Патенты с меткой «запоминающая»

Страница 2

Запоминающая ячейка для аналогового накопителя

Загрузка...

Номер патента: 517053

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Егоров

МПК: G11C 27/02

Метки: аналогового, запоминающая, накопителя, ячейка

...1, элемент сравнс.ния 2, инвертор 3, апериодическое звено 4, ключи5 - 11, логический элемент "И" 12, нстопщкн сину.соидального и пилообразного напряжения 13 и 14 ишины управления с напряжепимнОп,ОП +О - О,Х,У,Е,. Ячейка работает следующим образом, 3Напряжение выхода элемента 2 отрицательно, если пилообразное напряжение по абсолютной величине меньше полояапельного напряжения выхода интегратора 1. При нх равенстве сигнал на выходе элемекта 2 становится положительным до конца периода, До этого момента ключи 6, 9 заперты, и интегратор 1 не управляется от звена 4, а звено 4 управляется синусоидальным напряжением через ключи 7, 8, После этого момента ключи 7, 8 зепи.раются напряжением выхода элемента 2 и отрицательным напряжением выхода...

Запоминающая ячейка для регистра сдвига

Загрузка...

Номер патента: 519762

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Золотаревский, Некрасов, Сидоренко, Ткачук

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающая, регистра, сдвига, ячейка

...через малое внутреннее сопротивление генератора первых тактовых импульсов. Прп этом уровень О на информационном входе 8 схемы не влияет на состояние триггера, Уровень 1 может открывать транзистор 6, однако, первый диод 13 ограничивает ток потребления от генератора вторых тактовых импульсов при открытом первом переключающем транзисторе 2, что исключает ложпь.е срабатывания схемы при записи информации,519762 Составитель Г, Веременкоедактор И. Грузова Текред А. Каиышникова Корректор Т. Добровольска Изд.1430Государственног по делам пзо3035, Москва, 71( Тираж 723 комитета Совета Минпст бретений и открытий 35, Раушская иаб., д. 4 аказ 1556/17ЦНИИП Подп испоСССР нпография, пр. Сапунова 1)СЛП Н 2 Г)Ерву)О ТЯКТОВ) Ю Шипу 10 ГдГ)Н...

Запоминающая ячейка для регистра сдвига

Загрузка...

Номер патента: 519763

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Зуб, Маленцов, Семенович

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающая, регистра, сдвига, ячейка

...питания дополнительное напряжение на затвор зарядного транзистора 1. При наличии на входе 9 логической единицы и на шине 10 импульса питания транзисторы 1 и 2 открываются и на выход 16 первого каскада ячейки передается логическая единица. После окончания действия импульса на шине 10 транзистор 2 закрывается и на емкости выхода 16 хранится логическая единица. При поступлени;л импульса на шину 13 питания, разрядный транзистор б открывается, емкость выхода 15 ячейки разряжается на шину 14 нулевого потенциала и на выходе 15 устанавливается логический нуль (напряжение меньше порогового напряжения МДП-транзистора). С приходом импульса на шину 11 питания конденсатор 8 передает на затвор транзистора 4 дополнительное напряжение,...

Логическая запоминающая ячейка

Загрузка...

Номер патента: 520586

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Балашов, Куприянов, Петров

МПК: G06F 7/00

Метки: запоминающая, логическая, ячейка

...который обу.славливает появпение другого сигнала либона шине 4, либо на шине 5 в зависимостиот хранимой информации. При записи новойинформации сигнал подается одновременноне шину 2 и на одну из шин 4 ипи 5. Присчитывании постоянной информации сигналподается одновременно на шину 2 и одну.из шин 3,Реализация логических операций междувходной переменной и, оперативнойинформацией происходит при подаче управляющихсигнапов на эпеченты "Иф 6 - 9 и сигналана шину 2. Вид логической операции определяется набором управляющих сигналов.Обозначим через двоичные переменные:- состояние элемента памяти, 5 - сиг-,нап на единичном, а 5 - сигнал на нулевом входе элемента памяти, появляющиесяна разрядных шинах при реализации логи. ческих операций, Е -...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 522521

