Патенты с меткой «плазмы»

Номер патента: 689500

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Быковский, Козловский, Козырев, Цыбин

МПК: H05H 1/00

Метки: импульсногоускорения, плазмы

...с - плотность мощности излучения на поверхности мишени, Вт/м, - длина волны лазерного излучения, м.Известно, что для эффективного ускорения необходимо, чтобы время образования и ускорения сгустка было меньше времени проникновения магнитного поля разрядного тока через виток в плазму (Фр )При воздействии мощного лазерного излучения с упомянутыми параметрами реализуется наивысший среди известных способов удельный энерго- вклад в единицу времени в облучаемую область мишени. Это позволяет получить высокоионизированный плотный плазменный сгусток с временем эмиссии плазмы с мишени 3 10 8 с.В предлагаемом способе синхронно с образованием такого плазменного сгустка в форме кольца проводят сильноточный разряд также кольцевой конфигурации через...

Номер патента: 455715

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Демирханов, Киров, Стотланд, Ходатаев

МПК: H05H 1/18

Метки: замкнутых, ловушках, магнитных, нагрева, плазмы

...поле сканирует.ся вплазме в окрестности слоя уд - М,расположенного в глубине плазменного шнура.55для стационарных и квазистационарных замкнутых магнитных ловушек характерно спадающее с расстОяниемотмагнитной оси ловушки распределениеплотности плазмы )3 . Этому соответствует увеличение с расстояниемальфеновской скорости МА в плазме,Например, для параболического рас(рЕ 21пределения плотности =9 о(1-." /С(где а - расстояние от магйитной осидо поверхности раздела плазма-вакуум,Формула изобретенияСпособ нагрева плазмы в замкнутыхмагнитных ловушках с вращательным преобразованием магнитных силовых е 0 линий возбуждением высокочастотноготока, протекающего в скин-слое плазмы, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения...

Номер патента: 586779

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Гоцубанов, Летучий, Павличенко

МПК: H05H 1/00

Метки: параметров, плазмы

...10 сканирующая система. Интенсивное излучение плазменногофокуса вызывает резонансный переходатомов водорода с невоэбужденного со стояния 15 на уровень 2 р, с последующим спонтанным распадом возбужденногоуровня. Распад вынужденного возбужденного состояния атомов водорода сопровождается излучением электромаг нитной волны на длине волны Х1216 А, причеА интенсивность этогорезонансного излучения пропорциональ;на концентрации атомов водорода в облучаемой точке плазменного объема.25 Йзлучение атомов водорода принимается при помощи фотодетектора, соединенного с плазменной установкой вакуумированным каналом. Нижний предел,измерения концентрации нейтральных 30 атомов водорода составляет 10 см. В. Д. Коцубанов, А. Н. Летучий и О. С....

Номер патента: 660474

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Гвоздков, Фицнер, Черкашин, Чуянов

МПК: G21B 1/00

Метки: плазмы, стабилизации

...стабилизациюелобковой неустойчивости при измене-.1. иях плотности в процессе накопленияплазмы. Амплитуда автоколебаний поддерживалась на заданном уровне, неограничивающем накопление плазмы вловушке. На чертеже представлена блок-схема устройства.Объект регулирования, - плазма 1заполняет объем, около которого рас полагаются датчики 2 для измерениявозмущения электростатических полей.Сигнал с датчиков 2 поступает на управляемый вход усилителя 3 с регулируемым коэффициентом усиления. Выходусилителя соединен с электродами 4,содержащими стабилизирующие электрические поля в плазме. Усилитель 3имеет цепь самонастройки коэффициен"та усиления, состоящую из частбтно- ;уизбирательного фильтра 5, .вход которого соединен с управляемым...

