G11C 19/28 — с использованием полупроводниковых приборов

Номер патента: 752491

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Барышников, Бычков, Климашин, Попов

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...соответственно, база десятого.и-р-и-транзистора подключена к коллектору восьмого р-п-р-транзистора,эмиттеры которого соединены с базами первого и второго и-р-и-транзисторов соответственно,На чертеже представлена электрическая схема предложенной ячейкипамяти,Она содержит первый и второйи-р-и-транзисторы 1, 2, на которыхвыполнен основной триггер, третий ичетвертый 3, 4 п-р-п-транэисторы, накоторых выполнен дополнительный триггер, инжекторы 5 и б, р-и-р-транзисторы 7 и 8, и-р-и-транзисторы 9 и10, тактовые шины 11 и 12, шина 13нулевого потенциала.Ячейка памяти работает следующим образом. При подаче тактового импульса ТИна шину 11 инжектора 5 информация со входа перепишется в основной триггер, выполненный на транзисторах 1 и 2, после...

Номер патента: 826424

Опубликовано: 30.04.1981

Автор: Климушин

МПК: G11C 19/28

Метки: однотактный, регистр, сдвига

...порядка 20 мс,После этого на шину 27 первого триггера 1,1 регистра подается отрицательный импульс амплитудой 5 В и длительностью порядка 10 мкс, который переводит стеклообразный полупро водник 6 в закрытое (непроводящее) состояние. Транзистор 5 открывается транзистор 18 закрывается, а транзистор 19 закрыт, так как отсутствует сдвигающий импульс на шине 26. Кон денсатор 24 разряжен. Стеклообразные полупроводники 6 в следующих триггерах 1.2-1,И продолжают находиться в открытом (проводящем) состоянии,Приходящий на шину 26 отрицательый импульс длительностью порядка 20 мс сдвигающий импульс переводит стеклообразный полупроводник 6 в открытое (проводящее) состояние. Транзистор 5 закрывается. На время действия сдвигающего импульса...

Номер патента: 830579

Опубликовано: 15.05.1981

Автор: Фурсин

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...чертеже изображена электрическая схема предлагаемого регистра сдвига.Устройство содержит триггеры 1.1- 1.п, выполненные на транзисторах 2.1- 2.п и 3,1-3.п, вход 4 регистра, выход 5 регистра, ыину 6 нулевого потенциала тактовые шины 7 и 8, нагрузочные регистры 9,1-9.п.Регистр сдвига работает следующим образом.830579 Формула изобретения Составитель А. Воронинор М. Циткина Техред Н. Граб Коррект Бабцнец е одписн ета СССРытийд. 4/5 ком и от ая н Фйлиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Подача импульса положительной полярности на первую тактовую шину 7 и наличие входного сигнала на входе 4 приводит к срабатыванию первой пары транзисторов 2.1 и 3.1 Наличие потенциала на эмиттере транзистора 2.1 приводит к включению следую 5 щей...

Номер патента: 832600

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Золотаревский, Некрасов

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент

...приходом управляющих сигналовна первую и вторую шины 10 и 11 управления: (на первую шину 10 поступает импульс отрицательной полярности,а на вторую шину 11 - нулевой сигнал), согласующий элемент 4 закрывается и отключает вход третьего инвертора 5 от выхода первого инверто-ра 1 , ключи б и 7 также закрываются и отключают соответственно управляющий и нагрузочный транзисторывторого инвертора 2 от входа первого инвертора 1, а согласующий эле-мент 3 включается, При этом черезоткрытый согласукщий элемент 3 входное напряжение поступает на входпервого инвертора 1 и переводит егов новое логическое состояние илиподтверждает его предыдущее состояние. Так как управляющий и нагрузочный транзисторы второго инвертора 2отключены, то напряжение на...