Опубликовано: 25.07.1976

Автор: Фаткулин

МПК: G11C 11/061

Метки: запоминающая, матрица

...сердечники на верхней стороне основания, затем при переходе на другую стороаа ну смещается на один ряд вниз, потом надва ряда в том же направлении, далее - наОдин ряд в протлвополокном напряшинии инаконец, - на два ряда (вниз) в первоначальломнаправлеции. Затем прошивка повторяется снова, начиная с первого шага. Другая часть обмотки 6 прошита аналогично,т. е. проходит через смежный ряд на верхней стороне основания, при переходе надругую сторону смещается на один рядвверх,потом - на два ряда в противоположном направлении, далее - на один ряд в том женаправлении и, наконец, на два ряда вниз иснова повторяется, Клеммы 7 и,8 обеих позовин объединяются и используются для подключения формирователя тока запрета, клеммы 9 и 10 используются...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 525156

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Балашов, Куприянов, Петров

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающая, матрица

...подключен к адресной шине 2 данной числовой линейки, а второйк шине считывания постоянной информацииЕсли в данном разряде хранится "0" постоянного числа, то к логическому элементу И 7 подключена, например, разрядная шина 3, если "1; - то разрядная шина 4.При записи информации в матрицу подаются сигналы на одну из адресных шин 2, разрядные шины 3 и 4 и шину считывания оперативной информации 6. Если в данный разряд записывается единица, то сигнал поступает по разрядной шине 4 через логичес кий элемент И 5 в элемент памяти 1. При этом элемент памяти был в единичном сос)тоянии, то изменение его состояниянепроисходит, Если элемент памяти был в нулевом состоянии, происходит изменение его состо яния на противоположное.При записи нуля в...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 527743

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающая, матрица

...ериалов в реЦелью изобретения является расширение обласрименения запоминающей матрицы. у ни Государственный комитет Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий10 Параметры магнитных слоев выбраны таким образом, что при намагничивании слоя 8 внешним полем, направленным вдоль участков элементов памяти АВ - ДС, ЕР - ММ, размагничивающее поле этого слоя больше поля насыщения магнитомягкого материала, а магнитный поток слоя 8 полностью замыкается через слой б.Матрица работает следующим образом.Запись информации осуществляется с помощью блока, намагничивающего элементы памяти матрицы в соответствии с заданным кодом и выполненного в виде отдельного устройства, например, блока магнитных головок. При записи "нулей" под действием поля,...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 532133

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Беккер, Якобсон

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...изобретения явлеятсяплотности записи информации. В оп запоминающеи матрице это достигается тем,что в ней кипер выполнен из изоляционныхшайб, расположенных на ЦМП, торцы шайбпокрыты ферромагнитной пленкой с немаг 5 нитным зазором,На фиг. 1 показана описываемая матрица;на фиг. 2 - кипер.Описываемая матрица содержит ЦМП 1,разрядные шины 2, на которые нанесены0 ЦМП, адресные обмотки 3, охватывающиеЦМП, и изоляционные шайбы 4 с магнитным покрытием на торцах, расположенныхмежду адресными обмотками. Шайба выполнена из изоляционного материала с отверстием, имеющим диаметр, достаточный для свободного прохождения ЦМП, Торцы шайбы покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором а, необходимым для уменьшенияиндуктивности разрядных шин....

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 533986

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов, Яценко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...киперами 2.Такая матрица характеризуется малой технологичностью,Цель изобретения - повышение технологичности запоминающей матрицы.Это достигается тем, что в предлагаемую запоминающую матрицу введены гофрированные листы изоляционного материала, образующие в одной плоскости параллельные друг другу трубчатые отверстия, в которых расположены разрядные проводники с ферромагнитной пленкой, адресные проводники и магнитные киперы расположены на внешней поверхности гофрированных листов изоляционного материала. На фиг. 1 показана предлаганающая матрица; на фиг. 2 - сечна фиг. 1; на фиг. 3 - матрицана фиг. 4 - то же, общий вид.Запоминающая матрица содержит разрядные проводники 1 с ферромагнитной пленкой 2, помещенные в расположенные в одной...

