Тензорезистор

Номер патента: 18474

Опубликовано: 30.11.1930

Авторы: Брацлавский, Колчин, Сергеев

МПК: B01D 9/02

Метки: железного, кристаллизатор, кристаллов, купороса, обезвоживаемой, соли

...на которых насажены и вышеописанные мешалки, На другом конце приводного вала установлена шестерня 5, находящаяся в зацеплении с шестернями б и 7, насаженными на противоположном конце валов двух меш ало к, Оба червячных транспортера приводятся в движение одним валиком 8, на котором насажены конические зубчатые колеса 9 и который получает движение от шкива 10, насаженного на консольный конец приводного вала ма; шины.Перед пуском машины в ход необходимо краны 11 и задвижки 12 закрытЬ, Через приемное отверстие 13 желоб а заполняется готовой солью, которую подвергают перемешиванию и действию струи подогретого в калорифере воздуха, просасываемого через машину специально установленным эксгаустером (не показанным на чертеже). Когда высуши....

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 1220475

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Бураков, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич

МПК: G02F 1/35

Метки: затворах, коэффициента, кристаллов, окраски, основе, остаточного, пассивных, поглощения, центрами

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения Kн определяют по формулеKн Al-1lnT-1,где l длина кристалла;A эмпирический коэффициент;T период.

Номер патента: 1295352

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Винокурцева, Воеводин, Морозов

МПК: G02B 6/10

Метки: волновода, кристалла, лития, ниобата, оптического, основе

...поляризуемости) и ксоответствующему увеличению его показателя преломления (ьп 0,3).35Кроме того, салициловая кислота позволяет получить дополнительный полирующий эффект при обработке поверхности кристалла в ее расплане, чтоприводит к уменьшению оптических потерь в волноводе до значенийкй дБ см,Выбор нижней границы температур-,ного интервала, в котором проводитсяобработка в расплаве салициловой кислоты, определяется температурой плавления кислоты (Т= 159" С); верхняяграница этого интервала определяетсятемпературой кипения кислоты (Т= 211"С). Выбор времени обработкив расплаве салициловой кислоты определяется тем, что при с 1 мин положительный эффект практически не заметен, а при с60 мин параметры ужесформированного волновода...

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.