Интегральный регистр сдвига

О П И С А Н И Е 378962ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союэ Советскиз Социалистические РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 22.Х 1.1971 ( 1715901/18-24) М, Кл. 6 11 с 19,00 присоединением заявкииоритет Комитет по делам аобретений и открытий при Совете Министров СССР. Крутиков и В, Г. Фильков Л. А. Вьюко вител ИНТЕГРАЛЪНЪ 1 Й РЕГИСТР СДВИГА асти микроользовано в ве сканируюистр сдвига 5 овленных на .ине и соедиром тактовых зи между 10 питания,меньшаетльнои свяактового водки и уройств.прощение ро ого промежуткими перекрытыры каждого изны с эмиттеров седними нсатора- ектриче- тиристо 2 междуМДП-кондкоторых эсоседнего е л редлагаемого устроищем. Пусть в начальй импульс подан на аходится во включенент ,)1, на шину 10 ульс. Так как тиристосостоянии низкой прое напряжение тактовоних, а следовательно,инцип деиствия п состоит в следую момент 1 о тактовь 9 и тиристор 3 состоянии, В мом тся тактовый имп и 4 находятся в ости, то почти вс пульса падает на одниковую пла которой изготовристоры должньпревосходящимых носителей вдиффузионнот" Р для кремния =10 олт 1 долж стваныйшинуномподары 2водиго и Изобретение относится к обл электроники и может быть исп телевизионной технике в качест щего устройства. Известный интегральный ре выполнен на тиристорах, изго общей полупроводниковой плас ненных через шины с генерато импульсов. Такой регистр из-за си тиристорами требует 4-т что усложняет систему раз процент выхода годных уст Цель изобретения - у ства. Для эт тиристора ми, затво ски связара.На чертеже изображена топологи гаемого устройства.Устройство имеет полупров стину 1, например п-типа, на лен ряд тиристоров 2 - Б. Ти быть разделены расстоянием, диффузионную длину основн общей базе для исключения связи между ними. Наприме с удельным сопротивлением р 2на быть равной 150 - 200 иклт, Толщина общей базы должна превосходить диффузионну ю длину неосновных носителей, чтобы уменьшить коэффициент усиления нижнего составляющего и исключить электрическую связь между тиристорами, Между тиристорами расположены МДП-конденсаторы 6 таким образом, что их затворы перекрывают промежутки между тиристорами,Толщина слоя окисла 7 должна обеспечить образование каналов проводимости под затворами при напряжениях на них меньших, чем напряжение тиристоров в линии. Для ЬЮ, например, она должна составлятьо1500 - 2000 А. Затворы каждого конденсатора электрически соединены с эмиттером соседнего тиристора. Цифрой 8 на чертеже обозначена металлическая обкладка МДП-конденсатора. Тиристоры через один соединены с тактовыми шинами 9 и 10.Редактор Э. Иконникова Заказ 1980/4 Изд.497 Тираж 576 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раугпская паб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 и на связанные с ними МДП-конденсаторы, Это приводит к возникновению канала инверсии 11 между тиристорами 3 и 4, и р-базы этих тиристоров оказываются связанными каналом проводимости. Дырки из р-базы тиристора 3 через канал 11 попадают в р-базу тиристора 4, что приводит к накоплению заряда в базе и последующему включению тиристора 4. В этот же момент тиристор 3 находится в проводящем состоянии, падение напряжения на нем и связанном с ним МДП-конденсаторе мало, Если толщина окисла выбрана достаточно большой, то при этом напряжении под затвором конденсатора не образуется проводящий канал и связь между тиристорами 2 и 3 будет отсутствовать. Таким образом, обеспечивается однонаправленность передачи сигнала в линии. В этот же момент 1,)1 о на тиристоре 5 падает малое напряжение, так как он соединен с той же шиной, что и тиристор 3, поэтому связь между тиристорами 4 и б отсутствует и сигнал не может передаться дальше. После того, как тиристор 4 включился, в момент 5 1 а)1, снимается напряжение с шины 9, и тиристор 3 выключается, В дальнейшем процесс повторяется,Предмет изобретения 10 Интегральный регистр сдвига на тиристорах, эмиттеры которых соединены с геератором тактовых импульсов, отличаощийся тем, что, с целью упрощения устройства, в промежутках между верхними базами тиристо ров на полупроводниковой пластине изготовлены МДП-конденсаторы таким образом, что их затворы перекрывают указанные промежутки и электрически связаны с эмиттером соседнего в направлении распространения 20 сигнала тиристора.