G01N 21/88 — выявление дефектов, трещин или загрязнений

Номер патента: 1636743

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Бажанов, Мизонов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, защитных, обнаружения, пленках, проволочных, тензорезисторов

...с пло щадью рабочей поверхности 10 х 25 мм. Максимальная толщина тензорезистора не превышает 0,1 мм. Данные размеры определяют размеры объема, заполняемого жидким кристаллом. Возникновение 30 электрооптического эффекта в жидком кристалле не зависит от толщины его слоя, но наиболее часто применяются электрооптические ячейки с толщиной слоя жидкого кристалла 5-100 мкм. Поскольку исследование производится с двух сторон, толщина ячейки (ширина заполняемого объема) выбирается 110-300 мкм (с учетом толщины самого .тензорезистора).40Установлено, что проявление электрооптического эффекта начинается при напряжении порядка 5 В, Верхняя граница подаваемого напряжения ограничивается пробивными свойствами исследуемого 45...

Номер патента: 1644005

Опубликовано: 23.04.1991

Автор: Шурна

МПК: G01N 21/88

Метки: поверхности

...случайным образом и имеют участки поверхности, зеркально отражающие световой поток по крайней мере одного из светодиодов в этих циклах на фотоприемник 3, Превышение величины сигнала фотоприемника 3, установленного в электронной схеме сравнения уровня для бездефектной поверхности при заданной величине угла падения излучения относительно нормали, свидетельствует об обнаружении механических дефектов при сканировании и служит основанием для выбраковки детали (фиг. 4 и 5).При отсутствии механических повреждений деталь облучают посредством полупрозрачного зеркала перпендикулярно поверхности и сканируют по поверхности перемещения детали относительно падающего луча. Отраженное в противоположном направлении излучение регистрируют...

Номер патента: 1652889

Опубликовано: 30.05.1991

Автор: Бродский

МПК: G01N 21/88

Метки: воде, нефтепродуктов, содержания

...комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к бездисперсионным спектральным методам анализажидкостей и может быть использованодля определения содержания нефти (нефтепродуктов) в воде,Цель изобретения - повышение чувствительности измерений,На чертеже представлена схема устройства, реализующего способ. 10Устройство содержит нагреватель 1,распылитель 2, приемное устройство(поддон) 3, кювета 4 с нефтью, приемники 5 и 6 излучения, блок 7 регистрации, заслонка 8. 15 Согласно закону Вина при 300- 360 К максимум излучения находится на длине волны ,и,цр 8,0-9,6 мкм. Поэтому наибольший вклад в полезное излучение Р о дают те полосы углеводородов нефти, которые находятся в интервале 7-14 мкм. Однако в этом Интервале...

Номер патента: 1656420

Опубликовано: 15.06.1991

Автор: Кожаринов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения

...зазором. На электроды 6 подают напряжение с источника 7 высокого напряжения, достаточное для образования локального (в области дефектов 8 и 9) тлеющего разряда, который сопровождается свечением и интенсивным локальным разогревом поверхности контролируемого изделия 1, В результате газоразрядных процессов в соответствии с местоположениемдефектов 8 и 9 идет образование борногоангидрида, который при наличии дефекта 85 проникает в него и образует на поверхностиконтролируемого изделия 1 изображение,которое фиксируется визуально,П р и м е р 3. На поверхность контролируемого изделия 1 наносят тонким слоем 210 порошок аморфного бора с размером зернане более 5 10 мм. Накладывают темнуютонкую (толщиной 0,5 мм. в этом случаепонятие "тонкая"...

Номер патента: 1659796

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Клусов, Котляров, Сорокин, Трифонов, Федоров, Чистяков

МПК: G01N 21/47, G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, поверхности

...света), управляемого кор ректором, добиваются того, что .при отсутствии дефектов на поверхности контролируемой детали абсолютные мгновенные значения амплитуд перемен н ь 1 х составляющих оптических сигналов, определяемые рельефом контролируемой поверхности, равны между собой, При отсутствии автоматического устройства корректором является оператор-контролер.Устройство работает следующим образом.1659796 2 значений флуктуаций интенсивности зеркальной и диффузной составляющих светового потока, подающих на фотоприемник, Выравненные зеркально отраженные световые потоки зеркалом 4 подаются на вход фотоприемника 5, расположенный в ходе лучей диффуэно-отраженного светового потока. С помощью выравнивателя (поляриза. тора) 3 добиваются...

