Байкулев

Номер патента: 1642523

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Байкулев, Беккер, Волкова, Тарасюк

МПК: G11C 11/40, G11C 5/04

Метки: гибридного, запоминающего, подложка, устройства

...ширина свободной зоны кристалла. Если радиус отверстий выбрать больше ширины свободной зоны, то над отверстием в поле неоднородных термомеханических напряжений окажутся рабочие участки кристалла и характеристики запоминающих элементов изменяются. На подложке 1 расположены контактные площадки 4 и 5, Токоведущие шины (токо- проводники).не обозначены, чтобы не загружать чертеж излишней информацией,На подложке (например керамика 22 ХС размером 30 х 48 мм) с помощью ультразвукового сверления (в качестве среды использовалась вводная суспензия порошка карбида кремния) выполнили отверстия круглой формы диаметром 0,8 мм, Бескорпусные БИС ЗУ серии 537 РУ 1, имеющие габаритные размеры 3,5 х 3,5 мм и ширину свободной зоны 0,3-0,4 мм, крепили к...