Патенты с меткой «прибор»

Номер патента: 1807822

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Арутюнов, Богатыренко, Грибов, Илисавская, Сорокин

МПК: H01L 27/144

Метки: зарядовой, линейный, прибор, связью, фоточувствительный

...накопленному в промежуток времени от 12до тз. Под действием заряда СЬ потенциал плавающих электродов 7 и 8 изменится на величину й 3 и = 0/Сп где Си - суммарная скорость плавающих электродов 7 и 8 с со единяющей их шной, Пусть Опу - установочное напряжение на плавающих электродах, тогда после накопления заряда С 1 Т напряже-, ние на плавающих электродах 7 и 8 станет равным400ц= Бп пу п пу Сп45В дальнейшем это напряжение будетсохраняться и определять величину потенциального барьера между накопительным50 электродом 13 и суммирующим электродом14,В момент времени тз отпирается верхнийзатвор 4. С этого же момента времени начинается световая экспозиция фотодиодов 1.Излучение, проникающее в фотодиоды 1, генерируют электронно-.дырочные пары,...

Номер патента: 1716918

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Бугера, Уманский

МПК: H01J 29/90

Метки: прибор, электронно-лучевой

ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПРИБОР, содержащий оболочку, внутри которой размещены электронно-оптическая система и люминесцентный экран, выполненную в виде конусной части и горловины с выводами, каждый из которых выполнен в виде заваренного в стекле торца горловины жесткого металлического проводника, часть которого, прилегающая к горловине, охвачена через воздушный зазор эластичной втулкой и соединена через металлическую трубку с наружным приводом, соединенным с торцом горловины герметизирующим компаундом, отличающийся тем, что с целью повышения термостабильности, торцовая поверхность воздушного зазора между эластичной втулкой и металлическим проводником, которые установлены коаксиально, удаленная от горловины, образована торцовой поверхностью...

Номер патента: 946355

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Федотов

МПК: G01P 5/06

Метки: прибор, течений

ПРИБОР ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕЧЕНИЙ, содержащий узел азимутальной ориентации, два расположенных во взаимно перпендикулярных плоскостях и защищенных кольцами лопастных винта с горизонтальными осями вращения, один из которых реверсивен, а второй нереверсивен, контактное устройство, руль, образованный пластинами, с которыми скреплены защитные кольца, осевое сечение которого совпадает с осью нереверсивного лопастного винта, регистратор, диск, кинематически связанный с нереверсивным лопастным винтом, вдоль диаметра которого установлены оси, на которых посажены кинематически связанные с реверсивным лопастным винтом, установленным в передней части руля, два диска, выходные оси которых при помощи контактных устройств связаны с регистратором, отличающийся...

Номер патента: 1511980

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Тетельмин

МПК: B43L 13/00

Метки: прибор, чертежный

1. ЧЕРТЕЖНЫЙ ПРИБОР, содержащий пластину, выполненную с круглым отверстием и со шкалой на прямолинейном краю, и диск, установленный подвижно в круглом отверстии на пластине с возможностью поворота, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона решаемых задач, пластина выполнена с прямоугольным отверстием, симметричным относительно одной из осей симметрии диска и параллельным прямолинейному краю пластины, и снабжена рамкой, выполненной с круглым отверстием и установленной подвижно в прямоугольном отверстии на пластине с возможностью перемещения на заданное расстояние до центра поворота диска на пластине, и дополнительным диском, установленным подвижно в круглом отверстии на рамке симметрично относительно оси симметрии прямоугольного...

Номер патента: 1829798

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Арутюнов, Грибов, Илисавская, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

...5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 дом 5 и присоединенными к нему структурными элементами. В ПЗС, в котором выходной электрод диффузный, С = Св+ Сш+ Сз+ +Сд, где С - емкость выходного электрода 5; Сш - емкость соединительной шинки; С - емкость затвора выходного транзистора; Сд - дополнительная емкость, образованная электродом 9 и диффузионной областью 10, В ПЗС, в котором выходной электрод 5 расположен на диэлектрическом слое, значение С представляется той нагрузочной емкостью, которая присоединена к выходному электроду 5, т,е. в этом случае С = Сш+ Сз+ + С.Коэффициент преобразования величины заряда в соответствующее напряжение к = 1/С; значит, изменяя Сд, можно регулировать величину Е, Емкость С зависит от разности напряжений между...