Номер патента: 841053

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Березенко, Вдовиченко, Векшина, Голубев, Фурсин

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент

...двига, содержащий два р-п-р транзистора, эмиттеры которых соединены с шиной питания, коллектор первого р-и-р-транзистора подключен ко входу элемента памяти и к базе и-р-пфгранзистора, эмиттер которого соединен с шийой841053вого регистра, его температурный диапазон работы (от минус 60 до + 125 С).В отличие от известного в предлагаемомэлементе памяти для сдвигового регистра с могут использоваться шунтирующие диодыШоттки, что повышает его частотный диапазон до 20 - 100 мГц. формула изобретения нулевого потенциала, введен диод Шоттки анод которого подключен к базе п-р-и-тран зистора, а катод - к базам р-и-р транзисто ров и к коллектору п-р-п транзистора, коллек тор второго р-п.р транзистора соединен выходом элемента памяти.На чертеже...

Номер патента: 847373

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Бычков, Попов, Рыбальченко

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент

...эмиттеры которых подключены к шине тактовых импульсов, коллекторы р-и-р-транзис-торов соединены с первыми коллекторами п-р-и-транзисторов и с информационными входами элемента памяти, вторые коллекторы и-р-п-транзисторовсоединены с выходами элемента памяти, введен диод, анод которого соединен с базами р-п-р-транзисторов,а катод - с шиной нулевого потенциала.На чертеже представлена электрическая схема элемента памяти,Схема содержит два и-р-и-транзистора 1 и 2, два р-и-р-транзистора 7373 Ф 3 и 4, шину 5 нулевого потенциала,шину 6 тактовых импульсов, информационные входы 7 и 8, выходы 9 и 1 О элемента памяти и диод 11.Элемент памяти функционирует сле" дующим образом,При подаче тактового импульса ТИ на эмиттеры...

Номер патента: 851495

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Фойда

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...1 - 5, шину 6 нулевого потенциала, тактовые шины 7 и 8, информационные входы 9 и 10 ячейки памяти, выходы 11 и 12, инжекторы 13 - 17.Работу ячейки памяти рассмотрим на примере регистра сдвига.Предложим, что в момент времени Т 1 (фиг. 2) регистр находится в следующем 4 О состоянии: низкий потенциал на базах транзисторов 2, 3 и 5 первой и второй ячеек памяти и базах транзисторов 1 и 3 третьей ячейки памяти, а высокий потенциал - на базах транзисторов 1 и 4 первой и второй ячеек памяти и базах транзисторов 2, 5 45 и 3 третьей ячейки памяти.В момент Т 2 на тактовую шину 7 приходит первый отрицательный импульс, который поступает на базы транзисторов 2 ячеек памяти и вызывает на базе транзистора 1 третьей ячейки памяти в момент...

Номер патента: 868836

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Бычков, Пономарев, Фомичев

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...коллектором первого двухколлекторного п-р-п-транзистора, коллектор первого п-р-п-транзистора соединен с базой второго двухколлекторного и-р-п-транзистора,На чертеже представлена электрическая схема ячейки памяти.Она содержит двухколлекторные п-р-п-транзисторыи 2, и-р-п-транзисторы 3 и 4, двухколлекторные р-и-р-транзисторы 5 и 6, шины 7 и 8 питания, шину 9 нулевого потенциала. При реализации предлагаемой ячейкипамяти в составе регистровых ИС с ин -жекционным питанием с целью увеличения степени интеграции элементов накристалле микросхемы коллекторные области р-и-р-транзисторов совмещены ссоответствующими базовыми областямип-р-п-транзисторов, а эмиттерные области п-р-п-транзисторов и базовыеобласти р-п-р в транзистор совмещеныв общей...

Номер патента: 902075

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Зуб, Семенович

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...открывается и происходит заряд узловых емкостей 14 и 15 до напряжения логи.ческой единицы. Значение емкости МДП.кон.денсатора 7 при этом становится максимальным, так как под его затвором индуцируетсяканал, служащий второй обкладкой МДП.конденсатора. Во время действия тактового сигнала на шине 8 через МДП-конденсатор 7 назатвор транзистора г передается. дополнительное напряжение. 1 ранэисторы 4, 2 и 6 открыты и на выход 11 ячейки памяти передается напряжение логической единицы, которое запоминается на узловой емкости 16. Однако емкости помнят информацию в течение мало.го промежутка времени (обычно 100 - 300 мкс).Из-эа наличия токов утечки емкости узлов 12 - 16 разряжаются. Величина напряжения логической единицы уменьшается. Поэтому для...

