Патенты с меткой «запоминающая»

Номер патента: 920841

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Аксенов, Бабанов, Бочков

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...входа.Ассоциативная запоминающая матрица работает следующим образом.Работа матрицы рассматривается на примере выполнения операций поэлементного вы. читания и умножения векторов.1. Операция поэлементного вычитаниявекторов: Х - х; - у.Перед началом выполнения операции элементы вектора х; (уменьшаемые) размещаются в ассоциативных запоминающих элементах 1 (см. фиг. 1), а элементы вектора у., (вычитаемые) в накопителях 3 соответствующих строк матрицы и выбираются перед операцией по адресу и управляющему сигналу, поступающим на, входы 14 и 2 матрицы.Вычитание заключается в прибавлении к уменьшаемым, хранящимся в элементах 1, вычитаемых, от которых взят дополнительный код.Для выполнения данной операции одновременно с подачей на вход 13 сигнала,...

Номер патента: 924754

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Лементуев, Попова

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...шинах 8 и 9 всех остальных маскируемых столбцов при этом присутствуют,сигналы "0" и "0", так как на вторых входах элементов И 11 и 12 этихстолбцов нулевые сигналы,Сигналы с шин 8 и 9 выбранногостолбца поступают на входы схем5 9247528 сравнения ячеек 1 данного столбца.На другие два входа схем 28 сравнения при этом подан взаимно дополняющие сигналы с выходов запоминающих элементов 27 тех же ячеек 1. Врезультате схемы 28 сравнения, реализующие, например, функцию равнозначности (или неравнозначности ,взависимости от кодировки сигналовэлемента 27 ), вырабатывают на шине6 сравнения сигнал совпадения илинесовпадения) кода опроса, поданного на вход 25, с информацией, хранимой в запоминающем элементе 27ячейки 1 данной строки . Эти сигналы через...

Номер патента: 953670

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...в ячейкупамяти используется дополнительнаятокопроводящая шина 6, в которуюподается импульс тока, направленный по часовой стрелке, если в ячейку нужно записать "1", или импульстока, направленный против часовойстрелки, если нужно записать "0".При этом ЦМД 2 в первом случае займет одну из позиций 1-4 внешнегомагнйтного контура, а во второмслучае - одну из позиций 1-4 внутреннего магнитного контура.Считывание информации .из ячейкипамяти может быть осуществлено либо Ж3670 4путем опроса позиции 1 - 4 внешнего контура, либо путем опросапозиций 1-4 внутреннего контура,Во втором случае считывается инверсное значение хранимой информации.Одновременно с выполнением перечисленных функций ячейка памятиможет быть использована для выполнения...

Номер патента: 970469

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Казаченко, Королюк, Костылев, Кузнецова, Романов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...выбран ного запоминающего элемента устанавливается в одно из двух устойчивых Ь 5 состояний, которые соответствуют либо коду "1", либо коду "О",При считывании информации из формирователя тока запоминающего устройства в выбранную числовую шину 1 по". дают импульс тока, создакший магнитное поле, под действием которого вектор намагниченности выбранного запоминающего элемента поворачивается,ми шинами 1 и препятствует распространению магнитного поля выбранной числовой шины 1 на соседние запоминающие элементы, т.е. локализует действие данного магнитного ноля в зоне выбранного 33, Кроме того, при считывании информации часть магнитного кипера 3 образует цепь с наименьшим магнитным сопротивлением для заьыкания магнитного потока выбранного...

Номер патента: 974455

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Збрицкий, Сапежко, Саратовский

МПК: H01J 29/46

Метки: временных, запоминающая, масштабно, преобразователей, трубка, электронно-лучевая

...полного отказа в работе МВП.Цель изобретения - увеличение на дежности преобразования при работе МВП за счет фиксирования потенциала поверхности колбы.Указанная цель достигается,тем, что . в запоминающей ЭЛТ для МВП, содер жащей стеклянную колбу, расположен-. ные внутри колбы сигнальную пластину и коллектор с выводом, с наружной стороны колбы установлен кольцевой электрод, расположенный вблизи торца"коллектора со стороны сигнальной пластины, ширина которого выбрана из соотношения- аОЙ4е. 55где Ь - ширина электрода;1 - расстояние между коллектороми сигнальной пластиной.На фиг, 1 - показано распределение потенциала на поверхности колбы ,ф в известном устройстве; на фиг, 2 то же, в предлагаемом устройстве.В колбе 1 ЗЭЛТ размещены коль цевой...