Номер патента: 719332

Опубликовано: 07.03.1981

Автор: Кован

МПК: G21B 1/00

Метки: tokamak, плазмы, установках

...гармонике ионнойциклотронной частоты для дейтерия.Поскольку декремент затухания магнитозвуковой волны (или добротностьплазмы) зависит в рассматриваемом случае от концентрации добавки, ее точное регулирование (осуществляется,например, путем напуска холодногогаза Неэ в разряд) позволяет осуществлять согласование плазмы с источником ВЧ мощности.Ф+ 3Резонансные ионы (Не ), получая энергию от поля волны и отдаваяее затем за счет торможения нерезо- Зонансным ионам (дейтонам) и электронам"плайя; имеют немаксвелловское распределение, обогащенное частицами в:области больших энергий,Мощность, передаваемая резонанс ными ионами частицам плазмы, имеетвид:"ссс"с"(; пп Ь 1А 40- ис- (ае 1 где сс = , е - индексы, обозначающие нерезонансные ионы...

Номер патента: 828086

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Кукарин, Мусалов, Сулаквелидзе

МПК: G01N 33/48

Метки: активности, антиди-уретической, исследования, крови, плазмы

...контакт 10 разомкнут, Проходные сечения канюль 4, 7, 5 и 8 перекрыты золотником дозатора 3. Животное с введенными в мочевой пузырь и яремную вену канюлями 11 и 5 помещено на весы 6, которые после взвешивания животного перед исследованиями стопорятся и используются в дальнейшем для определения веса животного в процессе исследования при проведении необходимых процедур, влияющих на изменение веса (удаление влаги тампоном, определение изменения веса при внепочечной потере воды и др.). Канюля 5 яремной вены отсоединяется от дозатора 3 и через нее в организм животного вводится основной гипотонический раствор - 0,3/о КаС 1 с 2 -ным этиловым алкоголем с таким расчетом, чтобы за 10 - 15 мин при равномерном поступлении раствора в организм было...

Номер патента: 686577

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Егоров, Новиков, Путько, Соболев

МПК: H05H 1/00

Метки: гене-patopax, дуги, напряженности, низкотемпературной, плазмы, поля, увеличения, электри-ческого, электродуговых

...теплоотдачи в окружа,ощий газ за счет поперечной конвекции, что приводит к увеличению локаль686577 Формула изобретения Составитель Н. Ермохин Редактор Л. Павлова Техред А. Бойкас Корректор Г. Наза ова Заказ 3259/50 Тираж 889 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4ной напряженности электрического поля дуги,Исследовалось влияние вращающегося магнитного поля на напряженность электрического поля дуги длиной 5",10 м, горящей между двумя угольными электродами и обдуваемой ламинарным потоком газа (аргон), Расход аргона составлял 2,8 г/с. Диаметр разрядной камеры - 22 мм. Источником вращающегося магнитного поля служил...

Номер патента: 550081

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Волков, Осипов, Плотников

МПК: H05H 1/02

Метки: газоразрядной, низкотемпературной, плазмы

...окружности с центром на ее оНа фиг. 1 изображен общий устройства на фиг. 2 - попеУразрез. В одном из торцов газоразрядной трубки 1 смонтированы стержневые аноды 2 и катоды 3, чередующиесямежду собой и расположенные по окружности с центром на оси трубки,Вся система электродов образует разрядный промежуток в форме цилиндра,расположенного соосно с разряднойтрубкой. После тщательной вакуумной обработки устройство заполняютодним из инертных газов,При подаче напряжения на устройство между каждой парой параллельныхэлектродов (анодом 2 и катодом 3)устанавливается короткий тлеющий разряд, состоящий из круксового и фарадеева темных пространств и отрицательного тлеющего свечения 4 (фиг.2).данное свечение является единственной светящейся областью и...

Номер патента: 782486

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Намазов, Орлов

МПК: G01N 22/00

Метки: ионосферной, критической, плазмы, слоя, частоты

...от параметров сйгэнала1 О 2 О М(Ъ) имеет немонотонный вид, и наибольшие искажения наблюдаются вблизи максимума слоя , т.е когда Фо= 2 ар глерэреЭЙ ( Кэ энанение электронной концентрации в максимуме слоя)Если несущая частота Г(1 р, то все спектральные составляющие сигнала отражаются от ионосферы приблизительно одинаково, и сигнал, практически, не претерпевает дисперсионных искажений. На Фиг. 1 для иллюстрации показана форма прямоугольного импульса длительности Т , отраженного от ионосферного слоя полутолщиной Н, в зависимости от отношенияЯрЕсли несущая частота Г приближается к ,(р , то появляются сильные искажения Фазового спектра и, кроме тога, часть спектральных составляющих,для которых выполняется условие оИкр проходит через...