Номер патента: 1308018

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Корчев, Медведев, Мишин

МПК: G01R 35/00

Метки: прибор, проверки, электроизмерительный

1. Электроизмерительный прибор, содержащий корпус, обойму, установленную в обойме подвижную часть с стрелочным указателем и обмоткой, подключенной к рабочим клеммам прибора, закрепленную в обойме шкалу с нанесенными на ней отметками, цифрами и обозначениями, отличающийся тем, что, с целью упрощения автоматизации проверки прибора, стрелочный указатель электрически соединен с минусовой клеммой прибора, а шкала изолирована от обоймы, причем под оцифированные отметки шкалы соосно с ними и изолированно от шкалы нанесены слои проводящего материала, соединенные между собой параллельно и подключенные к дополнительной клемме, установленной в корпусе прибора.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности, слои...

Номер патента: 1031378

Опубликовано: 20.01.1996

Автор: Скорняков

МПК: H01L 29/76

Метки: полупроводниковый, прибор

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, содержащий p-n-переходы и управляющую МДП-систему, отличающийся тем, что, с целью получения низковольтных программируемых напряжений, p-n-переходы выполнены в виде переходов с туннельным механизмом пробоя.

Номер патента: 1225426

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Кузьмин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а...

Номер патента: 1040966

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Артюх, Богуславский, Невский, Пономарев

МПК: H01J 25/00

Метки: многолучевой, о-типа, прибор, свч, электронный

1. МНОГОЛУЧЕВОЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ СВЧ ПРИБОР О-ТИПА, содержащий коллектор, магнитную систему с плоским магнитным полюсом, расположенным перед коллектором и имеющим пролетные отверстия по числу лучей, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы электронного прибора за счет увеличения поверхности коллектора и уменьшения продольных размеров прибора, между плоским магнитным полюсом и коллектором введен дополнительный полюс, выполненный из магнитомягкого материала в форме поверхности вращения, выпуклой частью обращенной к коллетору, с отверстиями по числу лучей, оси которых образуют с осью прибора угол, определяющий угол поворота электронных лучей, при этом диаметр отверстия d2 в дополнительном полюсе выполнен в соответствии со...

Номер патента: 1827147

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...

Номер патента: 1329510

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Костенко, Самойлова

МПК: H01L 31/12

Метки: оптоэлектронный, прибор

Оптоэлектронный прибор, содержащий излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, р- или n-область излучающего и фотопреобразующего p-п-переходов соединены каналом из полупроводника одноименного типа проводимости, что и соединяемые области, при этом на поверхности канала выполнен МДП управляющий затвор.

Номер патента: 1800893

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Лебедев, Морозов

МПК: G01M 3/16

Метки: вакуумных, испытаний, прибор

...частоты, питающий соленоиды 3, выполнен в виде инфра низкочастотного мультивибратора и усилителя мощности, Его частота 1 Гц выбрана с тем условием, что ее период примерно равен времени одноразового обдувания места течи пробным газом, составляющему 1-3 с, При этом условии спектр импульсного сигнала наличия течи и переменный сигнал наличия кислорода попадают в полосу пропускания импульсного усилителя,Избирательный усилитель 13, настроенный на частоту питания двойного моста, выполнен в виде активного 2 С-фильтра с суммарным коэффициентом усиления приблизительно 310 и имеет его ступенчатую регулировку. Динамический диапазон усилителя составляет приблизительно 80 дБ, Его резонансная частота определяется источником 10 переменного тока и...

Номер патента: 1162253

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Живетин, Карякин, Коновалова, Королева, Эфрос

МПК: D01H 5/26

Метки: волокон, вытяжной, льняных, мокрого, одноремешковый, прибор, прядения, прядильной

1. Одноремешковый вытяжной прибор прядильной машины для мокрого прядения льняных волокон, содержащий установленный между питающей и вытяжной парами бесконечный ремешок, охватывающий нижние валики промежуточных пар для уплотнения на ремешке волокнистого продукта и имеющий верхнюю рабочую ветвь с двумя расположенными под углом один к другому участками и направитель, установленный в зоне расположенного между вытяжной и промежуточными парами участка рабочей ветви ремешка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества получаемой мычки за счет снижения ее неровноты, нижний валик первой в направлении движения волокнистого продукта промежуточной пары выполнен приводным и его диаметр в 1,1 1,3 раза превышает диаметр прижатого к нему верхнего...