Номер патента: 1003144

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Лемберский

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающая, матрица, программируемая

...2, На чертеже обозначены информационные входы 3 матрицы, промежуточные шины 4, выходные шины 5. Устройство содержит также инвертирующий МОП-транзистор 6, Зф нагрузочный МОП-транзистор 7, группу нагрузочных МОП-транзисторов 8 и выходные транзисторы 9. На чертеже обозначены также тактирующий вход 10 матрицы и шина 11 питания. 35Программируемая запоминающая матрица работает следующим образом,На входы 3 подают входное слово, в результате чего все транзисторы стоки которых подключены к запрограммированной на данное слово шине 4, запираются и нэ выходе этой шины 4 устанавливается сигнал "1", После этого на тактирующий вход 10 подается сигнал "1", При этом на выходе каждойнечетной из шин 5 появляется сигнал "0", если на пересечении этой шины...

Номер патента: 1005188

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Зрелова, Клдиашвили, Попова

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...триггера 11. Информационные шины 5,6 столбцов и контрольный вход 12 матрицы соединены со входами блока 13 45 свертки по модулю два. Выход 14 блока 13 также подключен к единичному входу 10 триггера 11, выход 15 которого является контрольным выходом матрицы.Матрица работает следующим образомПри выполнении операции записи на адресуню шину 7 подается сигнал логической "1", разрешающий запись через элементы 3 записи в элемент 2 памяти информации, поданной на ин формационные шины 5 и 6, при этом на шине. 8 результата опроса элементы 4 сравнения при правильном функционировании вырабатывают сигнал логического "0". 60В случае наличия одиночной неисправности на входах и выходах всех элементов ячейки 1 элементов 3 записи, элемента 2.памяти и...

Номер патента: 1008789

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Крупский, Куперман

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающая, матрица, системы

...выходной обмотки является недостатком известной матрицы, затрудняющим механизацию и автоматизацию прошивки и увеличивающим вероятность повреждения ближних к перекресгию сердечников.Цель изобретения - повышение надеж-, ности запоминающей матрицы.Поставленная цель достигается тем, что в запоминающей матрице системы 25 Д в каждой К-й адресно-разрядной обмотке прямые провода прошиты через 2 К-е ряды. сердечников, обратные провода - через (2 К+3)-е ряды сердечников, а в каждой (К+1)-й адресно 45 разрядной обмотке прямые проводе пропппы через (2 К+1)-е ряды сердечников, обратные провода - через (2 К+2)-е ряды сердечников (К = 0,2,4,6,82 К, где Я -максимальное аисло адресно-разрядных обмоток) .50На чертеже изображена схема прошивки одного...

Номер патента: 1043744

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Дикарев, Топорков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...Ферромагнитной пленкой например, из пермаллоя), систему двухслоев ортогонально расположенныхметаллических управляющих шин, в местах пересечения которых нанесен запоминающий слой в виде ферромагнитных шин под углом 45 к направлениямоуправляющих шин. В местах перекрытияуправляющие шины и ферромагнитныешины запоминающего слоя изолируютсядруг от друга слоями диэлектрика,Магнитный поток замыкается через шину запоминающего слоя и нанесеннуюна немагнитное основание ферромагнит;ную пленку. Выборка необходимого запоминающего элемента осуществляетсяс помощью управляющих шин по принципу совпадения токов 2 .Недостатком известной матрицыявляется невысокая плотность записи 60информации, что объясняется большимиразмерами запоминающих...

Номер патента: 1112410

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Горин, Курбатова, Соломатин

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...возможность выполнения операций сдвига,а также операции умножения кодов, храняшихся в двух соседних строках, Выполнениеже операции умножения массивов, хранящо шихся в строках матрицы с использованиемдополнительных устройств, значительно увеличивает время выпол нения дан ной операции, что снижает быстродействие устройстваЦелью изобретения является повышениебыстродействия матрицы при выполненииарифметических операций и расширениефункциональных возможностей ее за счетвыполнения операций сдвига и выполненияоперации умножения кодов, хранящихся вдвух смежных строках матрицы.Поставленная цель достигается тем, чтов ассоциативную запоминающую матрицу,содержащую ассоциативные запоминающиеэлементы, состоящие из триггеров, основных...

Номер патента: 1127002

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Беневич, Иванов, Соловьев, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающая, линейка

...направ- .лении, а смежные пары одноименныхадресных отверстий групп прошиты этимже проводником в противоположныхнаправлениях, смежные разрядные отверстия группы прошиты разряднымипроводниками.в противоположных направлениях,На чертеже изображена конструкция предложенной запоминающей линейки.Запоминающая линейка содержитпластину 1 из Феррита с ППГ, в которой выполнены две группы адресных отверстий 2 и группа разрядных отверстий 3,причем центры одноименных адреснькотверстий групп 2, расположены налиниях 4, перпендикулярных продольнойоси 5 пластины 1, а центры разрядныхотверстий группы 3 смещены от середи.ны б расстояний между линиями 4. Адресные отверстия групп 2 прошиты адресным проводником 7 с началом 8 иконцом 9, а разрядные...