Номер патента: 884091

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Свирин, Селифанов, Точицкий

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсный, плазмы, эрозионной

...систему5 поджига, соленоид 6, расположенныйтак, что он охватывает своим магнитнымподем коаксильную электроразрядную систему, токовый датчик 7, интегратор 8,компаратор 9, вход токового датчика 7соединен с формирующим электродом 3коаксильпой электроразрядной системы 2,выход - со входом ийтегратора 8, выходинтегратора 8 соединен со входом компаратора 9, а выход компаратора 9 - сс олен о и дом 6.Генератор работает следующим образом.С помощью системы 5 поджига вблизиплазмообразуюшего электрода 4 создается облачко инициируюшей плазмы, за счеткоторого формируется проводящий каналмежду плазмообразуюшим 4 и формирующим 3 электродами, и по нему начинаетпротекать ток за счет энергии, накопленной в накопительном конденсаторе 1. Втоковом датчике 7...

Номер патента: 786835

Опубликовано: 07.01.1982

Автор: Лонгинов

МПК: H05H 1/18

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...786835буждает колебания в резонансной системе, образованной полюсами 3, пластинами 4, шинами 6 и конденсаторами 5. Характерное распределение высокочастотных токов в фиксированный момент времени показано на фиг. 2, где сплошной линией обозначен путь основного тока, штриховой линией - токи рассеивания, имеющие меньшее значение, чем основной ток. Благодаря протеканию тока в азимутальном направлении на поверхности плазменного шнура создается высокочастотное продольное магнитное поле, которое является источником возбуждения в плазме быстрых электромагнитных волн.Конденсаторы не сосредоточены в одном месте, а распределены равномерно в азимутальном направлении (в данном примере выполнения шесть точек включения конденсаторов), поэтому...

Номер патента: 728555

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Зыков, Лонин, Подтерегера, Руднев

МПК: G21B 1/00

Метки: нагрева, плазмы, удержания

...через магнитные щелитороидального дивертора при условии:1, причем п 2 д, а Т 2 Т 1,ЩТ, д; д, ьдг где п;плотность плазмы, в ловушке; 222 - плотность инжектируемой плаз мы; Т 1температура плазмы в ловушке: Т 2температура инжектируемой плазмы.оСпособ управления параметрами плазмы может быть осуществлен на замкнутой тороидальной ловушке с тороидальным дивертором. .Ловушка содержит тороидальную камеру, дивертор, катушки создания диверторной конфигурации магнитного поля, включенные навстречу катушкам основного тороидального магнитного поля. Магнитные Щели дивертора соответствуют области нуля магнитного поля 5.дмтУправление радиальными профилями плотности и температуры плазмы осуществляется путем квазистационарной инжекции плазмы. При первичной...

Номер патента: 903773

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Суровикина, Фомина

МПК: G01N 33/74

Метки: активности, антикалликреиновой, плазмы

...его инкубации(1 мп встряхивают в течение 1 мин с200 мг стеклянного порошка) при 37 Св течение 30-60 мин,5Затем проводят анализ. Дпя этого впробирку наливают 0,1 мп раствора унитиола (0,5-1,0 мг/мп смеси), исследуемую плазму (0,001-0,1 мп) ипи такоеже количество физиологического раство-. рра (контрольная проба), насыпают 200 мгстеклянного порошка и добавляют.1 мпхолодного стандарта калликреина с кининогеном (2-4 С), встряхивают в течение1 мин инкубируют при 35-37 С 60 мин .Реакцию останавливают добавлением0,5 мп 10% ТХУ (трихлоруксусной киспоты), белковый осадок отделяют центрифугированием, центрифугат нейтрализуют0,5 н. ЙаОН до рН 7,0-7,2. Для предотвращения адсорбции кининов добавляют0,1 мп 0,04 м щавелевой кислоты и вТХУ-фипьтрате по...

