Корпухин

Номер патента: 1556521

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Жуков, Корпухин, Полищук

МПК: H05K 3/00

Метки: микросхемы

Способ изготовления микросхемы, включающий формирование диэлектрического основания путем нанесения слоя полиимидного лака на технологическую подложку, сушку слоя с последующей полимеризацией, формирование тонкопленочных элементов с помощью вакуумного напыления слоев и фотолитографии, удаление технологической подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества микросхем за счет улучшения физико-технологических характеристик диэлектрического основания, в качестве технологической подложки используют пластину кремния со слоем окисла, нанесение слоя полиимидного лака проводят в два этапа: на первом этапе лак наносят методом центрифугирования, а на втором этапе методом полива с промежуточной выдержкой между этапами в течение времени не...

Номер патента: 1748623

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Быковский, Козленков, Корпухин, Николаев, Полищук, Соколов

МПК: H05K 3/02

Метки: гибридных, интегральных, разводки, схем, тонкопленочных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАЗВОДКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий испарение мишени из меди в вакууме, осаждение ее паров на полиимидную подложку, гальваническое осаждение слоя меди и формирование рисунка разводки методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки за счет увеличения адгезии меди к подложке и уменьшения изменения линейных размеров подложки, испарение мишени проводят импульсным лазерным излучением при плотности потока энергии на поверхности мишени 109 - 1010 Вт/см2, а температура подложки в процессе осаждения равна комнатной.

Номер патента: 1482601

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Азерян, Кибальников, Корпухин, Пешков

МПК: A01G 7/00, G01N 22/00

Метки: биомассы, риса, удельной

...облета участков площадью 1000 га, засеянном сортом риса Краснодарский, находящимся в стадии трубкования при Х = 3 см, измеряли яркостную температуру участков открыток водной поверхности Тб, которая равнялась 105 К и яркостную температуру контролируемых участков Т", среднее значение которой равнялось Т" = 200 К.Одновременно с измерением Т", с помощью СВЧ-дальномера 3 на контролируемом участке измеряли расстояние от носителя (самолета, вертолета) до уровня поверхности воды в чеке 1 в, до верхней границы растительного слоя риса 1 и до эталонного отражателя 1, установленного на чековых валиках 6 или в рисовых чеках по маршруту облетов и привязанного по уровню к среднему горизонту рисового чека 1. При этом схе 5 10 15 20 25 30 35 40...