Патенты с меткой «плазмы»

Номер патента: 1336956

Опубликовано: 07.09.1987

Автор: Тихиро

МПК: G21B 1/00

Метки: z-пинча, генерирования, обращенным, плазмы, полем, типа, удержания

...магнитных осей25 7 и 8, и магнитные поверхности 9, охватывающие несколько эллиптических осей. Каналы 1 и стенки камеры симметричны относительно главной тороидальной оси 10 и средней плоскости 11 Большой радиус плазменного шнура30 может изменяться независимо от размеров сечения, поскольку плазма нечувствительна в данном случае к тороидальности, Характерная Форма сечения, целью которой является создание па раллельных токовых каналов 1 и гиперболической магнитной оси 3, образуется благодаря профилированной проводящей оболочки и распределенной обмотки (не показана).При генерации и удержании плазмы в вакуумной камере, заполненной га-. два семейства - охватывающие толькоодин токовый канал и охватываюшицесколько кацалов, В области этого...

Номер патента: 1182915

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Малышев, Одинцов

МПК: G21B 1/00

Метки: tokamak, адиабатического, плазмы, сжатия

...магнитного поля,Характерной особенностью токамаков является замкнутость тороидаль"ной конфигурации, и в частности, вложенность разрядной камеры в магнитную систему, в связи с чем практическая реализация предлагаемой ус"тановки возможна лишь при наличииразъемов в витках обмотки, создающейтороидальное поле. 1 1182915Изобретение относится к электро- физической аппаратуре, в частности к конструкции установок токамак с адиабатическим сжатием плазмы торо 5 идальным магнитным полем.Целью настоящего изобретения является обеспечение радиальной устойчивости оболочки камеры за счет снижения пондеромоторного воздействия на камеру со стороны магнитного поля при увеличении допустимой степени сжатия плазмы нарастающим во времени тороидальным магнитным...

Номер патента: 1350662

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Лонгинов, Павлов, Степанов

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...кроме того, возможностью использования существенно большей концентрации ионов резонансной добавки (до 20-307) вследствие того, что затухание плазменной волны в зоне для Не благодаря ее мелкомасштабности и линейности поляризации не уменьшается с ростом концентрации,в то время как в этих условиях поглощение быстрои моды за счет основного ИЦР для Не сущест 3венно ослабляется.Таким образом, помимо повышения эффективности нагрева, связанного с уменьшением потерь, становится воз-можным осуществление режима с увепиченной предельной мощностью, идущей непосредственно на нагрев основных ионов как за счет эффекта обрезания хвостов.В качестве примера конкретного использования способа рассмотрим возбуждение, распространение и поглощение БЗМ...

Номер патента: 1358113

Опубликовано: 07.12.1987

Автор: Агаронян

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, температуры

...точкиЕ =(Е +тс 2) /2,о 30где ш - масса покоя электрона, г;с - скорость света, см/с,Полная ширина эмиссионной линиина половине ее интенсивности равнаде =2 оп 2(тс 2 кт )2, (1)где Те - электронная температураплазмы,а спектр излучения является "голубосмещенным" (относительно шс 2) с максимумом при(2)Из формул (1) и (2) следует соотношение для определения температурыэлектронов. Таким образом, измерениеширины аннигиляционной линии может 45дать непосредственную информацию отемпературе электронов з 23-300 кэВ, доступных для измерения ширины линии дЕ. существующими детекторами мягкого гамма-излучения,Информацию о температуре плазмы дает также измерение энергии Е соответствующей максимуму спектра аннигиляционного излученияЕ -тс...

Номер патента: 1365377

Опубликовано: 07.01.1988

Автор: Саппа

МПК: H05H 1/00

Метки: ловушке, плазмы, создания, электромагнитной

...Н ) . Продольное магнитноедля предварительного воэдействия на инжектируемые электроны создается непосредственно в области расположения эмиттера электронов,На чертеже схематически изображены электромагнитная ловушка и источник электронов.В вакуумную камеру 1 из баллона 2 напускают рабочий газ. Пропускают встречно направленные токи по соленоидам 3 и 4, создающим ограничивающее объем удержания плазмы магнитное поле, а также по соосному им соленоиду 5, создающему в области расположения эмиттера 6 электронов магнитное поле Н о, противоположное по направлению и меньшее чем 1/2 величины поля соленоида 4, Вместо соленоида 5 может быть использован и постоянный магнит с такими же параметрами.Эмиттер б электронов располагается в месте, где...

