Источник плазмы для микроэлектроники

Номер патента: 511751

Авторы: Березкина, Кауфман, Ковальский

ZIP архив

Текст

11 И УЯ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических Республик(61) Дополнительное к авт. сви 2 19 1) Ч КлзН 05 Н 7/00 Н 05 Н 7/12 Н 013 3/04 влецо 10,12 нением заявки Х с прис Государственный комитет СССР(72) Авторы изобрстения Г, А. Ковальский, М. М, Березкина и М. С. Кауфман осковский институт радиотехники, электроники и автоматики(54) ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИ Изобретение относится к технической физике и предназначено для получения плазменных пучков, используемых при воздействии на поверхность материала в технологических процессах хикроэлектроцик 11. 5Известен источник плазмы для микроэлектроники, содержащий газоразрядную камеру с термокатодом, помещенную в аксиальцое магнитное поле.Это затрудняет цх использование вместе 1 О с установками вакуумного напыления.Целью изобретения является достижение высокой газовой экономичности, коллимирования газового разряда у выходного отверстия и направленной транспортировки 1; - , плазмы с помощью магнитного поля к месту ее использования.Это достигается тем, что магнитная система выполнена в ггцле аксиальцо цамдгцичеццого кольцевого постоявиго мдпцта, а газоразрядцый прометкуток расположен за пределами внутренней полости мапшта вдоль его осц на участке, где магнитное поле противоположно по направлению магнитному полю в центре постоянного магии та, причем эмиттерыая часть термокатода помещена на участке перехода аксиальцого магнитного поля через нулевое значение.На чертеже изображен источник плазмы для микроэлектроники, 30 Он содержит плазмотрон с вольфрамовым термокатодом 1 в виде бцфцлярной рпирали, вблизи которого помещен цилиндр 2, ограничивающий область разряда, Анод- корпус 3 имеет форму цилиндра, в которьш впаяна трубка 4 для полачц аргона. Корпус через керамическцю втулку 5 спаян с тугоплавкой диафрагмой 6 с отверстием для выхода потока плазмы. Поверх трубокохлаждения размещены кольца аксцальцо намагниченного постоянного мапшта 8. Керамическая шайба 9 с термокатодом 1 ц цилиндром 2 сделана съемной. Прц подаче аргона через трубку 4 и включении напряжения ца электролы внутри камеры зажигается газовый разряд, коллцмироваццый полем рассеяния магнита 10.Плазменный поток вытекает цз цсточццкд ц транспортируется к подложке цо цдцравлецию силовых л 111111 й мдгццтгно пол; рассеяния.Компактность плазмотроца ц отсутствие соленоидов дает свободу ориентации исто;- ника относительно вакуумной камеры, Оц ожет быть помещен вц 1 тр высокова мных прогреваемых устацовок.Формула изобретенияИсто 1 ццк и;1 азз 1 ы л,151 микроэлектроники, содержащий гдзордзрялцую камеру с тср511751 Текред В. Рыбакова 1(орректор Е. Хмелева ина дакто аз 1673/2 Изд.242 Тираж 856 ПодписноеПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова,мокатодом, помещенную в аксиальное магнитное поле, отличающийся тем, что, с целью достижения высокой газовой экономичности, коллимирования газового разряда у выходного отверстия и направленной транспортировки плазмы с помощью магнитного поля к месту ее использования, магнитная система выполнена в виде аксиально намагниченного кольцевого постоянного магнита, а газоразрядный промежуток расположен за пределами внутренней полости магнита вдоль его оси на участке, где магнитное поле противоположно по направ лению магнитному полю в центре постоянного магнита, причем эмпттерная часть термокатода помещена на участке перехода аксиального магнитного поля через нулевое значение,

Смотреть

Заявка

1975242, 10.12.1973

МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

КОВАЛЬСКИЙ Г. А, БЕРЕЗКИНА М. М, КАУФМАН М. С

МПК / Метки

МПК: H05H 7/00

Метки: источник, микроэлектроники, плазмы

Опубликовано: 30.10.1982

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-511751-istochnik-plazmy-dlya-mikroehlektroniki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Источник плазмы для микроэлектроники</a>

Похожие патенты