G11C 7/14 — управление резервной ячейкой; генераторы опорного напряжения для усилителей считывания

Генератор цилиндрических магнитных доменов

Загрузка...

Номер патента: 720506

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Новиков, Чиркин

МПК: G11C 7/00, G11C 7/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...аппликация 2, гальванически связанная с доменопродвигающей пермаллоевой аппликацией 3, расположенной в канаде продвижения ЦМД, пермаллоевая токовая шина 4, гальванически связанная с основной и доменопродвигающей аппликациями 2 и 3, и дополнительные пермаллоевые аппликации 5,Генератор ЦМД функционирует следующим образом. В соответствии с фазовой диаграммой по токовой шине 3 пропускается растягивающий импульс тока, с помощью которого вдоль шины вытягивается конец зародышевого домена вплоть до его за. крепления на притягивающих полюсах доменопродвигающей аппликации 3, пересекае. 5 15 29 И 36 35 46 мой токовой шиной. Закрепление конца зародышевого домена происходит при направлении вращающегося магнитНого поля, близком к направлению ОА...

Параметрический источник опорного напряжения для оперативного запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 1679548

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Игнатьев, Кошманов, Михайлов, Мызгин, Протасов

МПК: G11C 7/14

Метки: запоминающего, источник, оперативного, опорного, параметрический, устройства

...равно сумме напряжения питанияи падений напряжений на резисторах 4 и 7и эмиттерных переходах транзисторов 6, 13и 14,Базовый потенциал транзистора 10 через последовательно включенные эмиттерные повторители на транзисторах 10 и 15 с соответствующим смещением поступает на выход 18. Если пренебречь базовым током транзистора 15, током выхода 18 и отклонением от единицы коэффициентов передачи эмиттерного тока транзисторов 13 и 14,эмиттерные токи у транзисторов 13 и 15 и у транзисторов 10 и 14 можно считать соответственно равными, В данных условиях, если транзисторы 13,15 и 10, 14 имеют одинаковое конструктивное исполнение, с минимальной погрешностью буЬет справедливо равенство напряжений на эмиттерных переходах транзисторов 13 и 15 и...