Номер патента: 1367048

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Иоффе, Канаев, Пастухов, Питерский, Юшманов

МПК: G21B 1/00

Метки: магнитной, открытой, плазмы, системе, удержания

...через осевые отверстия оказывается незначительным из-завозникновения там центробежного барьера, Функция распределения ионов вкаспах имеет изотропный вид, поскольку время их "неадиабатического рассеяния" мало по сравнению с указаннымвыше временем жизни,При сочетании в устройстве простойпробочной ловушки и каспов в однойсистеме с общим магнитным потокомкасповые ячейки за счет большой глубины своей магнитной ямы сообщаютМГД устойчивость плазме во всейсистеме, в том числе и в центральнойсекции, тем самым превращая эту секцию в хорошую ловушку, не добавляющую в систему иных потерь, кроме тех,которые есть в каспах, Конусные потери из центральной секции в такой системе перестают играть роль, поскольку в каспах, где плазма создается,функция...

Номер патента: 1114215

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Большаков, Гурин, Ермилин, Одинцов

МПК: G21B 1/00

Метки: tokamak, магнитным, плазмы, сжатием

...выполнены в виде витков обмотки магнитной системы.ки и увеличение надежности и срокаслужбы установки путем уменьшениявлияния металлоконструкции камеры наскорость изменения внешнего магнитного поля в рабочем объеме установкии увеличения ее несущей способности.Указанная цель достигается тем,что в установке токамак с магнитнымсжатием плазмы, содержащей магнитнуюсистему и размещенную внутри нееразрядную камеру, выполненную в видесекционированной металлической обо- .лочки отрицательной гауссовой кривизны, камера снабжена бандажнымикольцами, каждое из которых, расположенное в плоскости ее поперечногосечения, охватывает оболочку, скреплено с ней вдоль границ секций дискретности неэлектропроводными связями и имеет хотя бы один электроизолирующий...

Номер патента: 1205745

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Котляревский, Пак, Сметанин, Тузов, Цветков

МПК: H05H 7/10

Метки: плазмы, проводимости, пучковой

...вне его будет иметь адно и та жезначение и, соответственна концентрация плазмы, образующейся при прохождении РЭП через Газ будет метьтакже одинаковое значение внутри ивне устройства, С момента началаобразования плазмы внутри устройствамежду йольгами 2 и 3 начнет прате=кать так низказнергетич 777 ых плазменных электронов под действием раз но" типотенциаловна выводах заряженного конденсатора 7, соединенногаФольгами 2, 3, Для того., чтобы в процессе измерений величина напряжениямежду Фольгами 2, 3 была постоянной,необходимо выполнение условия БСя 1, где Кп - сопротивление плаэменного канала, С - емкость конденсатара 7; 1 о - длительность импульса ис=.следуемого процесса, Например, для славий ;=(О в О )С;Ом, та С=(О в О ;,Ф, При Фольг 2...

Номер патента: 1072635

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Жуковский

МПК: G21B 1/00

Метки: магнитном, параметров, плазмы, поле

...и широко применяетснв диагностике высокотемпературнойплазмы на установках "Токамак", таккак позволяет достаточно просто инадежно определять поведение в пространстве и во времени одного иэ важнейших параметров плазмы - ее плотности.Однако известный интерферометрический способ не позволяет измерять 45другой важный параметр плазмы, аименно величину и распределение впространстве полоидального магнитного поляили, что то же самое, распределение тока в плазме. Это являет" 5ся следствием того, что используетсяэлектромагнитная волна только с одйой поляризацией, и обычно точностьизмерения сдвигов фаз невысока.Целью изобретения является осуществление измерений попоидальногомагнитного поля в плазме. Для этогов способе измерения параметров плазмы в...

Номер патента: 1322872

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Перелыгин, Смирнов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: магнитной, плазмы, системы, тороидальной, удержания, юстировки

...1 1- с г с в . Таким22 второго чл силовой ли обусловлен дит в осно исхо- кольц а участке обр ни ь сдвие сонезадвига,12 с Ьх = -2полно г обход ермоядернуюовушкой, и и нку 2 х дл лоной линии и смещен 1В =В- - 1+ ф 4 г ггде г = - , г= - ,, 1 - безразмерные величины. В случае использования кольца, повернутого на угол Ы в плоскости (х, г) при несмещенном центре и при малых углах Ы) с с 0,1 рад), можно получить соотношенияаг аЦВ = В - о(г -- г - -Г )к о 2 а дг дг тг ф1 1 В =В 11+ - ( - " -- +) (5)1) г 31, Ь к о2 а дг дг )1 1 а для координаты х искривленной силовой линии, используя уравнения (4)= - ( .(г,) + х(г,) + (6)а1 Основной вклад в сдвиг силовой линии дает член Г,(г,); поведение силовой линиибез учета Г г )иллюстриуется кривой 1,...