Номер патента: 911266

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Поляков, Шмаленюк

МПК: G01N 23/24

Метки: параметров, плазмы

...электромагнитного поля попространству, где проводятся измерения. Поэтому будут различны этираспределения и в плазме, если проводить зондирование ее на этих модах.Таким образом, ковариации амплитудмод собственного микроволновогоизлучения плазмы будут для различныхпар мод по разному зависеть от электррфизических параметров и температурыогдельных участков плазмы, т. е. приразличных профилях изменения параметров плазмы значения ковариацийбудут различны, Рассчитывая эти зна- щчения для ожидаемых возможных профилей и сравнивая с измеренными зна-чениями можно определить истинныйпроФиль изменения параметров. Прииспользовании ЭВМ такой выбор проI изводится по программе по заданномукритерию, с заданной точностью.На Фиг. 1 показано...

Номер патента: 922636

Опубликовано: 23.04.1982

Автор: Банкова

МПК: G01N 33/48

Метки: альдостеронсвязывающей, белков, крови, плазмы, способности

...С - альдостерон фирмы Амершам, уд,акт 55 мк/м, В пробу вводят 10-20 тыс,имп./мин, что соответствует 6-8 10 М или д 5 20-40 пг, Добавление возрастащих коОбщее связывание -имп/мин свя имп/мин общ ФСпецифическое связывание с РСГ рассчитывают по формуле впробах с добавлением кортикостерона. Неспецифическое связывание с транскортином, определяют путем вычитания специфического связывания из общего. Результаты исследования связывающей способности белков плазмы крови у здоровых и больных первичной артериальной гипертонией детей, у крыс трех возрастов и у здоровых кроликов показали,о что у детей с первичнбй артериальной гипертонией увеличено специфическое и особенно транскортиновое связывание альдостерона, Принимая во внимание тот факт,...

Номер патента: 936870

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Авдонькин, Горбачев, Стефаненко

МПК: A23L 2/08

Метки: аппарат, концентрирования, крови, плазмы

...14. Между дисками 14 по егопериферии жестко закреплены продольные пластины 15 с острыми кромками.На оси 13 также жестко закрепленыкронштейны 16, которые поддерживаютвыталкиватель льда, представляющийсобой барабан 17 с продольными выступами 18 на его поверхности, Частьвыступов 18 находится в промежуткахмежду пластинами 15,Для эффективной работы аппаратаминимальное расстояние между корпусом 1 и пластинами 15 равно нулю,а максимальное расстояние не должнопревышать половины толщины слояльда, намерзающего на внутренней поверхности корпуса при работе аппарата. В нижней и верхней частях корпуса 1 имеется соответственно входной19 и выходной 20 патрубки, а такжепатрубки 21 и 22 для ввода и выводахладагента.Аппарат работает следующим...

Номер патента: 940062

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Владимиров, Клебанов, Лопухин, Молоденков, Сергиенко, Шерстнев

МПК: G01N 33/16

Метки: крови, плазмы, сыворотки, хемилюминесценции

...оптическая плотность сыворотки крови увеличилась до 1,12.Параметры вспышки инишированнойдвухвалентным железом хемилюминесценции 0,2 мл сыворотки крови изменилисьследующим образом: 6 0 усл. ед., Ь 3 усл,ед, (50%),Ос, Н О, соответственнохемилюминесценция липопротеидов низкойплотности из 0,2 мл сыворотки крови:8 24 усл. ед. (98%), Ь 3 усл. ед. (86%),80 с (100%), Н 5 усл, ед. (83%),Таким образом, для регистрации хемилюминесценции плазмы и сыворотки крови оптимальными условиями для человека являются 0,2 мл сыворотки крови, 2 мл 0,28%-ного раствора хлористого кальция и 0,04 мд 1% ного раствора гепарина. Для сывороткикрови кролика оптималь ными условиями экспериментально выбрано 0,2 мл сыворотки крови, 2 мл 0,28%3 94006...

