Регистр сдвига с зарядовой связью
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
0 П И С А-Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 25,71.1971 ( 1673417/18-24)с присоединением заявки-ПриоритетОпубликовано 05 ЛЧ.1973. Бюллетень17Дата опубликования описания 12.Л 1.1973 М. Кл. б 11 с 19/00 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 681.332.65(088,8) Авторыизобретения В. Г, фильков, А, И. Патрашин и Л. А. Вьюков Заявитель РЕГИСТР СДВИГА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ Изобретение относится к области микроэлектроники,Известны регистры сдвига на приборах с зарядовой связью,Однако в таком регистре наличие необходимых изолирующих промежутков между отдельными электродами создает потенциальные барьеры для неосновных носителей и затрудняет их перетекание из-под одного электрода под следующий.Кроме того, из-за наличия этих барьеров перетекание носителей происходит медленно и не полностью.Целью изобретения является уменьшение потерь неосновных носителей при передаче заряда от электрода к электролу и увеличение быстродействия, за счет устранения потенциального барьера в межэлектродных областях и создания там локального тянущего поля.Эта цель достигается соединением электродов между собой с помощью резистивного слоя,На фиг, 1 схематически изображено предложенное устройство, на фиг. 2 - картина потенциальных ям под электродами.Устройство представляет собой пластину полупроводника 1, покрытую слоем диэлектрика 2, на который нанесена однослойная система электродов 8 - 8, подключенных к шинам источника трехтактового питания 9 - П.На систему электродов нанесен резпстивный слой 12, соединяющий электроды между 5 собой. Пластина 1 снизу имеет заземленныйомический контакт. Резистивный слой может быть нанесен и на лиэлектрик, но тогда электроды нанесены на резистивный слой. Этот слой выполнен, например, из СдО илп спла ва МЛТ.Устройство работает следующим образом.Предположим, что в момент времени 1=10на шину 9 подан потенциал такой, что под электродами 8, б, подключенными к этой шине, 15 образуется глубокая потенциальная яма(фиг. 2,а), в которую собираются носители, находившиеся в окрестности этих электродов,Из-за наличия падения напряжения вдольрезистивного слоя 12, края ям наклонны, 20 т. е. глубина ямы линейно падает в межэлектродном промежутке, что и ускоряет собирание носителей. В момент времени 1=10+Т (где Т - длительность импульса) подается потенциал на шину 10, а на шине 9 он падает.25 Потенциальная яма образуется под электродами 4 и 7, а под электродом 8, 6 она уменьшается (фиг. 2,б), что соответствует перелвижению ямы вдоль структуры (фпг. 2,в,г) в направлении, указанном стрелками на фиг, 2.30 Края ямы пологие, поэтому переход ямы проРедакто Заказ 19 ЦНИИП Чуркина те кто Изд. Мз 445 Тираж 576 Подписноделам изобретений и открытий при Совете Министров СССМосква, Ж, Раушская наб., д, 475 омитет ография, пр. Сапунов исходит плавно, а так как в межэлектродном промежутке тянущее поле сохраняет свою величину, меняя знак, это спосооствует более быстрому и полному переносу носителей вдоль структуры.Предмет изобретенияРегистр сдвига с зарядовой связью, содержащий МДП-структуру и выполненный в виде слоя полупроводника, на который через слой диэлектрика нанесен ряд электродов, подключенных к шинам питания, отлача оиийся тем, что, с целью уменьшения потерь 5 передаваемого заряда и увеличения быстродействия, электроды связаны между собой резистивным слоем.
СмотретьЗаявка
1673417
В. Г. Фильков, А. И. Патрашин, Л. А. Вьюков
МПК / Метки
МПК: G11C 19/28
Метки: зарядовой, регистр, связью, сдвига
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-376811-registr-sdviga-s-zaryadovojj-svyazyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Регистр сдвига с зарядовой связью</a>
Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью
Номер патента: 535604
Опубликовано: 15.11.1976
Авторы: Гусаков, Зеленцов, Пашинцев, Сельков, Скориков
МПК: G11C 19/28
Метки: зарядовой, приборах, регистр, связью, сдвига
...полупроводника.5 10 15 2 д 25 30 35 принятые во вни 40 45 При подаче на эти слои обедняющих потенциалов основные носители из них удаляются через внешнюю цепь, и потенциал от поверхности раздела диэлектрик-полупроводник изменяется периодически вглубь полупроводника, образуя чередующуюся последовательность экстремумов (максимумов и минимумов), каждый из которых расположен в слое полупроводника соответствующей проводимости. Каждая экстремальная область, являющаяся одним из информативных каналов, отделена от соседней экстремальной области потенциальным барьером, Свободные основные носители заряда одного знака (электроны или дырки), инжектированные из внешнего источника в информативный канал соответствующей проводимости, храняться в...
Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью
Номер патента: 1254931
Опубликовано: 27.02.1997
Автор: Тишин
МПК: G11C 19/28
Метки: зарядовой, приборах, регистр, связью, сдвига
Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку n-типа проводимости, ограничительные области, образующие канал, четыре тактовых электрода, второй и четвертый из которых выполнены из чередующихся участков, входную и выходную области р-типа проводимости, расположенные частично под первым участком второго электрода и последним участком четвертого электрода и являющиеся информационными входами и выходами регистра, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, ограничительные области выполнены в виде двух гребенок, расположенных с зазором и обращенных зубцами друг к другу, первый и третий тактовые электроды расположены над соответствующими гребенками, причем зубцы гребенок выступают из-под...
Способ определения проводимости между электродом и подиной трехфазной трехэлектродной руднотермической печи
Номер патента: 955535
Опубликовано: 30.08.1982
Автор: Фрыгин
МПК: H05B 7/144
Метки: между, печи, подиной, проводимости, руднотермической, трехфазной, трехэлектродной, электродом
...Фиг.21 изображены источники питания толькоизмеряющей частоты Е, ЭДС, напря- жения и токи основной частоты не показаны. Сопротивления короткойи представлена в видеВольтметры Т - 7 предназначены для измерения напряжений между электродами и электродами и подикой. Й, Йэ и Йсо обозначают сопротивления ванны под электродами, а Й Й,Кв между электродами, так как они практически активные, 1 э - ток электрода, БЗ - напряжение электрод - подина, а .1 э - доля тока электрода, проходящая через ванну на подину с соответствующими индексами А, В и С. Амперметр и токовая цепь ватт- метра включены в первичную цепь устройства ввода (фиг. 1). Однако ка схеме (Фиг. 2)для облегчения смысловой стороны дела они показаны включенными непосредственно в короткую...
Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью
Номер патента: 1253352
Опубликовано: 27.02.1997
Автор: Тишин
МПК: G11C 19/28
Метки: зарядовой, приборах, регистр, связью, сдвига
Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку n-типа с ограничительными областями, образующими канал в виде двух гребенок, расположенных с зазорами, обращенными один к другому зубцами и сдвинутых один относительно другого на половину шага между зубцами, тактовые электроды в виде двух гребенок, зубцы которых чередуются один с другим, расположены над зазором между соответствующими зубцами гребенок ограничительных областей и частично перекрывают их барьерную область в полупроводниковой подложке под зубцами гребенок тактовых электродов, входные и выходные области р-типа, расположенные частично под первым зубцом гребенки первого тактового электрода и под последним зубцом гребенки второго тактового...
Прибор с зарядовой связью
Номер патента: 476623
Опубликовано: 05.07.1975
Авторы: Гергель, Казаринов, Сурис
МПК: H01L 13/00
Метки: зарядовой, прибор, связью
...надежности его в работе, Для достижения этой цели металлические электроды нанесены на слой второго полупроводника и выполнены из материала, образующего со слоем второго полупроводника контакт, запорный для основных носителей первого слоя полупроводника.1-1 а фиг. 1 схематически изображен пр гаемый прибор, разрез; на фиг. 2 - з диаграмма для случая, когда к элек приложено напряжение, обеспечивающее нение информации. ействия предлагаемого прибора дующем. Неосновные носители инжектированные в узкозонный ковый слой 1 через гг - р переустройства прибора (на чертежен) или светом, скапливаются оев 1 и 2 у барьера, обусловленем ширины запрегценной зоны в репятствуя стеканию неосновных металлический электрод, этот амым обеспечивает выполнение...
Предыдущий патент: Статический регистр на тиристорах
Следующий патент: Аналоговое запоминающее устройство
Случайный патент: Всесоюзная патеи ic-тс-хпйч-скаябибпитвнй_м§б. iw. рыжов