Запоминающая ячейка для регистра сдвига

Загрузка...

Номер патента: 533991

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Золотаревский, Некрасов, Сидоренко, Ткачук

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающая, регистра, сдвига, ячейка

...на шину 9 тактовых импульсов уровня 1, транзисторы 1 - 5 образуют триггер, так как открывается транзистор 5 управления и замыкает цепь обратной связи.Одновременно открывается транзистор 6 и передает информацию на затвор транзистора 8. Уровень О на входной шине 12 не влияе0 на состояние триггера.533991 Формула изобретения Составитель В. фроловТехред 3. Тараненко Редактор И, Грузова Корректор А, Галахова Заказ 2268/17 Изд.1694 Тираж 723 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К, Раушская наб., д, 45Типография, пр. Сапунова, 2 С подачей уровня 1 открывается транзистор 8, однако, ток через узел записи не протекает вследствие того, что на истоке транзистора 8 действует...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 546934

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Акинфиев, Гришечкин, Рутковский

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающая, матрица

...сокращается количество цепей записи-считывания и повышается быстродействие матрицы.5 На фиг. 1 и 2 показана конструкция предлагаемой запоминающей матрицы.Запоминающая матрица содер диэлектрической подложке 1 пласти агнитоодноосного материала с ЦМ 2, О на которых расположены регистр изферромагнитных аппликаций 3 и магниторезистивные датчики 4, Вокруг подложки 1 с чипами 2 вдоль каждого столбца матрицы располагаются катушки управления 5, а вдоль каждой строки матрицы - катушки управления 6. Генераторы доменов 7 объединены последовательно в цепь записи 8, а магниторезистивные датчики 4 объединены последовательно в цепь считывания 9.При подаче сдвинутых по фазе и меняющих свою полярность импульсов тока в пару ортогональных катушек 5, 6 в...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 557416

Опубликовано: 05.05.1977

Автор: Фаткулин

МПК: G11C 11/063

Метки: запоминающая, матрица

...обмотки считыванияи запрета, в таких матрицах можно прошиватьтолько поочередно, например, сначала прошиваютобмотку запрета, затем обмотку считывания. Трука считывания 4 в глолнена из полуобмоток 4 и НА, а обмотка запрета 5 - из полуобмоток 5 и 5, Иолуобмотки 4, 4, 5 и 5 л проложены папаллельно одна другой на всех участках пропив.ки., также параллельно координатным обмоткам . б ,олуобмотки 4,Й 4 соединены встречно и обра,дИэуют обмотку, пронизывающую все сердечникинматрицы. Полуобнотки 5 и 5" соединены соглас.но и образуют обмотку, также пронизывающую все сердечники, Клеммы полуобмоток 4 и 4 яв- Ю ля ются выходными клеммами обмотки считывания и подключены ко входам дифференциального усилителя считывания (на чертеже не показан), Клем.мы...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 560257

Опубликовано: 30.05.1977

Автор: Эйнгорин

МПК: G11C 11/34, G11C 5/02

Метки: запоминающая, матрица

...сл окисла кремния; 14 в сл нитрида кремния.Запоминающая матрица работает следующим образом.Если на избранный запоминающий элемент должна быть проведена запись или чтение, то на все адресные шины 7 и 8, соединенные с дополнительными электродами данного запоминающего элемента, одновременно подаются однополярные импульсы соответственно Унср или 1/сч. Если данный запоминающий элемент не является избранным, то либо все Л выводов дополнительных электродов, либо 1 - а заземляются заземлением соответствующих адресных шин 6, 9. В последнем случае образуется емкостный делитель напряжения, в результате чего на элекгроде наводится напряжение, равное нулю или сс/Й от +.анар или с счПри записи вывод управляющей шины 5 заземляется и работа элемента не...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 571830