Номер патента: 890954

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Дикий, Калиниченко, Лысойван, Назаров, Швец

МПК: H05H 1/00

Метки: бестоковой, плазмы

...до давления 2 10-" - 5 10-" торр, затем возбу 5 кдают Вс 1 - поле и при достижении плазмой критической плотности, при которой возможно распространение электромагнитной волны во всем рабочем объеме камеры, производят дополнительный цапуск нейтрального газа.Экспериментально момент критической плотности (ее можно рассчитать по дисперсиоцным зависимостям для данного типа волны) определяется с помощью микроволнового ицтерферометра (в нашем случае использовался ицтерферометр Уортона с длиной волны 1=8 мм) и высокочастотного зонда, расположенного вдали от ацтеццы, регистрирующего начало распространения волны.Таким образом, способ предусматривает осуществлять напуск газа в два этапа. Это открывает возможность вначале установить...

Номер патента: 598523

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Антонов, Киселевский

МПК: H05H 1/00

Метки: нагрева, плазмы

...- к выходной щели камеры.5 На чертеже представлена схема описываемого устройства.В вакуумной металлической камере 1устройства установлена металлическая мишень 2, внутри которой высверлен капил лярный канал, состоящий цз двух прямолинейных участков, расположенных под прямым углом, причем входное колено 3 канала имеет диаметр 0,8 - 1,2 мм, глубину 2 - 2,5 мм, а выходное колено 4, соответствен цо, диаметр 0,6 - 0,8 мм и глубину 1,5 -2,5 мм; окно 5 предназначено для прохождения светового потока в канал, линза 6 - для фокусирования луча через окно в вакуумной камере внутрь входного колена 20 канала.Лазерное излучение от цеодцмного ОКГ,работающего в режиме модулированной добротности длительность импульса 50 цс, энергия 50 Дж), фокусируют...

Номер патента: 824785

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Коваленко, Лонгинов, Нижник

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...будет заключен во всем объеме между излучающим элементом и стенкой вакуумной камеры и определяться токами, текущими по проводникам излучающего элемента, Этим достигается значительное уменьшение доли паразитной индуктивности, что позволяет уменьшить по сравнению с прототипом угол наклона проводников излучающего элемента без ухудшения качеств устройства и в конечном счете уменьшить волновое сопротивление устройства и увеличить уровень вводимой в плазму высокочастотной энергии. Благодаря плавному изменению зазора между поверхностью, образованной дополнительными проводниками, и поверхностью излучающего элемента от места их соединения в направлении общего проводника достигается минимальное значение паразитного потока (паразитной...

Номер патента: 932961

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Бородин, Велихов, Голубев, Рутберг

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...газа меньше 100 плазма всила змятпоне имеет тем ператупу выше 5000 - :6000 К, тто привочпт к пазложенито молекул рабочего газа. При расхоле газаКГбольше 30 - происхочит срыв разрядасза счет газодинамических неустойчивостей. Интервал давления газа 0,1 в : 50 ат 1 в его хололном состоянии) выбпан цз условия контрагиповацич разпяла, так как в условиях коцтракции высокая темпепатура в луге также приводит к разложению молекул пабочего газа. Выполнение указанных режимов позволило получить плазю со слелуютцим соотнотпением концентрации металла к концентрации возбужденных молекул газаум10 ( (1. Концецтпацпя электронов этой плазмы составляет 10 тт - 10" см -а время жизни 1 - 10 -с. Эти требования прелъявляются, в частности, к плазме...

Номер патента: 902355

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Безуглов, Бергельсон, Лакин, Макаров

МПК: A61K 35/16

Метки: крови, плазмы

...состоянии составляет 50% (этот показатель определяют по методу Бориа с индукцией агрегации раствором АДФ в конечной концентрации 0,2 мкг/мл). После добавления фторпростагландинов агрегация составляет 3%, что свидетельствует о высокой антиагрегационной активности фторпростагландинов ЕП р им ер 2, 10 мл крови кролика берут обычным способом, используя в качестве стабилизатора 3,8%-ный цитрат натрия. В опытной пробе к цитрату добавляют по 50 мкг 15-фтор-дезоксипростагландина Е 2 и 15-фтор-дезокси-эпи-простагландина Е 2 в виде метиловых эфиров. Соотношение консерванта и крови составляет 1/9. Обе пробы крови центрифугируют при 1000 об/мин, Затем отбирают тромбоплазму и подсчитывают число тромбоцитов. В контроле концентрация составляет...

