Статический регистр на тиристорах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических Республиксвидетельствамое о Заявлено 26,Ч 11,1971 ( 168453818с присоединением заявкиПриоритет М, Кл. митет ло делам зобретеннй н открытмйлрн Совете МинистровСССР К 621.377.622,12 (088,8) бликовано 05.1 Ч.1973, Бюллетень17 Дата опубликования описания 23 Х 11,19 Авторыизобретен и орщенок и И ик Заявитель ТАТИЧЕСКИЙ РЕГИСТР Н ИСТОРАХ 2сатор сброса 14; стабилитрон 15 и диод 1 б, включенные в цепь заряда конденсатора.Схема работает следующим образом.В исходном состоянии все тиристоры за перты и конденсатор сброса 14 заряжен донапряжения, определяемого разностью потенциалов между анодами тиристора 5 диода 16.С приходом на входы положительных сигналов включаются соответствующие тири стор ы.После подачи импульса сброса тиристор 5включается, и потенциал на его аноде падает.При этом через разделительные диоды к анодам основных тиристоров прикладывается 5 отрицательное напряжение, благодаря чемупроисходит быстрое выключение открытых тиристоров.Величина резистора 17 выбрана такой, чтобы ток через него был недостаточным для 0 поддержания тиристора в открытом состоянии. Таким образом, когда прекращается разряд конденсатора 14, тиристор 5 выключается и схема возвращается в исходное состояние. ать использоавтоматики и ап оре его Стабилитрон 15 ра предназначен включенных ячеек пряжения, до кот тор 14, Диод 16 Предлагаемая схема может бьвана в различных устройствахвычислительной техники,Известны регистры на тиристорах с общим сбросом, каждый разряд которых состоит из основного тиристора и вспомогательного, предназначенного для сброса. Известны также схемы, сброс которых осуществляется прерывателем напряжения.Однако регистры со вспомогательными тиристорами требуют удвоенного числа тиристоров, что значительно удорожает устройство и увеличивает его габариты,В регистрах с прерывателем т ряжения последние выполнены на транзист, пропускающем большой ток, из-за ч на нем рассеивается большая мощность. Это требует специальной схемы управления и установки его на радиатор.Цель изобретения заключается в устранении этих недостатков и упрощения схемы регистра. Это достигается выполнением схемы общего сброса на тиристоре того же типа, что и в ячейках памяти, и конденсаторе.Электрическая схема предлагаемого статического регистра на тиристорах с общим сбросом приведена на чертеже.Регистр содержит тиристоры ячеек памяти 1 - 4, тиристор сброса 5; резисторы нагрузки б - 9; разделительные диоды 10 - 13; конденв цепи заряда конденсато для устранения влияния регистра на величин на рого заряжается конденса предотвращает разряд конПредмет изобретения тавитель Р. ЯворовскаТехред Т. Курилко едактор Л. Утехин екторы: Е, Давыдкина и А. Николаева аказ 1980(3 Изд.497 Тираж 576 Подписи ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5ппография, пр. Сапунова денсатора через стабилитроп при включениитиристора сброса 5. Статический регистр на тиристорах, содержащий ячейки памяти, каждая из которых содержит тиристор, разделительный диод, и схему общего сброса, отличаощийся тем,что, с целью упрощения регистра, в нем схема общего сброса выполнена на одном тиристоре, конденсаторе, включенном между анодом тиристора и катодами разделительных 5 диодов, и встречно включенных диоде и стабилитроне; при этом анод диода подключен к точке соединения конденсатора и разделительных диодов, а анод стабилитрона соединен с катодом тиристора.
