Способ изготовления преобразователя давления

Номер патента: 708891

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Ваганов, Носкин

МПК: H01J 27/20, H01J 41/10

Метки: интегрального, полупроводникового, преобразователя, чувствительный, элемент

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, состоящий из монокристалла кремния, в котором сформированы тензочувствительные компоненты, соединенные лежащими на одной поверхности кристалла токоведущими дорожками между собой и с контактными площадками, к которым присоединены внешние проволочные выводы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения геометрических размеров, на указанной поверхности кристалла выполнены канавки, дно и боковые стенки которых покрыты слоем диэлектрика и в которых расположены контактные площадки, причем глубина канавок превышает диаметр выводов.

Номер патента: 969860

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Ветров, Киселев, Костюкович, Пьянин

МПК: E04F 21/18

Метки: конструкций, ленточных, металлических, несущих, ограждающих, соединения, элементов

...фиг. 3 - сечение В-В на фиг. 2.Устройство состоит из корпуса 1 на котором установлена Фиксирующая головка 2 с верхними и нижними вальцующимн роликами 3 и 4, вращающимися от электропривода 5, траверсы б, поддерживающей устройство на прогонах 7, дополнительной вальцующей группы роликов 8 и 9, нижняя пара которых установлена на ребре траверсы с помощью плоской пружины 10, ртутных токосъемников 11 и 12, размещенных на корпусе и соединенных с нижней парой роликов 9 посредствомгибких валиков 13. Нижняя пара роликов 9 состоит из вращающихся электродов 14, выполненных в виде цилиндрическиих втулок с шипами и установленных заподлицо в цилиндрическиеизоляторы 15 и размещенных по обе 5стороны траверсы б на оси 16 вращения,Ртутные токосъемники 11 и...

Номер патента: 1712986

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Чистякова

МПК: H01L 21/34

Метки: механических, перемещений, полупроводникового, преобразователя

...равную величине О зазора. Вторым окислением создают пленку Я 02 толщиной 0,4 - 0,5 мкм, вытравливают окна под щели собоих сторон пластины и травят в них кремний на глубину 1252 мкм.После третьего окисления нэ глубину 0,2 - 0,3 мкм формируют в щелях участки ЯО 2, соотетствующие перемьчкам, и травят кремний с двух сторон пластины до образования сквозных щелей и утоньшенных перемычек толщиной 20+2 мкм. Напылением и1712986 Составитель Е.ПановРедактор А.Долинич Техред М.Моргентал Корректор Э.Лончаковэ Заказ 538 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 фотолитографией формируют...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 1756940

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Добров, Кубышкин, Кушнарев, Лабковский

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, полупроводниковых, преобразователей, силовых, соединения, схем, элементов

...Остальное Дендритная форма (" ежик" ) порошка медного способствует тому, что частицы меди продавливают поверхностную окисную пленку соприкасающихся элементов силовых схем, обеспечивал надежный электрический контакт.В целом, введение в состав известной пасты порошка медного электролитического, состоящего из частиц дендритной формы, с указанным в формуле изобретения соотношением компонентов, повышает ее электропроводность и улучшает теплопроводность. Это обеспечивает снижение контактного электро- и теплового сопротивления, что, в свою очередь, позволяет повысить допустимые токовые и тепловые нагрузки силовых полупроводниковых преобразователей, т. е. реализовать цель изобретения,Для проверки свойств предлагаемой пасты были...