Номер патента: 926719

Опубликовано: 07.05.1982

Автор: Куликов

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающее

...первый блок памяти, первый 25вход которого соединен с выходом фиксатора уровня, элемент задержки, выход которого подключен к первомувходу фиксатора уровня, вторые входыпервого блока памяти и фиксатора 30уровня соединены соответственно спервой и втброй шинами управления,первый ключ, первый вход которогосоеди, ен с третьей шиной управления,второй вход первого ключа соединенс шиной эталонного напряжения, а третий вход первого ключа является входом устройства, второй блок памяти,первый вход которого соединен стретьей шиной управления, введенысумматор, инвертирующий усилительи второй ключ, первый выход которогоявляется выходом устройства. входвторого ключа соединен с выходом первого блока памяти, второй выходвторого ключа соединен со...

Номер патента: 959165

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Дик, Ройзин, Стенин

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающее

...шины управления переносом, подключенной к выходу б.Для обеспечения незатухающего процесса колебаний в контуре с выхода 11 формирователя 8 на выход б подаются импульсы тока с частотой повторения, определяемой блоком 12, равной резонансной частоте контура и (возможно применение частот субгармоник, т.е. шр /2,сор /3 и т.д. ) . Амплитуда иМпульсов тока на выходе 11 регулируется с помощью блока 15, который поддерживает на. входе 10 формирователя, 8 необходимый потен. циал, обеспечивающий на выходе 6 незатухающие колебания.Происходит перенос информации в регистре 1, а также запись и/или считывание информации в зависимос- ти от состояния входов 4 и 5.Перевод запоминающего устройства в режим хранения информации осуществляется по...

Номер патента: 963103

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Осинский, Пилипенко, Слепов

МПК: G11C 11/401, G11C 19/28

Метки: двухтактный, динамический, регистр, сдвига

...наносекунд.После разряда запоминающего кон- зО денсатора 2 и заряда запоминающегоконденсатора 1 импульс управления отисточника 15 импульсов управлениячерез диод 17 поступает на затвор полевого транзистора 8, повышает положительный потенциал и закрывает его,При поступлении тактирующего импульса от источника 13 тактового питания происходит процесс заряда запоминающего конденсатора 2. Процессзаряда запоминающего конденсатора 2 40.такой же, как и конденсатор 1. 8 этомслучае на нагрузке 20 выделяется сигнал, который является входным для регистра сдвига последующего разряда.В предлагаемой схеме быстродействие регистра сдвига зависит от переходных процессов при заряде и разряде запоминающих конденсаторов иот скорости переключения...

Номер патента: 993334

Опубликовано: 30.01.1983

Автор: Пономарева

МПК: G11C 11/401, G11C 19/28

Метки: динамический, регистр, сдвиговый

...быстродействие, обусловленное необходиявляется низкое быстродействие, обуслов- мостью заканчивать разряд выходной ем ленное тем, что разряд узловой емкостикости ячейки до прихода фазового импуль,оячейки осуществляется токами утечки и са, соответствующего предыдущей ячейке. передачей заряда данной емкости в исто- Цель изобретения - повышение быстроковую емкость предыдущей ячейки действия динамического сдвигового регистНаиболее близким к предлагаемому ра.15по технической сущности является дина- Поставленная цель достигается тем, мический сдвиговый регистр, содержащий что динамический сдвиговый регистр на, нечетные и четные ячейки, соединенныеМДП-транзисторах,фкаждый разряд кото- соответственно с шинами первой и вто-рого содержит.три...

Номер патента: 1067534

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Рогозов, Самойлов

МПК: G11C 19/28

Метки: многоуровневая, памяти, ячейка

...которых подключены к соответству)ощим коллекторам опорного элемента, база р-и-р-транзистора блокировочного элемента является управляющим входом ячейки памяти и подключена к соответствующему коллектору р-и-р-транзистора опорного элемента, коллекторы р-и-р-транзисторон выходных элементов являются выходом ячейки памяти, эмиттеры р-л-Р-транзисторон выходных элементов подклюиены к первому входу 60 соответствующего триггера, эмиттер р- - г-транзистора блокировочного элемента и база р-и-р-транзистора опорного элемента подключены к общей шине, причем эмиттер р-ь-р-транзистора входного элемента является информационным входом ячейки памяти, введеныдополнительные элементы св язи, выполненные на р-л-р-транзисторах,коллекторы которых подключены к...