Номер патента: 1659806

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Исода, Каушинис, Паленис, Эйтутис

МПК: G01N 21/88

Метки: движущейся, микродефектов, обнаружения, поверхности, светоотражающей

...световода 7 - с приемником 5, Два других торца световодов б, 7 с микролинзами 8, 9 закреплены на конце пластинки 1 под углом к ней таким образом, что точка пересечения их оптических осей 10, 11 расположена в плоскости исследуемой поверхности 12 (фиг.2), На противоположной поверхности пластинки 1, обращенной к исследуемой поверхности, нанесено металлическое покрытие 13 напротив торцов с микролинзами, образующее обкладку емкостного датчика. Устройство содержит также блок 14 управления (фиг.4), привод 15 исследуемого диска, усилитель 16 сигнала емкостного датчика, блок 17 обработкиизмерительной информации и регистраторУстройство работает следующим образом.По управляющему каналу "Упр" на блок вводит устройство между дисками в пакет...

Номер патента: 1679307

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Автономов, Глущенко, Луков, Седунов, Уздовская, Уздовский

МПК: G01J 1/44, G01N 21/88

Метки: качества, микросеток

...коэффициентами трансформации линзы и собственными размерами нити и ячейки микросетки, Размер ширины щели не должен превышать ширины изображения отдельной нити, чтобы не уменьшилась глубина модуляции сигнала. Длина окна не должна быть меньше размера изображения ячейки, чтобы случайное попадание на окно изображения поперечной нити не приводило к существенному уменьшению сигнала. Расстояние между центрами фотодиодов должно быть не менее ширины ячейки, так как сдвиг фаз сигналов. поступающих с фотодиодов, не должен превышать величину периода сигнала, поступающего с каждого фотодиода.Устройство для контроля качества микросеток работает следующим образом.Полотно микросетки 1 устанавливается в предметной плоскости оптического блока 3, в...

Номер патента: 1693493

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Иванов, Юшкевич

МПК: G01N 21/88

Метки: печатных, плат

...нэ зеркалах световода 4 направляется нэ поверхность отражателя 5. После отражения от плоской поверхности отражателя 5 свет попадает на поверхность контролируемого предмета, установленного нэ координатном столе б, Отраженный от предмета свет проходит через отверстие в отражателе 5 и направляется в объектив 7. Объектив 7 собирает отраженный от поверхности обьектэ свет и направляет его на поверхность ПЗС- линейки 8, Одновременна объектив 7 строит изображение поверхности предмета в плоскости ПЗС-линейки 8, В результате сложения двух ортогональных составляющих светового потока, прошедшего через осветитель, на поверхности объекта формируется изображение источника 1 в виде светящейся полосы, ориентированной вдоль ПЗС-линейки, с высокой...

Номер патента: 1702262

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Борзых

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектоскопии, поверхности

...сравнивают с пиковым значением нулевой ординаты (дисперсии), В случае его превышения над минимумом дисперсии контролируемое изделие направляют с брак,Величина первого ненулевого экстремума корреляционной функции, лежащего в отрицательной области значений, наиболее точно указывает на присутствие дефектов на контролируемом изделии, Оптимальную задержку (или несколько задержек) подбирают экспериментально,10 15 20 сигналы перемножаются перемножителем 3. Перемножитель 4 работает в режиме возведения в квадрат незадержанного сигнала, Результаты перемножения усредняются фильтрами 5 и б нижних частот. На их выходах формируются сигналы, соответствующие законам изменения (во времени) текущих ординат, корреляционной функции сигнала, При отсутствии...

Номер патента: 1718065

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Гусев, Медведев

МПК: G01N 21/88

Метки: влагометрии, инфракрасной, сыпучих

...приемника поступает на усилитель 5021, а потом - на ленту электронного потенциометра 22,Способ измерения малых концентраций влаги сыпучих материалов поясняетсяследующим, 55Для сыпучих материалов характерна капиллярно-пористая структура. Она поглощает влагу из воздуха. Влагообмен междуматериалом и воздухом прекращается придостижении гигротермического равнове сия, При данной температуре Т условие гигротермического равновесия описываетсявыражением Рг/Ро = ехр(2) Р = О/(1800 ),где О - пропускная способность вакуумпровода в л/с;- длина вакуумпровода в см;б - диаметр вакуумпровода в см; где Рг и Ро - давления насыщенных паров над искривленной и плоской поверхностями соответственно;й - поверхностное натяжение на искривленной поверхности...