Номер патента: 1114237

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Архипов, Павлов, Панин, Саратовский

МПК: H01J 31/58

Метки: запоминающая, трубка, электронно-лучевая

...электронных потоков расположен сигнальный электрод 7, в качестве которого использовано алюминированное покрытие люминесцентного экрана 8 трубки. Слой диэлектрика 6 нанесен на выходные участки каналов МКП 4 со стороны, обращенной к сигнальному электроду 7. ИКП 4 с нанесенным на ее выходную поверх-ность слоем диэлектрика 6 является одновременно усилительным и запоминающим элементом. В качестве диэлектрика использованы высокоамныедиэлектрики с большими значениямиудельного сопротивления (10 Ом,см)диэлектрической постоянной и высокимкоэффициентом вторичной электроннойэмиссии, например, окись магния,хлористый калий и т,д. Слой диэлектрика 6 не перекрывает каналы 5 МКП 4, но находится в непосредственномконтакте с внутренней...

Номер патента: 1193728

Опубликовано: 23.11.1985

Автор: Острась

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающая, матрица

...сердечники 3 нечет. ных разрядов 1 Р, 3 р 5 р, -15 рЗапоминающая матрица работает 15 следующим образом.При считывании информации поодной из обмоток возбуждения 1 иобмоток возбуждения Х протекаютполутоки положительного направления, 20 которые, совпадая, перемагничиваютодин из одноименных ферритовыхсердечников 2 или 3 в каждом .разряде 1 , , 16 р иэ "Единицы" в "Нуль".Во,всех информационных обмотках 25 2 2 при этом наводятся ЗДСсигналов "Единиц" или "Нулей" отпредыдущей записанной информациив матрицу. При записи информациипо этим же обмоткам возбуждения ,3 О Х и Ч протекают полутоки отрицательного направления, которые, сов"падая, на тех же одноименных ферритовых сердечниках 2 или 3 в каждомразряде, перемагничивают их из"нуля" в "единицу"....

Номер патента: 1238149

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Олейник, Толочек, Яблонский

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающая, матрица

...2 боковых стенок изоляционной обоймыи соосные с ними отверстия записи 6 биаксов 3 и поверх боковых стенок и биаксов, причем концы каждого из проводов записи свиты вместе. Провода считывания 8 в каждой изоляционной обойме 1 проложены по сквозным каналам, которые образованы отверстиями считывания 4 биаксов 3, При переходе из одной изоляционной обоймы 1 в другую провода считывания 8 переходят из верхнего (нижнего) слоя одной изоляционной обоймы в нижний (верхний) слой другой изоляционной обоймы, с получением перекрещивания у каждого провода считывания 8 между изоляционными обоймами 1.Биаксы 3, заполняющие сквозные пазы 5,образуют в каждой из них ряд. Зазоры между этими рядами из биаксов гарантируются за счет выполнения сквозных пазов 5 в...

Номер патента: 1095829

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Плотников, Сагитов, Селезнев

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающая, оптоэлектронная, структура

...структуры. Поставленная цель достигается тем, что в оптоэлектронную запоминающую с"руктуру, содержащую полупроводниковую подложку одного типа проводимости, на одной поверхности которой размещены приповерхностные области полупроводника другого типа проводимости, межцу которыми на поверхности подложки расположены слои диэлектрика совстроенным зарядом на приповерхностных областях полупроводника другого типа проводимости размещен слой циэлектрика, общий прозрачный электрод, введены резистивный слой и прозрачные электроды. каждый из которьгх размещен на слое диэлектрика смежных приповерхностных областей полупроВОДНИКа ДРУГГ)ГО тиПа ПРОВОПИМОСЧИт резистиви.лй слой размещен между прозрачными электроцами и общим прозрачным электродом, а...

Номер патента: 1273997

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Болдырев, Крупский, Куперман, Мощинский, Чельдиев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...в выбранной инйормационной ячейке 3.Рассмотрим работу запоминающей матрицы на конкретном примере. Пусть необходимо записать код информации 1 в информационную ячейку ц с координатами ХУ (Фиг.2) . Для записи кода "1" по соответствующему проводнику группы 5 подается импульс тока записи 1 у, а по соответствующему проводнику группы 6 подается импульс тока записи 1 х. Под действием магнит ного поля импульсов тока записи 1 х и 1 у происходит намагничивание ячейки о в состояние, соответствующее коду инормации "1", Для записи кода информации "О" в ячейку о полярность импульсов тока 1 х и 1 у необходимо изменить на противоположную, При чтении инормации изинформационной ячейки р по проводнику группы 5 подается импульс тока 1 у, полярность...