Номер патента: 1136217

Опубликовано: 23.01.1985

Автор: Бычков

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...между собой, а их базы че - реэ дополнительные инжекторы 7 и 8 соответственно - с шиной 17 питания, причем база установочного и-р-и-транзистора 12 соединена с шиной "Установка в О". Эмиттеры20 р - и-р-транзисторов 9 и 1 О связи подключены к соответствующим базамдвухколлекторных и-р - и - транзисто -ров второго триггера 4 и 3, а коллекторы - к базам соответствующих двухколлекторных и-р в и в транзист первого триггера 1 и 2.Вторые коллекторы двухколлектор -ных и-р - и-транэисторов 3 и 4 второготриггера являются выходами 15 и 16 30регистра сдвига,Регистр сдвига функционируетследующим образом,Шина 17 подключена к положительно -му потенциалу источника питания, ашина 18 в ,к нулевому потенциалу источника питания. Перед началом работы...

Номер патента: 1298806

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Копыл, Рева, Торчинский, Утяков

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...такого же напряжения заряжаетсязатвор транзистора 11 (узел в). Детектирование состояния заряда конденсатора 4последнего элемента памяти происходит вовремя спада импульса Ф 2, В первом случае(при отсутствии заряда) транзистор 8 открытнапряжением вольтдобавки и узел разряжается через транзистор 8 одновременно соспадом напряжения Ф 2. При этом в начальной стадии процесса транзистор 11 экранирует узел ь от тактового напряжения Ф 2, не позволяя разряжаться затвору транзистора 8. В конечной стадии процесса запирается транзистор 9 и, следовательно, протекание тока в цепи транзисторов 11 и 9 невозможно.Во втором случае, если информационный заряд достаточен для того, чтобы компенсировать величину вольтдобавки до такой степени, что...

Номер патента: 1341682

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Копыл, Рева, Торчинский, Утяков

МПК: G11C 11/401, G11C 19/28

Метки: динамический, мдп-транзисторах, регистр, сдвига

...управляющего обнулением транзистора 3. При записи"1" с выхода предыдущего и-го разряда через его запоминающий транзистор1 поступает напряжение, превышающеепороговое, Ключевой транзистор 2 служит для передачи полной амплитудытактового напряжения, На выход и-горазряда действует обратная связь чаврез первый 4 и второй 5 компенсирующие транзисторы, Если в предыдущемтакте на вход (и+2)-го разряда, скоторого действует обратная связь наи-й разряд, записана "1", то на вход(п+1)-го разряда может быть записантолько "О". При этом обратная связьдействует на исток и затвор запоминающего транзистора 1, поэтому запоминающий 1 и первый компенсирующий4 транзисторы не могут образовать активный делитель напряжения. На вход(и+1)-го разряда поступает...

Номер патента: 1383446

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Дик, Стенин

МПК: G11C 11/401, G11C 19/28

Метки: запоминающее

...пока сохраняется соответствующее направление тока в контуре.Когда энергия магнитного поля элемента 13З 5 полностью исчерпывается, преобразуясь вэнергию электрического поля соответствующих электродов переноса (выход 6) и частично - в тепло, колебание напряженияна выводе 6 прекращается, так как элемент14 размыкается.Последующие пары тактовых импульсоввызывают формирование на выходе 6 импульсов колоколообразной формы.По окончании импульсов управления навходе разрешения устройство переходит в45режим хранения. Причем, если импульс оканчивается в момент, когда ключ 15 замкнут,то формирование очередного колебания навыходе 6 завершается точно так же, как и приналичии управляющего импульса. Однакодалее при появлении очередного импульсана входе 29...