Номер патента: 1721482

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Гаранин, Драчев, Косилов, Нуралин

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектоскопии, световодов

...11 подается на видеоконтрольное устройство 12 и параллельно на блок 13 обработки и ввода телевизионного сигнала в ми кро Э В М 14.Микрообъективы 7 закреплены на основании, которое может перемещаться в двух взаимно-перпендикулярных направлениях с помощью микровинтов. На основании имеется рукоятка, поворотом которой микрообъективы и корпус источника света выводятся из рабочей зоны, освобождая отверстие для протягивания световода и заправки его в тянущий механизм, При этом происходит и раздвижение половинок поворотного зеркала 4 и фокусирующей линзы 5,Схема блока обработки и ввода телевизионного сигнала в микроЭВМ "Электроника" (фиг.2) состоит из селектора 15 синхросмеси, формирователя 16 временных интервалов, фильтра 17, порогового...

Номер патента: 1721483

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Дубовик, Ивченко, Непомнящий, Райхел

МПК: G01N 21/88

Метки: глубины, дефектов, объектах, поверхностных, ситаллов

...повышенная температура обработки, достижение которой в случае использования органических в основе люминесцентных жидкостей не представляется возможным, Таким образом, атомы углерода диффундируют в полости дефектов значительно глубже молекул веществ, входящих в состав люминесцентных жидкостей, Это приводит к повышению точности определения глубины дефектов.П р и м е р. Производят дефектоскопию наружной поверхности изделий из кордиеритового ситалла в системе МОО-МпО-АгОзОг-ТЮг. Механическую обработку наружной поверхности изделий осуществляли путем шлифования алмазным кругом 1 А 1 100 х 10 х 3 х 32 по следующему режиму: угловая скорость вращения заготовки 50 об/мин, угловая скорость вращения круга 6000 об/мин, глубина резания 1,0...

Номер патента: 1732244

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Климова, Потрохов

МПК: G01N 21/88, G01N 33/18

Метки: водных, кислоты, растворах, уксусной

...при построении градуировочногографика стандартных растворов, содержащих воду, уксусную кислоту,хлористый натрий и нитрит натрия,взятых в массовом соотношении 1;(2 х10 -4 10 ф): (3 1 б -4 10 ): (3 10 -5 х З 5.х 10 ) соответственно, позволяет определять уксусную кислоту с относительной ошибкой253 в течение10 мин. Верхний предел определениякислоты 2,00 мг в пробе. . 10формула изобретения 317полученный раствор воздуха объемом0,4-0,5 л со скоростью 0,1-0,2 л/мин,пропускания выходящего воздуха черезокислительную и индикаторную на двуокись азота трубку с последующим определением концентрации уксусной кислоты по градуировочному графику,построенному по стандартным растворам, содержащим воду, уксусную ки"- слоту, хлористый натрий и...

Номер патента: 1741032

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Бородин, Волков, Иванова, Рафельсон

МПК: G01N 21/88

Метки: поверхности, подложек, чистоты

...теневого и преломленного изображений капли жидкости, полученного на матовом экране после нанесения капли жидкости на исследуемую поверхность,При значениях краевого угла смачивания О5 измерение диаметров становится затруднительным, поскольку разница диаметров теневого и преломленного изображений становится трудно различимой,Цель изобретения - упрощение контроля чистоты поверхности подложек и повышение точности измерений степени чистоты поверхности подложек при значео ниях краевого угла смачивания5 .Поставленная цель достигается тем, что в устройстве контроля чистоты поверхности подложек, содержащем источник света, дозатор капель рабочей жидкости и регистрирующее устройство, последнее выполнено в виде фотодиода, подключенного к пиковому...

Номер патента: 1755140

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Борзых

МПК: G01N 21/88

Метки: блок, дефектоскопа, сигналов, фотоэлектронного

...первый входкоторого вместе со входами линий задержки объединен и подключен к выходу центрирующего фильтра, а второй вход соединен свыходом линий задержки, фильтр нижнихчастот, компаратор снабжен дополнительно, по крайней мере, одной линией задержки С перемножителем на выходе, диодами, катод каждого из которых подключен к выходу соответствующего перемножителя; а 5 10 1520253040 ординат корреляционной функции сигнала . фотоприемника).Блок обработки .содержит центрирующий фильтр 1, линии 2, 3, 4 задержки сигнала; аналоговые перемножители 5, 6, 7, первые входы которых нижние по схеме) вместе со входами линии 2, 3, 4, задержки объединены и подключены к выходу центрирующего фильтра 1, а вторые входы (верхние по схеме) соединены с...