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Варшавский, Эйнгорин

МПК: G11C 11/34, G11C 5/02

Метки: запоминающая, матрица

...р-и переходы с лавинным пробоем,которые через резисторы 15 соединены со второйуправляющей шиной 16, Съем считанной информации осуществляется с разрядной шины 17,Вольтфарадная характеристика участка диффузионная область 15 - окисел 2 - ингрид 3 электрод 4 имеет вид петли гистерезиса (фиг, 3) .При подаче на электрод 4 относительно диффузионной области 14 импульса напряжения Чпор емкость участка изменится по кривой а - б и послеснятия напряжения емкость останется на уровнеСьацсс, соответствующем логической единице; приподаче - Чпор емкость изменится по кривой в - г иостанется на уровне Смин, соответствующем логи.ческому нулю,При подаче импульсов, амплитуда которых -ЧУ С Ч ( Чо, величина емкости будет обратимоизменяться соответственно...

Ассоциативная запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 615543

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Абрамова, Попова

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...И-НЕ 4 и 3 и один из входовэлементов И-НЕ 5 и 6 подключены ко в 4 о дам 7 и 8 элемента памяти 1, Вторые итретьи входы элементов И-НЕ 3 и 4 соединены соответственно со входами 9 и ДОэлемента памяти 1, а выходы со входамитриггера 2. Выходы триггера 2 подключены к другим входам элементов И-НЕ5 и 6, выходы которых соединены с выходом 11 элемента памяти 1,Входы 7, 8, 9.элементов памяти 1,принадлежащих одному столбцу матрицы, ЗОподключены соответственно к информационным шинам опроса 12, 13 и шинамразрешения записи по столбцу 14, а вхэды .10 и выходы 11 элементов памяти 1соединены соответственно с шинами раэ- ЗЗрешения записи по строке 15, и с шинами результата опроса 16;Шины 12 - 14 подключены к входному блоку 17, шины 15 16 - к...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 641496

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Алексеев, Журавлев

МПК: G11C 11/061

Метки: запоминающая, матрица

...ферритовые сердечники 1, прошитые обмоткой считывания 2, проложенной вдоль одной из координат без перекрестий на поле матрицы, координатными проводами 3 (адресно-разряднымн проводами). Одни ферритовые сердечники 1 четных и нечетных столбцов матрицы прошиты одними координатными проводами, другие ферри говые641496 формула изобретения ажа 11 Голнисноу Проектная, 4 3сердечники нечетных столбцов - последующими координатными проводами, а сердеч. ники четных столбцов - предыдущими координатными проводами и координатными проводами 4 (адресными проводами), проложенными прямымн отрезками.Предложенная запоминающая матрица функционирует также, как и известные с параллельной прокладкой обмотки считывания и адресно разрядных проводов. Взаимное...

Запоминающая ячейка

Загрузка...

Номер патента: 711633

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Венцель, Жучков, Коростелев, Крупский, Набокин, Шмелева

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...1 и 1 (см. фиг. 2). В результатеБ0 МД 8 переместится из положения Дв С под действием градиентов полей,создаваемых током в шинах и намагничиваемой аппликацией. Домены 9-11, на 35ходившиеся в положениях Д 2- Дч останутся на своих местах. В самом деле, лишьдомен 9 временно сместится под действием тока 1 в положение А, но по4 Оокончании импульса тока он вернется вближайшую ловушку - положение ДНадлежащим выбором геометрии аппликаций и размеров наконечников, нетруднодобиться того, чтобы домены из положений А и В переместились в устойчивыебез наложения дополнительных управляющих импульсов тока в шинах, Это является необходимым условием функционирования предложенной ячейки без разрушения0записанной информации. На практике может оказаться...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 752475

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Гермаш, Кудренко, Мартынюк, Самофалов, Сидоренко, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающая, матрица

...управляющими электродами 6 и 8 заполяризовапа постоянно, а под управляющими электродами 7 и 9 поляризация пластины может изменяться в зависимости от записываемой информации.Запись информации осуществляется подачей импульсного напряжения поляризации соотвстствующей полярности и длительности на управляющие шины, например шину 19. Шина 17 подключается к общей точке матрицы, На все остальные шины в режиме записи подаются напряжения, исключающие ложную запись в невыбранных элементах.При считывании информации напряжение считывания поступает в управляющую шину 16, одновременно с ним в компенсирующую шину 20 подается такое же по форме, но противоположное по знаку напряжение, Шины 17 и 21 подключены к общей точке устройства, В результате...