Номер патента: 1716840

Опубликовано: 10.12.1996

Автор: Труфанов

МПК: E02D 1/00

Метки: одноосного, прибор, сжатия, скважинный

Скважинный прибор одноосного сжатия, содержащий оголовник с рабочей камерой и режущим наконечником, штамп с датчиком давления, магазин с эластичной оболочкой и измеритель перемещения штампа, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения характеристики прочности грунта, штамп снабжен гидравлической подушкой с гибкой мембраной в нижней части и шарнирно закреплен на датчике давления, а магазин с эластичной оболочкой выполнен в виде цилиндрического вкладыша, установленного на режущем наконечнике и имеющего заостренную верхнюю кромку с диаметром, равным диаметру наконечника, при этом оболочка в верхней части имеет эластичную шайбу с центральным отверстием.

Номер патента: 623442

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Мордкович, Пресс

МПК: H01L 27/142

Метки: зарядовой, прибор, связью

1. Прибор с зарядовой связью, включающий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в коротковолновой области спектра, поверх затворов переноса сформирован слой люминофора.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя люминофора l равна (lnk2 lnk1)/(k2 k1), где k1 коэффициент поглощения коротковолнового света в люминофоре;k2 коэффициент поглощения люминофором излучаемого им света.

Номер патента: 1326092

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Дроздов, Пасманник, Самохина, Сахаров

МПК: H01J 25/10

Метки: многолучевой, о-типа, прибор, свч

Многолучевой СВЧ-прибор О-типа, содержащий коллектор, магнитную систему с постоянными магнитами, полюсными наконечниками и цилиндрический магнитный экран в коллекторе, отличающийся тем, что, с целью увеличения долговечности прибора, к середине полюсного наконечника, примыкающего к коллектору, прикреплен штырь, расположенный коаксиально цилиндрическому магнитному экрану и выполненный из магнитомягкого материала, причем диаметр и длина штыря удовлетворяют выражениямrк d 0,8l, h L

Номер патента: 588855

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Мордкович, Пресс, Рубинштейн, Федотов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

Прибор с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой сформированы сдвиговые регистры и выходное устройство, а на тыльной размещены светочувствительные элементы, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности и разрешающей способности, светочувствительные элементы выполнены в виде структуры прозрачный металл - диэлектрик полупроводник и разделены сеткой диффузионных областей того же типа проводимости, что и подложка.

Номер патента: 1414238

Опубликовано: 10.06.1997

Автор: Монахов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую структуру в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными полупроводниковыми слоями, образующими p-n-переходы, внутренний и внешний электроды, образующие с областями структуры омические контакты, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения степени интеграции, вдоль образующей цилиндра на внешней и внутренней поверхностях выполнено не менее двух канавок, пересекающих по крайней мере один p-n-переход.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени выключения, канавки выполнены с глубиной, меньшей протяженности области пространственного заряда в базе блокирующего p-n-перехода.3. Прибор по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 795340

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Болдырев, Курышев, Ли, Половинкин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

Прибор с зарядовой связью, состоящий из регистра и входного устройства, содержащего управляющий элемент, инжектирующий диод, входной диод, два входных затвора, затвор переноса и шины управления, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в него введены два МДП-транзистора, истоки которых электрически соединены с входным диодом, затворы - с шинами управления, а стоки - с входными затворами.

Номер патента: 824831

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 29/02

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.

Номер патента: 1314864

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Игнатьев, Осадчий

МПК: H01J 1/22, H01J 21/10

Метки: прибор, электровакуумный

Электровакуумный прибор, содержащий пленочные катоды и аноды, расположенные на диэлектрических подложках, и подогреватели, размещенные на подложках со стороны, противоположной катодам, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергопотребления, в качестве подогревателей использованы пленочные анодные резисторы, включенные между анодами и анодными выводами и расположенные рядом с анодами на одной стороне подложек, размещенных радиально и образующих цилиндрическую систему.