Номер патента: 1756807

Опубликовано: 23.08.1992

Автор: Кокурин

МПК: G01N 21/88

Метки: датчик, скорости, теплозащитного, уноса

...ности света от световода.выемок в сечении. перпецдикулярцам оси Проходя последовательно все выемки, стержня, выполнен лункаабразцым, абра- фронты прогрева (с заданной изотермичезавэнцым внутренней и наружной дугами ской температурой) и уцоса вызыва 1 от скачокружности с радиусом, равными радиусу кообразное изменение выходного сигнала. стержня, В датчике в качестве материала с 20 Таким образом, повышается точность изме- эффектом просветления при фиксирован- рения унаса ТЗЛ, производительцость конной температуре йспользовац фторопласт. троля за счет выполнения специальныхНа фиг. 1 иабражец датчик, введенный выемок, заполненных материалом с эффектом просветления. Если в качестве такогоДатчик для измерения скорости уноса 25 материала...

Номер патента: 1770860

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Черний

МПК: G01N 21/88

Метки: зрительной, оптических, поверхности, трубы, чистоты, элементов

...содержит обьектив 1 и окуляр 2,Пусть на поверхности линзы объектива 1 имеется инородная частица 3 штриховой формы, а на поверхности линзы окуляра 2 инородная частица 4, Освещают объектив 1 зрительной трубы осветителем 5, содержащим лампу б накаливания, конденсорную линзу 7 и сменную диафрагму 8. Диафрагма 8 представляет собой пластину, в которой выполнен ряд сквозных отверстий различного диаметра например 0,01 мм, 0,05 мм, 0,1 мм, Диафрагму можно перемещать относительно оптической оси осветителя и тем самым регулировать величину точечного источника света, Осветитель 5 закреплен посредством скользящей посадки на направляющем стержне 9. что позволяет изменять положение осветителя относительно оптической оси зрительной трубц,Осветитель 5...

Номер патента: 1771532

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Махров, Синенко

МПК: G01N 21/88

Метки: поверхности, чистоты

...55 воды и температуры нагрева воды. Сохраняя горизонтальное положение магнитного диска, переносят его к фотоэлектрическому блескомеру ФБ, Поверхность магнитного диска с водной пленкой помещают в камеру, внутри которой с одной стороны расположен источник света, а с другой - фотоэлемент, улавливающий свет, отраженный от контролируемой поверхности магнитного диска, покрытой водной пленкой, Площадь поверхности магнитного диска. находящейся внутри камеры и одновременно контролируемой фотометром, равна 700 ммг. В случае применения камеры больших размеров возможен одновременный контроль чистоты поверхности всего магнитного диска с одной или двух сторон. Определяют значение коэффициента отражения света от контролируемой поверхности...

Номер патента: 1775652

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Кузнецова, Малков, Радул, Степанов

МПК: G01N 21/88

Метки: датчик, теплозащитного, толщины

...точности измерения толщины теплозащитного материала. Датчик работает следующим образом.Под действием высокой температуры теплозащитный материал 8 разрушается и уносится.По достижении уровня И через пару волоконных световодов, передние торцы которых расположены на уровне 1, излучениедостигает светофильтров 2 и 4, проходитчерез них и падает на фотоприемники 3 и 5соответственно.С фотоприемников 3 и 5 электрическиесигналы Э 9 и 3поступают на вход блокаконтроля толщины 6 и блока измерения температуры 7,В блоке 6 сигналы суммируются, в блоке7 логарифмируются их отношения,Момент срабатывания фотоприемников3 и 5 идентифицируются с уносом теплозащитного материала на величину, равнуюразнице уровней о. Одновременно с разрушением и уносом...

Номер патента: 1778649

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Ковтонюк, Костюк, Спиридонов

МПК: G01N 21/88

Метки: вероятностных, поверхностей, рельефа, свойств, шероховатых

...данные(показаны кружочками), полученные согласно данному способу.Устройство состоит из источника 1 бело го света, конденсора 2, диафрагмы 3. объектива 4, монохроматора 5, Фурье-объектива 6, испытуемого образца 7, зеркала 8 с отверстием в центральной части, фотоприемника 9 для измерения нерассеян ного светового потока, объектива 10 и фотоприемника 11, измеряющего рассеянный световой поток.Способ реализуется следующим образом.15 Сходящаяся волна монохроматическогосвета от источника 1, сформированная с помощью конденсора 2, диафрагмы 3, монохроматора 5 и объективов 4 и б, освещает испытуемый образец 7. При отражении от 20 образца 7 (или при прохождении через образец) световая волна претерпевает случайные фазовые возмущения, которые...