Запоминающая ячейка

Загрузка...

Номер патента: 803012

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...ловушки. Запись в предварительно очищенную динамическую ловушку производится путем поступления информационного ЦМД на вход б динамической ловушки, где он захватывается глубокой магнитоостатической ловушкой дискообразной аппликации динамической ловушки в дополнительную токовую шину 8. В этом случае импульсный сигнал не подается.Остановимся на процессе записи информации в предварительно неочищенную динамическую ловушку. Допустим, что предварительно в динамической ловушке хранилась логическая переменная У, а на вход запоминающей ячейки подается логическая переменная Х. Рассмотрим возможные сочетания значений переменных Хи ",. При Х =. У = 1 ЦМД переменной Х, испытывая отталкивающее воздействие ЦМД У, отклонится на выход 5 динамической...

Запоминающая ячейка

Загрузка...

Номер патента: 824307

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...принципиальная схема ЗЯ.82430 7 3Предлагаемая ЗЯ содержит магнитоэриоосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены пересекающиеся изолированные УШ 3, магнитосвйзанные с основными 4 и дополнительными 5 ферромагнитными аппликациями, выполненными, например, ромбовидной формы,причем, дополнительные 5 ферромагнитные аппликации соединены со свободными концами основных 4 ферромагнитных аппликаций.Буквами Х и У обозначены входныелогические переменные (ВЛП), а буквами Р, Р, Р и Р,- позиции, которыезанимают ЦМД в ЗЯ при воздействии различных ВЛП.Предлагаемая ЗЯ работает следующим образом.Принимая,что "1" соответствует импульсному сигналу в УШ 3 одной полярности, а "О - импульсному сигналупротивоположной полярности.Под действием...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 824308

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Касаткин, Фиошкина

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...широких каналов 5 продвижения ПМД и магнитосвязвнные с плоской считывающей катушкой 6, выполненной в форме меандра. Ячейку 7 считывания первого регистра пересекает виток 8 считывающей катуш ки 6, ячейки 9 считывания второго регистра пересекает виток 10 считывающейкатушки 6,. ячейки 11, считывания третьего регистра пересекает виток 12 считывающей катушки 6. Каналы 2,3 и 4 ре гистроц соединяются с широкими каналами 4 при помощи разветвителей 13, Канал 2 первого регистра расположен между ячейками 9 считывания второго регистра, каналы 3 второго регистра расположены 20 между ячейками 11 считывания третьего регистра. Витки 8, 10 и 12 считывающей катушки соединены так, что катушка считывания имеет форму меандра.Работа матрицы осуществляется...

Запоминающая ячейка с регулируе-мым коэффициентом накопления

Загрузка...

Номер патента: 851493

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Брятов, Миронов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающая, коэффициентом, накопления, регулируе-мым, ячейка

...содержит постоянныймагнит, расположенный соосно с ферромагнитным сердечником с возможностью перемещения вдоль его оси.На чертеже изображена предлагаемаязапоминающая ячейка, общий вид,Запоминающая ячейка с регулируемымкоэффициентом накопления содержит ферромагнитный сердечник 1 с прямоугольнойпетлей гистерезиса, имеющий тороидальную20 форму, на котором размещаются обмоткизаписи 2 и считывания 3. Последняя подключена к узлу 4 считывания. Ячейка содержиттакже постоянный магнит 5, который распо851493 Формула изобретения Составитель Ю Техред А, ВойкТираж 646 Государственного к ам изобретений и ва, Ж - 36, Раушс Патент, г. Ужгород. Розенталь ас К Редактор Е. ДичинскаяЗаказ 6368/73ВНИ ректор Н. ШвыдкаписноеР ИПИпо дел113036, Мосилиал...

Запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 855731

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Верба, Гермаш, Кит, Кудренко, Мартынюк, Мурзаханов, Самофалов, Сидоренко, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающая, матрица

...пластин, соединенных экранирующими электродами 3. На пластиныпервой группы 1 нанесены разрядныеэлектроды 4, пластины второй группы2 - общие электроды 5. Разрядныеэлектроды 4 расположены на одной изсторон пластин 1 перпендикулярноэкранирующим электродам 3. Такая конструкция позволяет акустически развязать как входные, так и выходныецепи.Если необходимо развязать тольксвходные или только выходные цепи,то предпочтительными являются варианты конструкции, запоминающей матрицы, изображенные соответственнона фиг. 2 и 3,Матрица работает следующим образом.Магнитопьезоэлектрические пластины 2 между общим 5 и экранирующими3 электродами жестко заполяризованы при изготовлении матрицы. За-пись информации осуществляется в сегнетопьезокерамических...

Запоминающая ячейка

Загрузка...

Номер патента: 860133

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...ИЛИ (позиция 8) первого ЛЭ И-ИЛИ и поступают соответственно на второй (позиция 4) и первый (поэиция 8) входы второго ЛЭ И-ИЛИ, Под.действием сил отталкивания ЦМД основнойЦЛ иэ позиции 8 перемещаеся на функци 334ональный выход И (в позицию 9) и далее в позицию 10, а домен дополнительной ДЛ - на функциональный выход ИЛИ ( в позицию 6) второго ЛЭ И-ИЛИ, явля ющиеся вторым и первым входами первого ЛЭ И-ИЛИ соответственно. И так далее. Следовательно, в режиме хранения единичной информации домены основной и дополнительной ДЛ циркулируют в соответствующих ДЛ.Рассмотрим процесс считывания информации из ЗЯ, В момент нахождения ЦМД в позиции 8 основного УПД возбуждается токовая шина Ц в результате чего вне зависимости от состояния ЗЯ в...

Запоминающая мишень

Загрузка...

Номер патента: 884006

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Макаревич, Рубинов

МПК: H01L 31/04

Метки: запоминающая, мишень

...с прозрачным полупроводниковым слоем, светомодулярующнй слой выполнен на основе пленок халькогенндного стеклообразного полупроводннка.В мишени используются пленки из сис.темы Аэ - Б, нлн Аэ - 5 е, нлн нэ смеси, на.- пример,. состава АэеБз, толшнной порядка О мкм, Как нзвестно, в таких стеклах под 20 воздействнем электронного пучка изменяется показатель преломления н коэффнцяент светопропускания, что обеспечивает фазовую н амплитудную запись ннформацни и884006 формула изобретения ИИИПИ Заказ 10244/79Тираж 787 Подписное илиал ППН аПатентэ, г. Ужгород, ул, Проектная возможность ее немедленного считывания оптическим лучом без этапа проявления, на. грев таких стекол по температур - 200 С не вызывает газовыделение, Стирание записанной...

Ассоциативная запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 886051

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Кузнецов, Хлюнев

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...записи по строке и шины 10 результата.Первые входы элементов И-НЕ 3 и 4 и выход элемента И-НЕ 5, принадлежащих одной строке матрицы, подключены к соответствующим шинам 9 и 10.Вторые входы элементов И-НЕ 3 и 4,.принадлежащих одному столбцу матрицы, подключены к соответствующей шине 8, Вход элемента НЕ 6 подключен к третьему входу одноименного элемента И-НЕ 3 и второму входу одноименного элемента И-НЕ 5;а выход - к третьему входу одноименного элемента И-НЕ 4. Входы элемента НЕ 6, принадлежащих одному столбцу матрицы, соединены с соответствующе шиной 7. Шины 7 и 8 соединены с в дным блоком 11, а шины 9 и 10 - с блоком 12 управления.Устройство работает следующим образом.Входной блок 11, в соответствии с микрокомандой, формирует...