Номер патента: 1322873

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Перелыгин, Пустовитов

МПК: G21B 1/00

Метки: плазмы, удержания

...к источнику питания. Затем напряженностьмагнитного поля повышается до уровня, которое может обеспечить удержание высокотемпературной плазмы, Заполнение ловушки происходит посредством инжектирования в нее иэ инжек" тора 1 предварительно разогнанного да высоких значений скоростей нейтральнога газа (дейтерия и тритий), который легко преодолевает магнитную стенку. Высокоэнергетические атомы изотопов водорода в процессе столкновения с молекулами остаточного газа ианиэируются и полученные таким образом ионы, естественно, удерживаются магнитной ловушкой, т.е. полем винтового соленоида 2. При каждом акте столкновительной иониэации, образовавшийся ион сохраняет в основном энергию ускоренного нейтрального атома.В связи с тем, что установка имеет...

Номер патента: 1250158

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Коротеев, Кошилев, Михалев, Шишко

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...6 и .создает электрическое поле30 на границе диэлектрик - гаэ. Поле на поверхности диэлектрика максимально вблизи проводников сеточного соленоида 6, так как.толщина диэлектрисоздания электрического поля и моментом образования плазмы путем управления .изменением давления в камере, в него введены система поддержания начального уровня давления и устройство импульсноГо напуска газа, соеди-ненное с импульсным источником питания через регулируемую линию задержки, а сетка соленоида выполнена с ячейками, размер которых удовлетворяет условию Ь с 1 Ь, где Ь, Ь - мответственно длины пробега частиц га за при начальном давлении и в момент пробега газа. ческой стенки вакуумной камеры выбрана из условия д с 1, при этом вектор напряженности...

Номер патента: 1071137

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Добряков, Перелыгин, Трубников

МПК: G21B 1/00

Метки: магнитного, плазмы, удержания

...длину.Целью изобретения является упроще 35 ние и удешевление конструкции.Цель достигается тем, что в устройстве для магнитного удержания плазмы, содержащее магнитный соле Г ноид из круглых катушек, расположенных таким образом, что их центры лежат на винтовой геодезической ли.нии, совершающей шесть обходов вокруг тора с тороидальностью Г = = г/К = 0,3, где г - малый, а К - большой радиусы тора, при этом катушки расположены через равные промежутки и их оси совпадают с геодезической линией,50На фиг, 1 изображено поперечное сечение устройства, на фиг, 2 - вид .сверху. Плазма 1 в камере 2 удерживается постоянным магнитным полем, создаваемым электромагнитной системой, представляющей собой соленоид продольного поля, состоящий из...

Номер патента: 1409121

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Анджей, Витольд, Збигнев, Казимеж, Петр

МПК: A61B 10/00, A61K 39/00

Метки: антигена, гепатита, крови, плазмы, поверхностного, человека

...- ное вымывание белков плазмы, которые были предварительно переварены с пепсином. Материал, полученный из фильт - рационной систеж, содержащий очищенный НВзАц, помещают порциями по 10000 мл в холодильник на 96 ч, при- О бавив формальдегид в количестве, необходчмом для создания его концентрации в растворе 1:2000 по объему. После того, как раствор вынут из холодильника, формальдегид удаляют из материала при помощи дедиалиэации. Затем проводят адсорбцию НВзАя на гидроокиси алюминия, прибавляемой в количестве 1 мг на 1 мл раствора. Готовый продукт, полученный таким об разом, помещают в ампулы.Затем анализируют его на присутствие в нем белков плазмы крови человека методом двойной диффузии в агаре, при этом не обнаруживается линий 25 осаждения...

Номер патента: 1347690

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Дедов, Дубровин, Минин

МПК: G01N 22/00

Метки: параметров, плазмы

...для измерения параметров плазмы содержит излучатели 1электромагнитной энергии, передающийи приемный фокусирующие элементы 2,3, выполненные в виде внеосевых зонированных линз или внеосевых эонных 5пластин, приемники 4 излучения, мно-гоканальный регистрирующий блок 5.Устройство для измерения параметров плазмы работает следующим образом. 20Излучатели 1 облучают передающийфокусирующий элемент 2 излучением нанескольких частотах (длинах волнВ, 3). Излучение, проходя черезпередающий фокусирующий элемент 2, 25преобразуется в квазиплоский волновой фронт, который взаимодействует сплазменным образованием 6 и попадаетна приемный фокусирующий элемент 3,Элемент 3 фокусирует излучение в раэличных точках пространства, положение которых зависит...