Номер патента: 1780583

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Валин, Ершов, Малыгин, Потапов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, оптико-электронного, поверхностных

...(фиг, мирует информационный видеосигйад ЧЗ,1), Устройство оптико-электронного контро однозначно отображающий оптическое изоля поверхностных дефектов содержит ис- бражение поверхности. В каждом периодеточник 1 света,: освещающий сканирования видеосигнал ЧЯ поступает наконтролируемую поверхность 2. последова- вход дифференцирующего звена 4, выполтельно соединенные линейно-сканирую-. ненного на операционном усилителе, с выщую камеру 3 с линейным массивом;25 хода . которого полученныйфотоприемников, дифференцирующее зве- дифференциальный сигнал дЗ поступает нано 4; второе звено 5 выпрямления, блок 6 входзвена 5 выпрямления, реализованногоопределения отклонений информационного по стандартной схемотехнике на операцисигнала от базового...

Номер патента: 1783394

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Занадворов, Лебедева, Норматов, Пирозерский, Серебряков

МПК: G01N 21/88

Метки: качества, кристаллов, оптический

...лазерного излучения. сталлом. Измерение сигнала разности поЭОДиФГЭеозникаютвследствиеквад- тенциалов на обкладках конденсатора приратичной нелинейности, допускаемой 20 воздействии светом в различных кристаллокристаллическими классами, в которых от10 20 результаты конкретных примеров контроля, 25 30 на вход стробЬскопического осциллографа 357; на другой его вход поступает сигнал от днюю грань кристал а (у-срез) устанавлива определяется для разных кристаллографи ческих направлений, 0 качественных характеристиках кристаллов судят по.эталонным зависимостям в сравнении с полученными кривыми, форма зарегистрированного сигграфических направлениях дает возможность определить все компоненты тензора нелинейной восприимчивости, что позволяет судить...

Номер патента: 1786406

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Рыбалко

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, отражающей, плоской, поверхности

...существенный признак п.7 формулы. связанный с выполнением коллектора в виде эллипсоида, Ориентация зллипсоида относительно объектодержателя, во-первых, предотвращает экранировку части рассеянного излучения от основного преобразователя, а, во-вторых, обеспечивает возможность облучения всей поверхности объектодержателя. Этой же цели служит и признак, опоеделяющий геометрические соотно цения и взаимное расположение эллипсоида, преобразователя и объектодержателя,На фиг, 1 приведены три варианта схемы облучения поверхности, содержащей дефект, движущимся потоком оптического излучения, причем варианты отличаются соотношением размера дефекта и размера сечения потока излучения,На фиг, 2 приведены осциллограммы, полученные при...

Номер патента: 1796057

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Золотарев, Никитин, Петрушенко, Скулкин, Трифонов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, керамических, материалах, поверхностных, подповерхностных, стеклосодержащих

...исходя из требований чувствительности к исследуемым дефектам. Размеры частиц варьируются в смеси от 0,01 до 50 мкм.Например, при исследовании дефектовстеклофазы используют смесь вольфрамо вых частиц диаметром 0,7 мкм в количестве50 ф/ с частицами диаметром 1,2 мкм в количестве 50 . Толщина металлического порошкового слоя составляет от 0,1 до 300 мкм. Слой наносят в виде смеси металли ческих частиц с органическим связующимна основе ацетона и этилцеллюлозы, После нанесения слоя металлических частиц органическое связующее выжигают, а керамическое изделие спекают в восстанови тельной атмосфере в две стадии; сначалапри температуре 1200 С в течение 1-2 ч удаляют органическое связующее, затем при температуре 1530 С керамика и...

Номер патента: 1800332

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Борзых, Герасин

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностей

...выявлены относительно простым фотоприемником из 35 фотоэлементов, размещенных в линию от центра изображения.Устройство работает следующим образом.Контролируемые изделия 3 устанавливаются в базирующие приспособления 2 транспортера 1 вне зоны контроля. Транспортер 1 непрерывно перемещает их через зону контроля в зону сортировки, Источник 5 света с помощью линз 4 через светоделительный элемент 6 освещает зону контроля, причем освещенные поля двигаются вместе с движением линз 4. Вытянутая форма источника 5 света и, следовательно, освещенных полей обеспечивает их взаимное наложение и непрерывность и равномерность освещения зоны контроля,По мере прохождения изделий через зону контроля пучки отраженного от них света, сформированные линзами 4,...

