Подложка для гибридного запоминающего устройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК НИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ПИ К АВТО Я.Волкова 4, с. 13. 8, с. 58.ОГО ЗАПО числител ьэовано ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР МУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) ПОДЛОЖКА ДЛЯ ГИБРИДНМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА(57) Изобретение относится к вной технике и может быть испо Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных запоминающих устройств с высокой степенью интеграции,Цель изобретения - повышение надежности функционирования гибридного СЗУПВ, смонтированного на диэлектрической подложке,На чертеже представлена подложка, на которой размещены кристаллы запоминающего устройства большой информационной емкости.На подложке 1 расположены кристаллы БИС ЗУ 2. В зоне расположения углов кристаллов в подложке выполнены компенсирующие отверстия 3, радиус которых равен ширине свободной зоны закрепленных кристаллов БИС ЗУ 2, Под собственной зоной кристаллов БИС ЗУ понимаются участки кристалла, которые не содержат элементов схем и которые предназначенц для скрайбирования, т.е, разделения шайбы на от 5 Ц 164252)5 6 11 С 11/40, 5/О технологии изготовления гибридных запоминающих устройств с высокой степенью. интеграции, Целью изобретения являетея повышение надежности функционирования гибридного запоминающего устройства, Цель достигается за счет того, что в подложке в зоне расположения углов кристаллов бескорпусных блоков памяти выполнены отверстия, радиус окружности которых равен ширине свободной эоны закрепленного кристалла бескорпусных блоков памяти. 1 ил. делные кристаллы. Критерием выбора радиуса отверстий является ширина свободной зоны кристалла. Если радиус отверстий выбрать больше ширины свободной зоны, то над отверстием в поле неоднородных термомеханических напряжений окажутся рабочие участки кристалла и характеристики запоминающих элементов изменяются. На подложке 1 расположены контактные площадки 4 и 5, Токоведущие шины (токо- проводники).не обозначены, чтобы не загружать чертеж излишней информацией,На подложке (например керамика 22 ХС размером 30 х 48 мм) с помощью ультразвукового сверления (в качестве среды использовалась вводная суспензия порошка карбида кремния) выполнили отверстия круглой формы диаметром 0,8 мм, Бескорпусные БИС ЗУ серии 537 РУ 1, имеющие габаритные размеры 3,5 х 3,5 мм и ширину свободной зоны 0,3-0,4 мм, крепили к подложке клеем ВКс наполнителем (нитрид бора). Затем БИС ЗУ электрически соединя. Маковская Техред М.Моргентал Корректор М. Пожо едакто аз 1151 Тираж 351 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 бинат "Па, г, Ужгород, ул.Гагари роизводственно-издательский ли с контактными площадками 4 на подложке, на которой выполнены токопроводящая система и контактные площадки 5 для соединения с выводами корпуса. Экспериментальные образцы были помещены в камеру ТВК - 2 в количестве 18 шт. и подвергнуты испытаниям в экстремальных условиях (при температуре+125 С и -60 С). В ходе испытаний ни одна микросхема не отказала.Преимущество предлагаемой подложки для гибридного запоминающего устройства большой информационной емкости заключается в том, что при его функционировании в углах кристаллов БИС ЗУ не возникает термомеханические напряжения, отсутствует явление. деградации, а следовательно, повышается надежность функционирования гибридного запоминающего устройства, смонтированного на такой подложке.Формула изобретенияПодложка для гибридного запоминаю 5 щего устройства с размещенными на нейкристаллами бескорпусных блоков памяти,содержащая токопроводники и контактныеплощадки, электрически соединенные сбескорпусными блоками памяти, о т л и ч а 10 ю щ а я с я тем, что, с целью повышениянадежности гибридного запоминающего устройства, в подложке в зоне расположенияуглов кристаллов бескорпусных блоков памяти выполнены отверстия, радиус окруж 15 ности которых равен ширине свободнойзоны закрепленного кристалла бескорпусных блоков памяти,
СмотретьЗаявка
4454167, 15.04.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5308
БЕККЕР ЯКОВ МИХАЙЛОВИЧ, БАЙКУЛЕВ ХАЛИС ХИСАЕВИЧ, ВОЛКОВА РЕГИНА ЯКОВЛЕВНА, ТАРАСЮК ВИКТОР ЕФИМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40, G11C 5/04
Метки: гибридного, запоминающего, подложка, устройства
Опубликовано: 15.04.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1642523-podlozhka-dlya-gibridnogo-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Подложка для гибридного запоминающего устройства</a>
Предыдущий патент: Накопитель для ассоциативного запоминающего устройства
Следующий патент: Постоянное запоминающее устройство с коррекцией ошибок
Случайный патент: Запоминающее устройство с самоконтролем