Номер патента: 1107709

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Осадчий, Паринский

МПК: H01J 31/08

Метки: прибор, электронно-оптический

Электронно-оптический прибор, содержащий последовательно расположенные в вакуумной колбе фотокатод, коллекторную сетку, сетку мишени с диэлектрическим покрытием, блок канальных электронных умножителей и экран, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и увеличения яркости выходного излучения прибора, в каналах каждого умножителя блока установлены лазерные волоконные световоды, на боковые поверхности которых нанесены катодолюминофорный материал, а на торце - отражающее покрытие.

Номер патента: 1131382

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковалев, Сулакшин, Фоменко, Фукс

МПК: H01J 25/50

Метки: м-типа, прибор

Прибор М-типа по авт. св. N 716430, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД при обеспечении высокой выходной мощности и долговечности, между электронной пушкой и резонаторной системой установлен прозрачный для электронов электрод.

Номер патента: 716430

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковалев, Офицеров, Фукс

МПК: H01J 25/50

Метки: м-типа, прибор

Прибор М-типа с релятивистским пучком, содержащий замедляющую систему, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности и долговечности, в него введена электронная пушка и труба кругового сечения, установленные по разные стороны от замедляющей системы соосно с ней, причем диаметр трубы превышает внутренний диаметр системы.

Номер патента: 1119553

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Калухов, Чикичев

МПК: H01L 29/40

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводник из арсенида галлия p-типа проводимости, на котором сформирован барьерообразующий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения потенциального барьера и обеспечения прозрачности, барьерообразующий электрод выполнен из окисла индия, легированного оловом до концентрации свободных носителей заряда 1-8 10 см-3.

Номер патента: 1558166

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Артемьев, Жуленев, Славский, Фурсов

МПК: G01N 3/48

Метки: прибор, свойств, физико-механических

Прибор для контроля физико-механических свойств материалов, содержащий корпус, установленный в нем боек с индентором в виде конуса, ударную массу, взаимодействующую с ней и с корпусом ударную пружину, спусковой механизм, индуктивный датчик движения бойка, усилитель, пиковый детектор, аналого-цифровой преобразователь, вход которого связан с выходом пикового детектора, делитель кодов, генератор тактовых импульсов, первый выход которого соединен с аналого-цифровым преобразователем, а второй - с делителем кодов, и цифровой индикатор, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения функциональных возможностей, он снабжен первым и вторым LC-генераторами, индуктивности которых...

Номер патента: 1415986

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ласкин, Левашов, Сенчуков, Толкунов

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий по крайней мере одну полупроводниковую структуру, соединенную с основанием через промежуточные слои, по крайней мере одним из которых является компенсатор из пучка металлических стержней, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности за счет снижения величины механических напряжений в элементах конструкции, стержни компенсатора изогнуты с величиной прогиба, выбираемой из условия сохранения изгиба стержней на краю полупроводниковой структуры при сборке и эксплуатации полупроводникового прибора, причем плотность упаковки стержней на плоской поверхности компенсатора 0,2 - 0,91, а толщина стержней меньше толщины полупроводниковой структуры.

Номер патента: 1556427

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Богословская, Ульянов

МПК: H01J 21/10

Метки: прибор, электронно-лучевой

Электронно-лучевой прибор, содержащий корпус с натекателем газа и откачным патрубком, осесимметричные катод, прикатодный фокусирующий электрод, ускоряющий электрод, и коллектор, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности и КПД прибора с газовым наполнением, коллектор выполнен в виде сегмента эллипсоида, прикатодный фокусирующий электрод выполнен в виде кольца, форма внутренней поверхности которого описана уравнением:где - текущий радиус прикатодного фокусирующего электрода в цилиндрической системе координат, см;Z - расстояние от...

Номер патента: 1493030

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бономорский

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

Силовой полупроводниковый прибор, состоящий из полупроводниковой структуры с двумя основными поверхностями, включающей множество секций, каждая из которых образована множеством электрически соединенных между собой сегментов, содержащих каждый область первого типа проводимости, окруженную областью второго типа проводимости, причем обе области сегмента выходят с точностью до рельефа на первую основную поверхность, и электродов, один из которых прилегает к второй основной поверхности, а остальные служат для создания электрического контакта с областями, выходящими на первую основную поверхность, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических характеристик, каждая секция...