Ассоциативная запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 898504

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Абрамян, Жуковская, Иманов, Клдиашвили, Тодуа, Шемягин

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...4 подключены к одним из входов элементаИ-НЕ 5, выход которого является выходом блоке 2, входамн которого являются,другой вход элемента И-НЕ 5 и входыэлементов И-НЕ 3 н НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ 4,43 Матрица работает следующим образом.В режиме записи на соответствующих инФормационной 10 и маскирующей 12 шинах может быть одна из трех следующих комбинаций логических сигналов: ф 3.", "1 - запись с маскированием данного рвзрядочного столбца ф 1 "ф, фО"- запись "1" в элемент ассоциативной пвмяти "О", "1" - запись 0", Кроме того, в этом режиме нв вход элемента ИНЕ 5 всех логических блоков 2 по шине 7 подводится сигнал логической1", который не мешает поступлению резуль 4 4татов сравнения с элементов И-НЕ 3 иНЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ 4, В случае,...

Ассоциативная запоминающая матрица

Загрузка...

Номер патента: 903983

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Абрамян, Андрушкевич, Клдиашвили, Тодуа, Хачатуров, Шабурова

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...в матрицу в . "шахматном" порядке, т.е. с чередованием 1 и "0" как по строкам, так и по столбцам, Данная комбинация позволяет максимально выявить возникшие неисправности.,Запись "шахматной" комбинации в матрицу происходит путем возбуждения нечетных шин 9 и подачи 4на шины 12 комбинации, соответствующей записи чередования "1" и 0 ( 10100), затем возбуждаются четные шины 9, а на шинах 12 комбинация меняется на обратную (010101) . Проверка правильности функционирования.ассоциативной запоминающей матрицы по шинам 11 осуществляется путем подачи четырех комбинаций на шины 12, чередованием "1" и маскирующей комбинации М или "0" и маски (1 М 1 М 1 М), (М 1 М 1 М 1),(ОМОММ)(МОМОО), При правильности функционирования матрицы в тех строках, где...

Запоминающая электронно-лучевая трубка

Загрузка...

Номер патента: 695417

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Акимов, Бобрович, Крутяков, Степанов

МПК: H01J 31/58

Метки: запоминающая, трубка, электронно-лучевая

...выходного тока МКП показали, что если тсчит. / твосст. ) ) 0,10 (от момента записи), то величина выходного тока каналов, выведенных в режиме записи в насыщение, уменьшается в 55 5 и более раз в сравнении с током каналовМКП без предварительной записи.Разница в выходном токе МКП исполь.зуется для формирования считанного сигнала на сопротивлении нагрузки, включен сном в цепь сигнального электрода 5. За, хват выходных электронов МКП сигнальным электродом обеспечивается созданием в области выходная плоскость МКП 8 - электрод 5 ускоряющего электрического 55 поля./ Ъ.Ь Ч одного канала определяется извыражения (2), гдеи=. сале 5(2 г)5Принимая Япред= 1014 Кул,; а= 25,Аз= 02 мм 2 г=40 10 -мм=10 10 -А, 5 = 0,7 и полагая равномерным распределение...

Запоминающая ячейка с регулируемым коэффициентом накопления

Загрузка...

Номер патента: 920836

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Брятов, Миронов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающая, коэффициентом, накопления, регулируемым, ячейка

...электромагнита расположен соосно с тороидальным ферромагнитным сердечником. На чертеже изображена констру длагаемой запоминающей ячейки с руемым коэффициентом накопленияЗапоминающая ячейка с регул коэффициентом накопления содерж идальный ферромагнитный сердеч прямоугольной петлей гистерезиса, тором размещаются обмотки записи тывания 3. Последняя подключена считывания 4. Ячейка содержит так920836 Формула изобретения Редактор В. Бобков Заказ 2355/62 ВНИИПИ Го по дела 113035, Москв Филиал ППП Пасударе м изо а, Ж - тент,3ромагнит, состоящий из сердечника 5, который расположен соосно с сердечником 1, и катушку намагничивания 6.Устройство работает следующим образом.На обмотку записи.2 поступают одиночные униполярные импульсы. Происходит...