Номер патента: 1364096

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Перелыгин, Соловьев, Трубников

МПК: G21B 1/00

Метки: плазмы, удержания

...ПРОДОЛЬНОГО ПОЛЯ Вакс НаХОДИТ ся там, где значение градиента В=О. В устройстве лолжно солержаться целое число периодов магцитной системы.Устройство состоит из ряда последователь- З 0 но соединенных модулей, каждый иэ которых имеет соленоид 1, созла 1 ощнй продольцое магнитное полс, и квадрупольную катушку 2, создающую поперечное поле. На схеме модули. протяженностью К,. выделены вертикальни пунктирными линиями, Поляр. 35 ности поперечных полей двух соседних модулей противоположны, что показано на фиг. 1 соответствуюгцей стрелкой. Соленоид продольного поля должен располагаться на стыке двух соселних элементов, создающих поперечное поле. Таким образом два модуля 40 образуют период 1. устройства, т,е. Е=2 К.В каждом элементе продольное...

Номер патента: 1424144

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Белянин, Шадрин

МПК: H05H 1/00

Метки: диагностики, плазмы, ядерно-физический

...от угла рассеяния: приугле рассеяния около 100 резонансисчезает и при угле 80 достигаетмаксимума. При угле рассеяния в лабо-.45раторной системе координат (л.с.к)160 сечение в резонансе равно вл.с.к. 1200 мбн/ср. Вблизи резонансасечение рассеяния примерно в 50100 меньше,50Если энергию атомов пучка выбратьравной резонансной, то на всем путивзаимодействия пучка атомов гелия сплазмой (в сипу того, что ионизационные потери энергии равны нулю) выходальфа-частиц, рассеянных на ядрахпримеси углерода, будет примерно в50-100 раэ больше, чем на ядрах примеси соседнего атомноге номера. Энергия рассеянцых частиц связанауглом рассеяния и массами соотношением:ш,сов В + 1 ш- шзпвй 1 чЕ "Е 1 (1)ош + шФгде Е и Е, ш,; 0 - начальная и конечная...

Номер патента: 1432614

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Григорьева, Смердов, Чечкин

МПК: G21B 1/00

Метки: антенное, высокочастотного, нагрева, основе, плазмы, реакторе, термоядерном, токамака

...режима работы устройства, при котором высокочастотные токи, протекающие в соседних отрезках (в сечениях, отстоящих на одинаковом расстоянии от места подключения к высокочастотному генератору), равны поо величине и сдвинуты по фазе на 180, ц 0 смещение каждого последующего отрезка относительно предыдущего осущест" влено в направлении цолоидальной ком-, поненты магнитного поля на расстояниеЬ = а 1/сК,где а - малый радиус токамака, на котором размещено антенное устройство;запас устойчивости на радиусе аьК - большой радиус токамака;1 - расстояние между серединамисоседних отрезков полосковойлинии.Приведенная зависимость для Ь обуславливает то, что участки отрезков,находящиеся под одинаковым по абсолютной величине потенциалом, расположены...

Номер патента: 1455364

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Лонгинов, Павлов, Степанов

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, ловушках, магнитных, нагрева, плазмы, термоядерных

...где и концентрация ионов добавки; п, - конентрация основных ионов; Ч- тепло ая скорость ионов добавки; Чф,- фаэовая скорость волны вдоль магнитНого поля при температуре ионов добавки Травной температуре Т; основ-ных ионов. 55Благодаря этому зона ИЦР для добанки доступна для ММВ даже при Т; = : Т , За счет циклотронного поглощемия ММВ в зоне формируется функция где Р- мощность трансформированияв ММВ;и(Т) - концентрация ионов добавкив момент времени :, усредненная по объему Ч, н котором происходит поглощение высокочастотной мощности;Е - средняя энергия резонансных частиц;скорость потери энергиирезонансных частиц, с энергией Е за счет их торможения на ионах и электронах основной плазмы.Энергия резонансных частиц Е в оптимальных условиях...