СмотретьЗаявка
1684508
Л. С. Морщенок, И. Велик
МПК / Метки
МПК: G11C 19/28
Метки: регистр, статический, тиристорах
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-376810-staticheskijj-registr-na-tiristorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Статический регистр на тиристорах</a>
Трехтактный регистр сдвига на тиристорах
Номер патента: 347918
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бел, Власов, Корчагин, Некрасов
МПК: H03K 17/16
Метки: регистр, сдвига, тиристорах, трехтактный
...А, В, С с частотным нало жением каждого последующего импульса напредыдущий.В момент времени действия тактового импульса А на шиле 5, на вход тиристора 1 первой ячейки поступает управляюща 1 й входной 30 импульс и он открывается. Шипы б и 7, поРедактор Й. Грузова Корректор О. Волкова Заказ 392/1548 Изд.1116 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская набд. 4/5 Тип. Харьк, фил. пред. Патент отношению к общей отрицательной шине 8, имеют потенциал, практически равный нулю. Последующий тактовый импульс В подается на шину б. В этот маме,нт времени одновременно прикладывается, напряжение на шины 5, б. При,этом с катода тиристора 1 первой ячейки через ограничительный...
Одноходовая феррит-транзисторная линия задержки (регистр сдвига) с промежуточным накоплением информации на конденсаторе
Номер патента: 140271
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Лугвин
МПК: G11C 11/24, G11C 19/36
Метки: задержки, информации, конденсаторе, линия, накоплением, одноходовая, промежуточным, регистр, сдвига, феррит-транзисторная
...1 в состояние О.Отличительные особенности предлагаемой феррит-транзисторной линии задержки дают возможность увеличить мощность выходного сиг нала.На чертеже дана схема предлагаемой линии задержки.Тактовый импульс блокинг-генератора (вход 1) перемагни те сердечники 2, которые были подготовлены, то есть находились тоянии 1, Запись 1 в первый сердечник производится входны пульсом 1 вход 3) в момент открывания транзистора 4 схемы ключ140271 крывание транзистора 4 осуществлястся тактовым импульсом блокинггенератора, поступающим на базу транзистора схемы ключа. Следующим тактовым импульсом первый сердечник перемагничивается в состояние 0, При этом в персмагничивасмом сердечнике происходит блокинг-процесс, поддеркиваемый транзистором 5, В...
Регистр сдвига на туниельных диодах
Номер патента: 289447
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Мачарашвили
МПК: G11C 19/36
Метки: диодах, регистр, сдвига, туниельных
...лиолов соселш х разрядов, а аноды через резисторы 26 - 30подключаются ко входу 31 дополнительногогенератора тактовых импульсов. Через резистор 32 Вход перВой ячей 1 подклОчен 1 О ВХОо 33 регистраИз временной диаграммы (см. фиг, 2) Видно, что фазы тактовых изп льсОВ, пост паОщих по входам 13, 14 и 15, сдвинуты на 1,/3периода,В начальный момент времени 1 = .1, когдапет входного и тактового импульса по входу31, все ячеки (разряды) находятся в О (напряжение иа туннельном диоде низкое илиотсутствует).В момент времени 1= 12 вхолной импульспереключает первую ячейку в состояние 1".(высокое напряжение на туннельном диоде 1).При поступлении первого тактового импульса с = с, переключается только туннельцый диод 2 второй ячейки. Это...
Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах
Номер патента: 278800
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Кантор
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема
...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...
Схема управления потенциалом подложки твердых интегральных схем
Номер патента: 643099
Опубликовано: 15.01.1979
МПК: G01R 31/28
Метки: интегральных, подложки, потенциалом, схем, схема, твердых
...конденсатором 35 и трзнзисторами 36, 37 н 2 О образуют схему инвертора, которая по своему действию подобна каскаду генера.тора 17, но обладает более высокой способностью к раскачке, Хронирующий сигнал с узла 28 поступает нз затворы входного )В транзистора 36 и дополнительного управляю" щего транзистора 38, который .Соединяется последовательно с транзистором 32 и землей в точке 39. Подобным образом узел 29, нз который поступает выходной сигнал с гене ратора, Присоединяется к входному затвору транзистора 37 инвертора и к затвору сле-.дующего управляющего транзистора 40, также соединенного последовательно с транзистором 32, Затвор транзистора 2 О инвертора . соединяеся со схемой детектора 19, которая 2 ф будет Описана киже. Выходной сигнал...
Предыдущий патент: Постоянное запоминающее устройство трансформаторного типа
Следующий патент: Регистр сдвига с зарядовой связью
Случайный патент: 415454