Номер патента: 1275546

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Корнейчук, Марковский, Яблуновский

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...выхода 22этойячейки поступает на вход 19 соответствующей ячейки 1 памяти. В случае,если содержимое ячейки 1, не совпадает со значением первого разрядавходного слова, то сигнал поиска навыходе 22, не формируется, а самаячейка 1, блокируется, При маскировании ячейки 1 памяти сигнал поиска беспрепятственно проходит с ее входов19 и 18 на выходы 22 и 23 и далее наследующую по строке ячейку 1 памяти. Таким образом, сигнал поиска проходит через любую другую ячейку 1 памяти при совпадении ее содержимого со значением соответственно разряда вход з 1275 ного слова и блокируется, в противном случае, при незамаскированном этом разряде. Таким образом, в каждой строке матрицы сигнал поиска распространяется последовательно по ячейкам строки до тех пор,...

Номер патента: 1298798

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Олейник, Толочек, Яблонский

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающая, матрица

...пазам 7. Боковые стенки 3 с отверстиями 4 для проводов 9 записи выполнены в виде прямоугольных планок2 с посадочными отверстиями 13 вдоль их продольной оси. Планки 12 посадочными отверстиями 13 насажены на установочные шипы 1 опорных планок 2 и жестко скреплены с ними, например склеиванием поверхности установочных шипов1 с поверхностью посадочных отверстий 13 или оплавлением выступающих из посадочных отверстий 13 концов установочных шипов1, с образованием Н-образных изоляционных обойм. Биаксы 5, заполняющие сквозные пазы 7, образуют в каждом из них ряд, Зазоры между этими рядами из биаксов 5 гарантируются за счет выполнения сквозных пазов 7 в опорных планках 2 с определенным шагом. При этом зазор между указанными рядами из биаксов...

Номер патента: 1474740

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Чепига, Ященко

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, ячейка

...данных. Опишем более под-.робно работу ассоциативной запоминающей ячейки и блока управления.При поступлении единичного сигна-ла на вход 6 и бита информации навход 8 происходит установка триггера14 в соответствии с битом информации, поступающим на вход 8.Формула изо бре те нияАссоциативная запоминающая ячейка, содержащая первый и второй триггеры, с первого по четвертый элементы И, элемент И-ИЛИ и элемент НЕ, причем выход первого триггера подключен к 55 При поступлении единичного сигнала на вход 5 и бита информации на вход 8 происходит установка триггера 14 в соответствии с сигналом на входе 8. С выхода триггеров 14 и 14сигналы поступают на первый и второй входы элемента И 13, с выхода которого сигнал, соответствующий конъюнкции битов...

Номер патента: 1508281

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Беневич, Иванов, Новиков, Соловьев, Цогоев

МПК: G11C 11/40

Метки: блока, выборочного, замещения, запоминающая, памяти, ячеек

...участков) корректируемых ячеек памяти; в блоки 7 - откорректированную информацию, в блоки 8 - код информации, разрешающий передачу информации в случае необходимости замещения ячейки и не разрешающий передачу информации. 20 Запоминающая система функциони- . рует следующим образом,Во время работы ЭВМ при каждом обращении к ее блокам памяти часть 25 кода адреса (например, младшие разряды адреса) поступают на первую группу адресных входов блока 2 памяти замещения ячеек и блока 3 памяти управления, где подготавливают инфор мацию к считыванию. Другая часть адреса системы, например старшие разряды, поступают на адресные входы преобразователя 15 кода распределителя 6 и через группы бистабильных переключателей на вход блока совпадения 17, На...

Номер патента: 1511765

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Бельчинский, Богатов, Гресько, Денисов

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающая, матрица, светочувствительная

...пассивирующий слой 8 (оксид кремния) .Все указанные функциональные слои эа исключением 7 наносятся стандартными методами вакуумного напыления а формирование топологии ведется методами литографии и травления. Поли,мерная пленка на основе бактериородопсина наносится по методу ЛенгмюраБлоджетт, что позволяет получить высокоариентированную пленку.Вактериородопсин, подвергнутый воздействию возбуждающего излучения (570 нм), переходит в новое конфар-. мационное состояние, характеризуемое иными,по сравнению с исходным, спектром поглощения и уровнем поляризации. Эта новая конформация бактериородопсина стабильна при температурах ниже 223 К, Релаксация бактериородопсина в исходную форму может быть индуцирована воздействием синего (420 нм)...