Номер патента: 511751

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Березкина, Кауфман, Ковальский

МПК: H05H 7/00

Метки: источник, микроэлектроники, плазмы

...термокатода помещена на участке перехода аксиальцого магнитного поля через нулевое значение.На чертеже изображен источник плазмы для микроэлектроники, 30 Он содержит плазмотрон с вольфрамовым термокатодом 1 в виде бцфцлярной рпирали, вблизи которого помещен цилиндр 2, ограничивающий область разряда, Анод- корпус 3 имеет форму цилиндра, в которьш впаяна трубка 4 для полачц аргона. Корпус через керамическцю втулку 5 спаян с тугоплавкой диафрагмой 6 с отверстием для выхода потока плазмы. Поверх трубокохлаждения размещены кольца аксцальцо намагниченного постоянного мапшта 8. Керамическая шайба 9 с термокатодом 1 ц цилиндром 2 сделана съемной. Прц подаче аргона через трубку 4 и включении напряжения ца электролы внутри камеры зажигается...

Номер патента: 987483

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Архипенко, Будников, Плюта, Романчук, Симончик

МПК: G01N 22/00

Метки: магнитном, неоднородной, параметров, плазмы, поле

...фиг.1 приведена структурнаясхема устройства, реализующего способ;на фиг.2 - распределение переменнойсоставляющей интенсивности а 2 излучения плазмы по длине 0,Устройство содержит баллон 1, магнит 2, волновод 3, генератор 4 исистему регистрации интенсивностиизлучения плазмы в,оптическом диапазоне, включающую световод 5, фотомприемник 6, усилитель 7, синхродетектор 8; самописец 9, баллон 1 сплазмой вводится в волновод 3 черезотверстия в середине его широких сте-.нок, к нему .подводится амплитудномодулированная волна типа Но отгенератора 4 на частоте, для которой выполняется условИе 4 о-юн, где ив угловая частота зондирующего сигнаеф ла, шц - циклотронная частота.йПоглощение электромагнитной волны приводит к локальному нагреву 5...

Номер патента: 895200

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Журавлев, Музалевский, Петров, Сысак

МПК: G01J 3/36

Метки: параметров, плазмы, пучка, электронного

...так как в противном случае величина уширения не может быть определена однозначно, Способ не применим для определения параметров плазмы, движущейся с релятивистской скоростью и релятивистских электронных пучков.Известен способ измерения парамет" ров электронного пучка или плазмы по 30 рают в спектре рассеяния частотные интервалы, число которых не меньше числа определяемых параметров) в каждом из выбранных интервалов измеряют угол между направлением максимальной поляризации рассеянного излучения и плоскостью, содержащей электрический вектор падакщей и волновой вектор рассеяной волны.Суть способа заключается в следукщем, Зондируют изучаемый объект мо"Ф/2 мснохроматическим ш ")= плоскопо". ляриэованным излучением) определяют направление...

Номер патента: 1046661

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Москалев, Поспелов, Чистяков

МПК: G01N 22/00

Метки: газовых, камера, концентрации, плазмы, плотности, струй, электронов

...при этом отверстия, расположенные в широкой стенке одного отрезка прямоугольного волновода отстоят друг от друга на расстоянии, равном/2, а другогона расстоянии 1 , где- длина 60 волны в отрезке прямоугольного волновода, соответствующая резонансной частоте резонатора.На фиг.1 .приведена конструкция камеры на Фиг,2 - разрез А-А на 65 фиг,1; на фиг.3 - разрез Б-Б на фиг.1.Камера для измерения концентрации электронов плазмы и плотности газовых струй содержит резонаторв виде отрезка 1 круглого волновода, отрезок 2 прямоугольного волновода, дополнительный отрезок 3 прямоугольного волновода, отверстия 4, расположенные на расстоянииэ друг от друга в общейширокой стенке отрезка 2 пря моугольного волновода и стенке отрез. ка 1 круглого...