Номер патента: 1432609

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Вешняков, Гавриленко, Мороз-Подворчан, Сергеев

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: буферного, запоминающего, регистр, сдвига, устройства

...4регистра закрыты, поскольку инжектируемый в их базы по импульсам Ф, иФ заряд не накапливается, а отводится через один из двух (который открыт) и-р-и-транзистор. Из базы транзистора 4 1-го разряда инжектируемыйзаряд отводится через элемент 12.При записи нового слова в буферное50ЗУ инжектируемый поимпульсу Ф зарядбазы транзистора 4 1-го разряда неотводится, а накапливается в нем,вследствие чего транзистор открывается,1-й триггер переключается в 1пи 55на 1-м выходе регистра действуетимпульс, по которому входное слово записывается в первую числовую линейку(ЧЛ) накопителя буферного ЗУ. Затем по импульсу Ф инжектируемый заряд накапливается в базе транзистора 4 2-го разряда, транзистор открывается, переключая в " 1" 2-й триггер и...

Номер патента: 1501168

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Варшавский, Гольдин, Кондратьев, Цирлин

МПК: G11C 19/28

Метки: асинхронный, кмдп-транзисторах, последовательный, регистр

...устанавливается значение "0", после чего информация с входов 25, 26 регистра может быть снята и т.д. Для преобразования информации, записанной в ячейки 1 памяти регистра, в парафазную служат дополнительные элементы 12, 13 и 10,11, Два последних образуют КЯ-триггер, который устанавливается в единичное илинулевое состояние при появлении значения "0" на выходе элемента 3 первой или третьей цепочек 2 последнейячейки 1 памяти. Значение "0" на выходе элемента 3 одной из трех цепочек 2 последней ячейки 1 памяти может появиться при наличии значения"1" на управляющем входе 21 регистра. При этом, если значения "0" появляются на выходах элементов 3 первой или третьей цепочек 2 последнейячейки 1 памяти, то на выходах элементов 12, 13, т,е....

Номер патента: 1539842

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Копыл, Рева, Торчинский, Утяков

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...входом регистра, затворы передающих транзисторов нечетных и четных элементов памяти являются соответственно первым и вторым тактовыми входами регистра, блок регенерации, состоящий из трех зарядных транзисторов, трех разрядных транзисторов и коммутирующего транзистора, исток которого соединен с истоками, а затвор - со стоками третьего зарядного и третьего разрядного транзисторов, затворы которых соединены с затворами передающих транзисторов нечетных и четных элементов памяти соответственно, сток коммутирующего транзистора соединен с истоком второго разрядного транзистора, сток которого соединен с истоком первого зарядного транзистора, стоком передающего транзистора 98 ч 2 6последнего элемента памяти и затворомпервого...

Номер патента: 1596394

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Коваленко, Малинин, Щетинин

МПК: G11C 19/28

Метки: регистра, сдвига, ячейка

...к входу 19 следующего разряда или (если данная ячейка является замыкающей в регистре) к шине 13. 1 ил.Составитель А.ЕршоваРедактор М,Недолуженко Техред Л.Олийнык Корректрр И.Мускаг Тираж 486 Подписное Заказ 3902 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при 1 кйТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб.д. 4/5Лроизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 5 159 тора второго ключевого элемента под-ключен к эмиттерам транзисторов вторых опорного и переключательного элементов, коллектор транзистора второго опорного элемента подключен к первому выводу резистора второго элемента смещения и базе транзистора второго переключательного элемента и является первым информационным выходом...

Номер патента: 1689991

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Вешняков, Гавриленко, Кардащук, Мороз-Подворчан

МПК: G11C 19/28

Метки: буферное, запоминающее

...7 1-го разряда формируется отрицательный импульс (диаграмма О), которым переключаются в "1" 1-й триггер, и возвращается в "О" (1-1)-й, при этом дисды Шоттки, имеющие низкое напряжение прямого смещения (обычно 0,35-0,45 В), позволяют отвести заряд из баз п-р-и-транзисторов и препятствуют протеканию перекрестных токов в тиристорном триггере, что необходимо для достижения на выходе выключенного тиристора полного напряжения +5 В,Затем потенциал 1-й управляющей шины понижается, и с небольшой задержкойотключения возвращается в исходное состояние элемент 7 1-го разряда. Длительность формируемых импульсов ти вуправляющей и токовой шинах определяется, главным образом, величиной тзЕсли (+1)-й триггер установлен в "0", то после переключения...