Номер патента: 1455397

Опубликовано: 30.01.1989

Автор: Готт

МПК: H05H 1/00

Метки: диамагнетизма, окруженной, плазмы, проводящими, стенками

...шнурплазмы. Дополнительную измерительную катушку располагают таким образом, что плоскость витков указаннойкатушки параллельна плоскости витковосновной измерительной катушки, аобе плоскости перпендикулярны вектору индукции внешнего магнитного поля, Пусть и д, Б- число витков и%Из формул (2) и (3) видно, чтоесли чувствигельности обеих катушекодинаковы, т,е. если и,Б, = пБ ,то разность сигналов с нйх Составитель К.КлоповскийТехред М.Ходанич Корректор В. Гирняк Редактор А.Долинич Заказ 7459/57 Тираж 770 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 14553 площадь дополнительной...

Номер патента: 1458824

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Александров, Бобринская, Будякова, Кармолина

МПК: G01N 33/50

Метки: активности, крови, нарушения, плазмы, фибриногена

...раствора коммерческого препарата протаминсульфата, что соотносится как 9;1, Проводят тромбоэластографию, рекальцифицируя смесь добавлением 1,29/-ного раствора хлористого кальция в количестве 0,06 мл. В результате проведения этих приемов получают тромбоэластограмму. Величина измеренной максимальной амплитуды 40 мм. По данным предлагаемого способа сделано заключение: функциональная активность фибриногена сохранена; несвертынаемость обусловлена избытком физиологического гепарина. По данным известного способа такого заключения сделать не удается, так как он не выявляет этих комплексны 1 с нарушений. Даны соответствующие рекомендации к проведению корригирующей терапии выявленных нарушенийИсход заболевания - больной переведен в профильное...

Номер патента: 1464079

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Китаева, Покалев, Шабанов

МПК: G01N 33/48

Метки: агрегирующих, крови, нарушений, плазмы, свойств

...камере (240 с- ) в покое записывалась агрегатограмма.Получены следующие данные: скорость САГЭ донора и больного составила соответственно 60 и 38 с, эритроциты донора + плазма больного 20 с. В последующем вновь создавался градиент сдвига 20 с" - произошла полная гидродинамическая дезагрегация эритроцитов;Скорость САГЭ, изученная у больного известным способом, соответствовала нормальным величинам. Применение предлагаемого способа привело к значительному нарастанию скорости САГЭ (в 3 раза по сравнению с показателями у здорового и почти в 2 раза - у больного), что несомненно сви детельствует о выраженных нарушениях агрегирующих свойств плазмы данного пациента. Это обусловливает необходимость применения специальной тера пии,...

Номер патента: 1464303

Опубликовано: 07.03.1989

Автор: Шестаков

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: высокотемпературной, плазмы, плотной

...плоских участков электродов.1 ил,и трития, заполняющуювнутри оболочки. Длямы может также испольдое вещество или замоядерное топливо, нанереннюю сторону оболочУст ойство работае Р т следующим об разом.При пропускании тока между электродами 1 по оболочке 2 последняя сжи мается и нагревает газовую смесь 3.Сила, действующая на каждый участок оболочки, обратно пропорциональна квадрату расстояния его от оси си стемы, поэтому при профилировании толщины оболочки в форме сферического пояса обратно пропорционально квадрату расстояния от оси вся оболоСоставитель О. СеменовТехред Л.Сердюкова орректор Л. Пилипенк айцева ктор ирзж 7 аказ 835 5 одписное ГКНТ СССР вниям и открытиям кая наб., д. 4/5 ВНИИПИ Государственного комитета по изо 113035...

Номер патента: 1467516

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Грозовская, Камышников, Колб

МПК: G01N 33/92

Метки: атерогенного, крови, липопротеинового, нарушения, плазмы, спектра

...больной, чем холестерииавый КА, поскольку при тщательномклинико-экспериментальном исследовании у больной не был выявлен атеросклероз, легочная же патология обычно обусловливает суммарной фракции е(-липопротеинов.П р и м е р 2. Больной Р, 57 летс диагнозом основным: цирротический 40туберкулез в/доли левого легкого сполостями БК- и сопутствующим: ИБС:стенокардия покоя. Атеросклероз аорты, коронарных и мозговых сосудов, ЛСН 1-11 стадии, 45Лабораторно 9 ольной исследован до начала лечения. Иэ ординарных унифицированных тестов для суждения об атерогенных нарушениях в липоцротеи" новом спектре плазмы крови были ис пользованы тесты на содержание Ы-ХС, общего холестерина плазмы (ХС) и хо" лестерииовый коэффициент атерогенности (КА)...