Номер патента: 1049811

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Горожанин, Полумискова

МПК: G01N 33/48

Метки: ингибирующих, крови, плазмы, свойств

...зратропоэтина и исследуютплазму крови в дозе 0,5 мл дваждыдва дня подряд, готовят мазки периферической крови и производятподсчет ретикулоцитов 21Недостатками способа являютсясложность предварительной подготов"ки мышей содержание в барокамере 40в течение 14 дней по 8 ч ежедневно),и большой дополнительный расходживотных, в результате их гибелиили непригодности для последующегоиспользования(по данным расход равен 45в среднем 30). Кроме того, дляосуществления способа необходимэритропоэтин, получение которогоотличается большой сложностью, осуществляется лишь опытным путем. До Ороговизна эритропоэтина и большаясложность получения делают недоступным использование фстандарта" эритропоэтина, а в случаях его использования приводят к трудно...

Номер патента: 774392

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Засенко, Ивкин, Трифонов

МПК: G01R 33/00

Метки: данных, параметрах, плазмы, сбора, электротехнических

...каждый из которых состоит из последовательно соединенных индуктивного датчика 1, интегратора 2, модулятора 3, трансформатора 4, с объемным витком и заземленным корпусом, демодулятора 5, блока 6 компен сации помех и блока 7 регистрации. Выход блока 8 синхронизации соединен со вторыми входами интегрирующих ячеек, выполненных в .иде активных стробируемых интеграторов. Выходы 65 блоков 6 компенсации помех каналов измерения продольного и поперечного магнитных полей соединены со вторыми входами блоков б остальных каналов измерения (верхним на чертеже является канал измерения величины продольного поля, а вторым сверху - канал измерения поперечного поля ).Устройство работает следующим образом.До момента образования вихревого и управляющего...

Номер патента: 1062795

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Глаголев, Трубников, Шафранов

МПК: G21B 1/00

Метки: замкнутой, ловушке, магнитной, плазмы, термоядерной, удержания

...плазмы т.е. чтобы токи разделения зарядов н плазме, связанные с неоднородностью магнитногополя в этих участках, замыкались впределах каждого участка, а именновыполнялось услониеЦ 2К(5)сОэ (5) д 5 О (15/7(,где 5 - длина дуги магнитной осизамыкающего участка, отсчитывая от его середины 1- длина этого участка",К(5) - кривизна оси,б(5)- напряженность магнитйогополя на оси;С(5) - текущий угол вращательногопреобразования магнитныхсиловых линий.В замыкающих участках может бытьиспользовано магнитное поле, созда,ваемое тремя полутораидальными соленоидами, развернутыми на угол 120 Опо отношению друг к другу.Физический смысл условия ( 1 ) состоит в том, что силовые линии магнитного поля на концах замыкающего участ-ка остаются параллельными осевой...

Номер патента: 1025262

Опубликовано: 30.12.1983

Автор: Саппа

МПК: G21B 1/00

Метки: высокотемпературной, ловушка, плазмы, удержания, электромагнитная

...является повышение средней энергии плазмы в 60ловушке путем удаления из нее медленных электронов.Это достигается тем, что в электромагнитную ловушку, содержащуюразмещенные в торцовых частях ва куумной камеры соосные соленоиды,запирающие электроды и четное количество проводников, поровну распределенных по образующим двух соосных ловушке цилиндрических поверхностей, причем соседние проводники,расположенные на разных поверхностях, смещены относительно другдруга на одинаковый угол, введенырасположенные за ближайшими к осиловушки проводниками ленточныеколлекторы, расстояние краев гкоторых от оси ловушки определены изуравнения магнитной поверхности Штермера 2 ( 2 ( 2где о - число пар проводников;Я ,Р - соответственно меньший и1больший...