Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства

С 00 З СОВЕ ТСКИХ СОИЛЛИСТИГ СКИ РГ СПУЬЛИК ИЕ ИЗОБРЕТЕ П юл, (Ф 31Я.М.Беккер, А,А.Заколдаев и иС,кн,2. - и И 63. 487,повышение надежо постоянного запоза счет выявления ых ячеек памяти. программируемого ющего устройства щим образом. Незапрограммир минающих устройств ветствие статичес параметров(напряже требления, время сч и др.) требованиям ской документации норм схемы бракуют ГОСУДЛРСТВГ ННЫЙ КОМИТВТПО ИЭОБРГТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(56) Технология СБИС под редММир, с 425-426, 1986.Руководство по эксплуат021-03 Д.(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении постоянных запоминающих устройств на полупроводниковой элементной базе. Цель изобретения -ности программируемог минающего устройства потенциально ненадеж Способ контроля постоянного запомина осуществляется следуюованные схемы запопроверяются на соотих и динамических ние питания и ток потывания информации нормативно-техничеПри отклонении от я, Годные схемы с деЯ 3. 1672 сн 5 б 11 С 29/00, 11/4(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке надежных запоминающих устройств, Цель изобретения - повышение надежности программируемого постоянного запоминающего усторойства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти, Поставленная цель достигается за счет того, что после измерения статических и динамических параметров ячейки памяти устройство подвергают воздействию электрического тока в режиме программирования при амплитуде импульсов программирования, равной 6,0 . 0,3 В,фектными ячейками памяти(ячейки памяти, которые вышли из строя на стадии изготовления схемы) и с потенциально ненадежными ячейками памяти (например, плавкие перемычки с эауженной рабочей областью, которые могут разрушиться после многократных циклов считывания) поступают на операцию повышенного по сравнению с рецептом считывания воздействия электрического тока на ячейку памяти. Эту операцию проводят в режиме программирования, но отличающуюся от него пониженным значением напряжения амплитуды импульсов программирования и равным 6+ 0,3 В. Это напряжение амплитуды импульсов было определено экспериментально. Для этого микросхемы устройства подвергают режиму программирования с изменением амплитуды импульсов программирования от минимального значения до значения, при котором количество потенциально ненадежных ячеек резко возрастает.1612531 Составитель Б ВенковТехред М.Моргентал Корректор С.Черни Редактор В Ьугренкова Заказ 2844 Тираж 329 ПодписноеВПИИПИо.,ударсгвенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Прои нпд,о.нно издательский комбинат "Пагент", г Ужгород ул Гагарина 101 Постоянно уменьшая амплитуду импульсов, было установлено оптимальноеэначен": 6,0 + 0,3 В,При повышенном воздействии на ячейку памяти по сравнению с режимом считынания током, ячейки памяти с залуженнойплощадью плавкой перемычки разрушаются в отличии от ячеек памяти с нормальным,беэ отклонения сечением, которые сохраняют свою работоспособность. 10После режима поввшенного воздействия проводят выявление дефектных ячеекпамяти в режиме считывания и по результатам их разбраковывают.Способ позволяет повысить надежность постоянных программируемых запоминающих устройств за счет выявленияпотенциально ненадежных ячеек памяти инайдет широкое применение в производст 20 ве надежных ИС большой плотности компоновки.формула изобретения Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства, включающий измерение статических и динамических параметров, выявление дефектных ячеек памяти устройства в режиме считывания информации, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что,с целью повышения надежности программируемого постоянного запоминающего устройства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти устройства, после измерения статических и динамических параметров ячейки памяти, устройство подвергают воздействию электрического тока в режиме программирования при амплитуде импульсов программирования (6,0 + 0,3) В.