Номер патента: 1612802

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Канакин, Мануйлова, Наймарк, Соломенников

МПК: G11C 19/28

Метки: мдп-транзисторах, памяти, регистра, сдвига, ячейка

...выводе.варактора 5 остается и передаОщцй транзистор 3 остается открытым. Затем напряжение па входе 8 (сток ключевого транзистора 2) умецьшаетсн до нуля, Па второй так- тоный вход 7 подается высокое ца" 1 ряжение, которое поступает ца сток передающего транзистора 3, па затвор цагруэочного транзистора А и ца эатвоР ключевого тРаизцстоуа 2 после дд дующей ячейки памяти, так как отно1 Д шецие - цагруэочного транзистора 41.меньше, чем у передающего транзистора 3, то напряжение на выходе первой ячейки близко к напряжению навтором тактовом входе 7. Это напряжение через открытый ключевой транзистор 2 последующей ячейки регистрапередается ца первый вывод варактораэтой ячейки и открывает передающийтранзистор 3 точно так же, как впредыдущей...

Номер патента: 1671047

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Бехтеров, Десятков, Путырина

МПК: G11C 19/28

Метки: динамический, регистр, сдвига

...в этом слу чае не отражается на разбросе амплитуд выходных цмпульсов, По окончании действия тактового напряжения (4) на входах 17 второго ЭП и соссдних с иим ЭП остаются записанными напряжения логической"1", транзистор предустановки через открйтый транзистор уп" равления предустановкой 16 (затвор ко торого соединен с входом 17) закрывается с окончанием импульса на тактовом входе, но транзистор сброса разряда 14 остается закрытым, так как на его затворе записан логическийЦл 1,Если в момент й -й тактовое напУ 6ряжение поступает на вход, соединенный с третьим ЭМ (сдвиг в прямом направлении), то аналогично описаннойвыше работе ЭП на выходе третьего ЭПвырабатывается импульс по форме, сов-,падающий с тактовым напряжением иэтот импульс через...

Номер патента: 708798

Опубликовано: 27.05.1995

Автор: Ли

МПК: G01R 29/08, G11C 19/28

Метки: датчик, магнитного, поля

ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ, содержащий полупроводниковую подложку с расположенным в ней регистром сдвига с зарядовой связью, вход которого соединен с входной шиной записи, расположенной на поверхности подложки, и входной диффузионной областью, расположенной внутри подложки, а выход с первой шиной считывания и первой выходной диффузионной областью, расположенными соответственно на поверхности и внутри подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности датчика, он содержит вторую шину считывания и вторую выходную диффузионную область, расположенные соответственно на поверхности и внутри подложки и соединенные с выходом регистра сдвига с зарядной связью.

Номер патента: 1253352

Опубликовано: 27.02.1997

Автор: Тишин

МПК: G11C 19/28

Метки: зарядовой, приборах, регистр, связью, сдвига

Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку n-типа с ограничительными областями, образующими канал в виде двух гребенок, расположенных с зазорами, обращенными один к другому зубцами и сдвинутых один относительно другого на половину шага между зубцами, тактовые электроды в виде двух гребенок, зубцы которых чередуются один с другим, расположены над зазором между соответствующими зубцами гребенок ограничительных областей и частично перекрывают их барьерную область в полупроводниковой подложке под зубцами гребенок тактовых электродов, входные и выходные области р-типа, расположенные частично под первым зубцом гребенки первого тактового электрода и под последним зубцом гребенки второго тактового...

Номер патента: 1254931

Опубликовано: 27.02.1997

Автор: Тишин

МПК: G11C 19/28

Метки: зарядовой, приборах, регистр, связью, сдвига

Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку n-типа проводимости, ограничительные области, образующие канал, четыре тактовых электрода, второй и четвертый из которых выполнены из чередующихся участков, входную и выходную области р-типа проводимости, расположенные частично под первым участком второго электрода и последним участком четвертого электрода и являющиеся информационными входами и выходами регистра, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, ограничительные области выполнены в виде двух гребенок, расположенных с зазором и обращенных зубцами друг к другу, первый и третий тактовые электроды расположены над соответствующими гребенками, причем зубцы гребенок выступают из-под...