Рупленас

Номер патента: 1414808

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Миронович, Рупленас, Татур, Трунец, Шамкалович

МПК: C03C 3/072

Метки: стекло

...при25 С, Ом см 101 ф 10 Температура варки,Кристаллизационнаяспособность 1000Не кристаллизуется 1000 1000 Не крис- Не кристаллизу- таллизуется ется Изобретение относится к технологии силикатов, в частности к производству легкоплавких стекол, которые могут использоваться в радиоэлектронной про 5 мышпенности в качестве стеклосвязки конденсаторных диэлектриков с пониженной температурой спекания и улучСвойства ТКЛР, Ы 10 град Температура начала размягчения,о С 395 Для синтеза стекол используют квар.50цевый песок, борную кислоту, свинцовый сурик, оксиды висмута, алюминия,магния, железа, ниобия, Температураварки стекла 1000 С,Предлагаемое стекло обладаеттребуемым соотношением ТКЛР, температуры начала размягчения и удельнымэлектрическим...

Номер патента: 1227605

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Липскис, Невар, Немкович, Рупленас, Шамкалович

МПК: C03C 3/072

Метки: герметизации, конденсаторов, стекло, толстопленочных

...кл.Авторское свР 1081135, кл,(54)(57) ГТР ТО/1 СТОП; В НО чаю 11 ее 810 БпО , о т л что с пельк оно дополнит ЧЯ ГЕРМАНТОНЛБНСАТ(А 1,0юще е К:10 Л.НЫХ К В 0и ч а ИЗА 1 (ИИ РОВ, вклю- РЪО, ЕгО Г)юл, М 16й орденаи политех рудового ический ся те снижения мик твердостиВаО и льцо содержи кчцем соотнош Невар, Нипски ИпО при сле нсцтов, мас нии компо нас 088 810 А 1,0 РЪО 33,0-35,07,0-1 1,0 8,0 - 10,0 43,0-45,0 свидетельство СГСР С 03 С 3/10, 1982, идете тьство ССГР С 03 С 3/10, 1982./гО БпО ВаО ИпО ОПИСАНИЕ ИЗ)родллжение табл, 2 силикатл, к производству свинцовогоалн)моборосиликатцого стекла, предназцаченного для использования его в 1 каэ атель Свойства стекол 23 микро.электронике для герметизации толстопле ночных конденсаторов...

Номер патента: 1167678

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Бастина, Гиедрайтис, Зарецкас, Петраускас, Пикутис, Радов, Рупленас, Чичерюкин, Шоффа

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатор, ступенчатый

...пластине 2, установленной в экране 3 с перегородками 4, и элементы управления 5. Диэлектрическая пластина 2 имеет металлизации 6 и 7 с обеих сторон, В металлизации 6 выполнены О-образные вырезы 8, где размещены последовательно соединенные секции 1, каждая из которых состоит из переключателей 9 и 10, элементов затухания 1 и проводящих элементов12. Последовательно соединенные секции 1 связаны полосковыми проводниками 13, при этом полосковые проводники 13 первой и последней последовательно соединенных секций 1 служат входом и выходом ступенчатого аттенюатора. В диэлектрической пластине 2 выполнены углубления 14 для установки переключателей 9 и 10, которые герметизированы крышками 15. Неподвижные электроды 16, 17 и 18...

Номер патента: 1081135

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Каменецкас, Липскис, Невар, Немкович, Рупленас, Шиленко

МПК: C03C 3/10

Метки: стекло

...для герметизации толстопле.ночных конденсаторов 12, включающее,мас.%: 20810, 26 - 29АЬ 8 - 10В 2037 - 11РЬО 51 - 54Е гО 1 - 2 25Известное стекло также обладает сравнитель.но высоким коэффициентом расширения, а сле.довательно, . пониженными значениями вязкостин температуры размягчения, в силу чего неможет быль использовано для получения совместимых с матерналдаи микросхемы гермети.эирующйх покрытий печатных конденсаторове При Наименование ком. Единицамеры понентов и свойств измерения на подложке из высокоглиноэемистой керамики при температуре обжига 700+20 СЦелью изобретения является понижение козффицнента термического расширения,Поставленная цель достигается тем, чтостекло, включающее 8 Оя, В О, Аг. О, РЬО,Ег 02, дополнительно...

Номер патента: 1073193

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Каменецкас, Липскис, Невар, Немкович, Рупленас, Шиленко

МПК: C03C 3/10

Метки: стекло

...21, включающее следую 5щие компоненты, мас,Ъ;РВО 50-б 0В 20 4,5-22пО б,5Вхо . 3 21А 1 О, б -15ЗОНедостатком указанного стекла является высокий коэффициент термичес-.кого рас:ирения 98-127,б 10 1 гради низкая температура размягчения313-.3 б 6 С.Цел. Изобретения - снижение коэфф";пента термического расширения ии;.:В;:ше.и: температуры размягчения. Поставленная цель достигаетсятем, что стекЛО, включающее ВО,А 10, ВОЗ, РЬО, дополнительно содержит ЕТО при следующем соотношении компонентов, мас,%:810 у 26-29А 1 д Оз 8-10ВО 7-11РЬО 51-54ЕгО 1-2Для производства стекла используют обычную технологию производства,включающую составление шихтына основе песка, борной кислоты, сурика, глинозема и двуокиси циркония ипоследующую варку...

Номер патента: 559285

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Петраускас, Рупленас, Шибайлене

МПК: H01B 1/02

Метки: материал, токопроводящий

...Заказ 1411/103 Тнраж 91 б Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открьггиЯ 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент ", г. Ужгород, ул. Пр екгнаы,. 4 3Формула и зобре те ни яТокопроводящий материал преимущественно для толстопленочных проводникоы, содержащий мелкодисперсное серебро, окись серебра, кварц, сурик свинцовый, борную кислоту и органическое связукю 1 ее, капример, на основе зтилцеллюлозы и соединений терпенов, о . л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости геометрических и электрических параметров токопроводящих элементов, он содержит в качест. ве соединений терпенов терпинеол и сосновое масло при следукнцем...

Номер патента: 391612

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Петраускас, Рупленас

МПК: H01B 1/02, H05K 3/10

Метки: 391612

...вазелиновое манол) при ис4,4 - 75,2 ,55 - 9,4- 15. Изобретение относится к технике миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано при изготовлении отдельных радиокомпонентов или узлов, выполненных по толстопленочной технологии. 5Известны токогероводящие композиции, содержащие мелкодисперсное серебро, окись серебра и органическое связующее, например ланолин, вазелиновое масло и циклотексанол.Однако с помощью этой композиции спо о собом трафаретной печати с последующим обжигом можно получить на керамической основе токопроводники с удельным сопротивлением не менее 0,005 ол/слР. Это ограничивает область применения коипозиции, не поз воляет, в частности, использовать ее в технике сверхвысоких частот (СВЧ).Цель...