зараженном конденсаторе 5 (фиг, 4 б) после подачи тактового сигнала ф 1 (фиг. 4 а) напряжение на затворе второго МДП-транзистора 4 скачкообразно увеличивается(так как конденсатор 5 заряжен), (фиг.4 г), и йа выходе эпемента начинаетсярост напряжения (фиг, 4 в). В промежутке времени 1 напряжение на выходе каскада нарастает до уровня Оп,пор,где Оп - пороговое напряжение траиор,эисторов. Транзистор 3 в этот период закрыт, а транзистор 4 - открыт. При достижении уровня напряжения Опор транзистор 3 открывается и начинается разрядконденсатора 5, выходное напряжение эпемента продопжает нарастать. Когда в момент времени 1напряжение на обкладках конденсатора 5 уменьшится до уровняОпор, второй МДП-транзистор 4 закрываетсяи...

Номер патента: 741323

Опубликовано: 15.06.1980

Автор: Слуцкий

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...элементы 4.2, 12.1, а такжеисточник питания, резистор 1,2 ирезистор 8.1. Если общее сопротивление резистора 8.1 и резистора 7.1меньше сопротивления резистора 1.2,то в этот момент на аноде тиристора2,2 может создаваться отрицательноенапряжение. Прохождение тока поддействием этого напряжения черезпереход управляющий электрод - катодтиристора 2.3 не имеет значения,поскольку соответствует требуемому виду его состояния (открытому послеоткрытого состояния тиристора 2.2),что в рассматриваемом примере сводится к неизменности такого состояния.Разряд конденсатора 5,3 происходит по цепи; диод 11.3, резистор 7,3,ключ 15, резистор 4.4, переход управляющий электрод - катод тиристора24 и циод 9.3. В результате происходит отпирание тиристора 2,4....