Номер патента: 491216

Авторы: Свердлов, Седашева

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ491216 Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет -51) М. Кл. Н 0 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий 53 УЛК 681,374,3п бликов 5.11,75. Бюллетень Ло та опубликования описания 11.03.7 2) Авторы изобретения(7) Заявптел 4) СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.Известен сдвиговый регистр, содержащий управляющий и выходной МДП транзисторы и устройство с зарядовой связью и несколькими затворами, подключенными к шинам тактовых импульсов.В предлагаемый сдвиговый регистр с целью повышения его надежности введен дополнительный МДП транзистор, исток которого соединен со стоком устройства с зарядовой связью, с истоком управляющего МДГ 1 транзистора и затвором выходного МДП транзистора, сток - с общей шиной, а затвор - с одной из шинн тактовых импульсов.На чертеже представлена схема предлагаемого сдвигового регистра,Предлагаемый сдвиговый регистр содержит устройство с зарядовой связью 1 и МДП транзисторы 2, 3 и 4. Исток дополнительного транзистора 4 соединен со стоком устройства с зарядовой связью 1, а также с истоком управляющего транзистора 2 и затвором выходного транзистора 3.Сток транзистора 4 соединен с общей шиной б устройства. Затворы б - 11 устройства 1 управляются трехфазной системой импульсов Фь Ф Ф поступающих соответственно на шины тактовых импульсов 12, 13, 14, Кшине 13 подключен также затвор транзистора 4,а к шине 14 - затвор трачзцстора 2. Сток транзистора 2 соединен с шиной источника напряжения 15.Работает устройство следующим образом.5 До подачи на затвор 11 устройства 1 импульса Фь передающего заряд на сток устройства 1, потенциал на стоке должен быть понижен настолько, чтобы он стал ниже потенциала поверхности под затвором 11. Для о этого открывают транзистор 2 подачей,на егозатвор импульса Ф и сток устройства 1 заряжается до потенциала - К Прц подаче импульса Ф, на затвор 11 заряд втекает в сток устройства 1, в результате чего его по твнциал уменьшается (по абсолютной величине) до потенциала поверхности под затвором 11. После этого фазовым импульсом Фв открывают транзистор 4, в результате чего на сток устройства 1 поступает добавочный за ряд, снова уменьшающий его потенциал.Параметры транзистора 4 (коэффцццецтусиления Д, пороговое напряжение) с учетом параметров импульса напряжения Ф выбирают таким образом, чтобы за,время действия импульса Ф, на сток устройства 1 поступил определенный заряд, умечьшающцй его потенциал до нуля.Предлагаемая схема позволяет упроститьвыходную часть регистра сдвига. Отсутствие постоянного уровня напряжения на затвореаказ 146 г 205ЦН 1 ЛИП 07ого комитета зобретений 5, Раушская Тираж 902 Подпнсн Совета Министров СССР открытий наб., д. 4/5Изд, М осударствен по делам Москва, гКип. Харьк. фнл. пред. сПатент транзистора 3 делает ненуиным компенсацию этого уровня, дает возможность соединить исток транзистора 3, например, непосредственно с общей шйной устройства, Таким образом, выход предлагаемого сдвигового регистра может быть соединен непосредственно с логической схемой. Сдвиговый регистр, содержащий управляющий и выходной МДП транзисторы и устройство с зарядовой связью и несколькими затворами, подключенными к шинам тактовых импульсов, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности, он содер жит,дополнительный МДП транзистор, истоккоторого соединен,со стоком устройства с зарядовой связью, с истоком управляющего МДП транзистора и затвором, выходного МДП транзистора, сток - с общей шиной, а 10 затвор - с одной,из шин тактовых импуль:сов.

Смотреть

Заявка

1953636, 07.08.1973

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4783

СВЕРДЛОВ АЛЬФРЕД САМУИЛОВИЧ, СЕДАШЕВА ТАМАРА НИКОЛАЕВНА

МПК / Метки

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвиговый

Опубликовано: 05.11.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-491216-sdvigovyjj-registr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сдвиговый регистр</a>

Похожие патенты