Запоминающая матрица

1 О 546934 Союз Соеетскик Социалистических Республик61) Дополнительное к авт. свид-ву22) Заявлено 11,03.74 (21) 2004286/24с присоединением заявки23) ПриоритетОпубликовано 15.02,77. Бюллетень6 51) М. Кл,2 б 11 С 11 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений 3) УДК 681,327.. Рутковский 71) Заявител ОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦ жит на ныизмД (чипы) ы сдвига Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Известна запоминающая матрица, содержаЩая на пластине из магнитоодноосного материала с ЦМД регистр сдвига и магниторезистивный датчик, а также катушки управления 1.Недостатком такой матрицы является низкое быстродействие.Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является запоминающая матрица, которая содержит в каждом узле пластину из магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменамц с расположенными на ней регистром сдвига из ферромагнитных аппликаций и магниторезистивным датчиком и катушки управления 2.В известной матрице размеры чипов (пластин из магнитоодноосного материала, на которых располагаются регистры сдвига) должны быть достаточно большими, чтобы цепи дешифратора занимали на чипе площадь, меньшую площади, занимаемой регистрами. Использование общей для всей матрицы пары катушек, создающих вращающееся поле, требует для ее возбуждения значительной мощности источников и вызывает необходимость использования для каждого чипа с регистрами отдельных цепей считывания-записи.С целью повышения быстродействия матрицы и снижения потребляемой мощности в 5 предлагаемой запоминающей матрице катушки управления выполнены в виде ортогональных секций, каждая пз которых охватывает пластины из магнитоодноосного материала, принадлежащие одноименным строкам О (столбцам) матрицы, а все магниторезистивные датчики, расположенные на указанных пластинах, соединены последовательно.Разбиение общей катушки управления насекции позволяет применять менее мощные 5 источники, создающие вращающееся поле, поскольку активное и индуктивное сопротивление секций меньше, чем общей катушки, Поскольку при указанной организации обращение осуществляется только к одному выбран- О ному чипу, генераторы и магниторезистивныедатчики чипов объединяются последовательно, чем резко сокращается количество цепей записи-считывания и повышается быстродействие матрицы.5 На фиг. 1 и 2 показана конструкция предлагаемой запоминающей матрицы.Запоминающая матрица содер диэлектрической подложке 1 пласти агнитоодноосного материала с ЦМ 2, О на которых расположены регистр изферромагнитных аппликаций 3 и магниторезистивные датчики 4, Вокруг подложки 1 с чипами 2 вдоль каждого столбца матрицы располагаются катушки управления 5, а вдоль каждой строки матрицы - катушки управления 6. Генераторы доменов 7 объединены последовательно в цепь записи 8, а магниторезистивные датчики 4 объединены последовательно в цепь считывания 9.При подаче сдвинутых по фазе и меняющих свою полярность импульсов тока в пару ортогональных катушек 5, 6 в месте их пересечения создается вращающееся поле, осуществляющее продвижение ЦМД в регистре 3 чипа 2, расположенного в пересечении катушек.В полувыбранных чипах, подверженных воздействию поля только одной из возбужденных катушек 5 или 6, продвижения ЦМД в регистрах не происходит. Если домены хранятся на определенных участках аппликации, то происходит только их обратимое смещение. Подача импульсов тока записи в цепь записи 8 приводит к генерации ЦМД только в чипе, расположенном в месте пересечения возбужденных катушек 5 и 6. В остальных чипах генерации ЦМД не происходит, поскольку в них магнитное поле либо меняется только по одной координате, либо вообще отсутствует.Через цепь считывания 9, соединяющую магниторезистивные датчики чипов 2, сигнал с датчика выбранного чипа передается к усилителю считывания. Для того, чтобы с магниторезистивных датчиков полувыбранных чипов сигналы не поступали на вход усилителя и не маскировали сигнала с выбранного чипа, в полувыбранных чипах около магниторезистивных датчиков не должно бить ци линдрических магнитных доменов. Это достигается тем, что обращение к любому регистру всегда заканчивается на определенной позиции, в которой генерация домена при записи не производится.10Ф ор мул а изобретенияЗапоминающая матрица, содержащая вкаждом узле пластину из магнитоодноосного 15 материала с цилиндрическими магнитнымидоменами с расположенными на ней регистром сдвига из ферромагнитных аппликаций и магниторезистивным датчиком и катушки управления, отличающаяся тем, что, с 20 целью повышения быстродействия матрицы иснижения потребляемой мощности, катушки управления выполнены в виде ортогональных секций, каждая из которых охватывает пластины из магнитоодноосного материала, при надлежащие одноименным строкам (столбцам) матрицы, а все магниторезистивные датчики, расположенные на указанных пластинах, соединены последовательно.Источники информации, принятые во вни мание при экспертизе:1. 1 ЕЕЕ Тгапз. Мадп., Ч. МАЙ,3,1970, р. 447.2, 1 ЕЕЕ Тгапз. Мадп., Ъ, МА 6-9,3,1973, р. 433.546934 фиг.1 РиаГ Составитель Ю, Розенталь Техред Е, Жаворонкова Редактор Н. Каменская Корректор О. Тюрина Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 33014 Изд.187 Тираж 769 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4;5