Номер патента: 1803841

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Архипов, Биргер

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектоскопии, металлических, обработке, поверхностной

...Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 обработку без упрочнения и вскрытия подповерхностных дефектов.П р и м е р. Контролировали качество наплавки шеек коленчатого вала двигателя ЗМЗпроволокой НпЗОХГСА при одновременном термоупрочнении поверхностей шеек. Перед лазерным термоупрочнением (после шлифования) визуальный контроль позволил установить ряд дефектов на поверхностях первых трех коренных шеек. В соответствии с требованиями на приемку вала из ремонта, качество поверхности удовлетворительное, и вал может быть направлен на сборку двигателя в таком состоянии,После лазерной термообработки...

Номер патента: 1806353

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ворушкин, Гринэ, Юндев

МПК: G01N 21/88

Метки: бесконтактного, качества, пластмассовых, электромагнитного

...тарировочный график зависимости ( ) коэффициента поглощения а от прочно- д сти пластмассы Р. Для этого определяют коэффициент поглощения на определенных участках нескольких тарировочных образцов изделия, После этого эти участки нагружают до разрушения и определяют их Сл) прочность, По результатам испытаний тарировочных образцов с разной прочностью устанавливают эмпирическую зависимость между коэффициентом поглощения и прочностью, При определении прочности контролируемого изделия в местах, имеющих плоскопараллельные участки поверхности, его уже не подвергают нагрузке, а опреде1806353 4 8. 1 ляют лишь коэффициент поглощения и по тарировочной кривой для данного материала - прочность на данном участке изделия.Продемонстрируем способ...

Номер патента: 1806354

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Карев, Тюрин, Шилов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, пластин, поверхности, полупроводниковых, фотошаблонов

...2, которое сканируется относительно лазерного пучка, причем плоскость поляризации света параллельна плоскости контролируемого образца, Свет, рассеянный поверхностью, проходит через анализатор 3 рассеянного света. Свет, прошедший анализатор, собирается линзой 4 и направЛяется на щелевую диафрагму 5. Прошедший через диафрагму свет поступает на фотоэлектрический преобразователь 6, где преобразуется в электрический сигнал, Далее сигналпоступает на блок 7 формирования амплитудно-частотной характеристики, Преобразованный сигнал поступает на один из входов компаратора 8 и на вход блока 9 формирования порогового напряжения, который формирует напряжение, пропорцио. нальное медленно флуктуирующему в течение времени контроля образца сигналу...

Номер патента: 1824555

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Автономов, Луков, Седунов, Уздовская, Уздовский

МПК: G01N 21/88

Метки: качества, микросеток

...преобразователь, интерфейс связи с ЭВМ и персональную ЭВМ типа ВМ РС.Во втором режиме производился перенос содержимого очередной строки матрицы в выходной регистр и затем считывание содержимого выходного регистра с тактовой частотой 1 МГц, причем опрос выходного усилителя производился через каждые5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 15 мкс, что обеспечивало накопление сигналов от 16 элементов выходного регистра. Далее сигнал через упомянутый аналогоцифровой преобразователь и интерфейс связи поступал в персональную ЭВМ типа 1 ВМ РС,С помощью 1 ВМ РС осуществлялось адаптивное компарирование сигнала на уровне половины размаха модуляции импульсов, Адаптивность компарирования была предназначена скомпенсировать неравномерности освещения...

Номер патента: 1824556

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Кондратенко, Моисеев, Петров, Степанов

МПК: G01N 21/88

Метки: макроструктуры, однородности, пластин, полупрозрачных, сильнорассеивающих

...для расчета гэфф по соотношениям (2) - (4) величина О считаетсяизвестной, Она слабо зависит от вариацийзаданного технологического режима изготовления материала и может быть достаточно просто измерена на тонком образцеэтого материала. Другая величина - коэффициент А вообще не влияет на гэфф, поскольку она сокращается при подстановке(2) и (4) в формулу (3.Что касается эффективного коэффициента поглощения К, то его величина во многомобусловлена наличием неконтролируемых вкаждом конкретном случае примесей и может сильно меняться от пластины к пластине, что делает необходимым измерение Кдля каждой пластины, С этой целью сигнал0 приемника излучения, пропорциональный энергии пропущенного пластиной излучения при положении пучка в...