Номер патента: 1467533

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Бедилов, Хабибуллаев, Цой

МПК: G03H 1/04

Метки: голограммы, записи, лазерной, плазмы

...в о точку металлической мишени и формируют стоячие волны в плазме, образующейся от воздействия одного из расщепляющих лучей. Второй расщепленный луч задерживают на время образования плазмы и фокусируют по касательной к плоскости мишени. 1 ил. али. Второй расщепленный лужкой на 50 нс относительно первого луча с помощью озеркала 7 направляют пок плоскости мишени и фокнофокусной линзой 6 с фостоянием 30 см в точку п д вого луча. Короткофокусную линзу и мишень помещают в вакуумную камеру в которой давление поддерживают на уровне 2 10 мм рт.ст.Предлагаемый способ обеспечивает простоту записи голограммы лазерной плазмы, обусловленную применением в качестве регистрирующей среды и источника лазерной плазмы одной и той же металлической мишени.В...

Номер патента: 1414189

Опубликовано: 23.06.1989

Автор: Киптилый

МПК: G21B 1/00

Метки: высокотемпературной, дейтерий, диагностики, плазмы, тритиевой, частиц

...Ы -частиц возбуждаются дискретные состояния конечных ядер, которые затем распадаютсяс испусканием большого числа моноэнергетических-лучей. При этом-лучам с Е Голыше 1 МэВ в спектрееще появятся пики одиночного и двой.ного вылета, На фиг. 1 в качествепримера представлена схема распадарезонансных уровней ядра В, кото-,рые возбуждаются 0 -частицами.Детектор с телесным углом регистрации, составляющим 4.10 к просмат-Ф лривает плазму объемом 1 О см . ОслабЭление потока-лучей с энергиейбольше 4 МэВ составляет 0,1, В этомслучае интенсивность -лучей с энергией 4,829 МэВ, разряжающих резонансный уровень 9,274 МэВ ядра "В, возбуждающих при захвате К -частиц плазмы ядрами Ы, будет равна 330 ссм. таблицу и фиг,1. Такой интенсивности регистрации...

Номер патента: 1493938

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Борисов, Сокольников, Таращук, Терехов

МПК: G01N 22/00

Метки: ионосферной, критической, плазмы, слоя, частоты

...результате отражения слоем ионосферной плазмы, Сигнал с выхода радиоприемного устройства 4 поступает на вхоп анализатора 5 спектра,где измеряется доплеровское смещение йГ несущей частоты Г, Значение несущей частоты Г, которому соответствует38 экстремальное значение доплеровского смещения, принимается за значение критической частоты Г.Доплеровский сдвиг частоты радиоволны, провэаимодействовавшей со слоем ионосферной плазмы, критическая частота которого меняется со временем , есть где (Г- Фазовый путь радиоволны вслое моносферной плазмы, Реальный профиль электронной концентрации в слое Р 2 ионосферной плаэмы - это плавная гладкая функция высоты, адекватно аппроксимируемая в максимуме электронной концентрации.(где и формируется область...

Номер патента: 1497638

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Гвоздков, Кочин

МПК: G21B 1/00

Метки: плазмы, температуры

...5.2 5,3 , , 5.Нвыходы которых подключены к входамсоответствующих функциональных преобразователей 8.2, 8.3, 8.11.Устройство работает следующим образом,Во время плазменного разряда сдатчиков регистрации частиц 3.1, 3.2,З.Б анализатора 2 на входы счетчиков 4.1, 4.2 4.Н поступают 20электрические импульсы с частотамиследования Ек равными значениям потоков частиц в К-канале анализатора2 - 3 (Ек) (1 с = 1, 2 И). Приэтом на выходе первого цифроаналогового преобразователя 5.1 вырабатывается сигнал постоянного уровня, величина которого определяется значением напряжения Б источника 7 на неоинвертирующем входе операционного 30усилителя 6, а на выхрде этого усилителя 6 образуется сигнал, обратнопропорциональный величинеК ае =11 (С),135от.е....

Номер патента: 1501311

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Киров, Стотланд

МПК: H05H 1/00

Метки: винтовой, неустойчивости, плазмы, резистивной, стабилизации

...Ч ца границе плазмы,На оси абсцисс отложены, относительные значения радиуса (а - радиусграницы плазмы). Пунктиром пок-зацы 30стабилизирующие добавки тока с относительной величиной 57. от максимальной плотности тока. Отрезком, параллельцым оси абсцисс, показан уровень,пересечение которого с кривой 6задает положение рациональных магнитных поверхностей.На фиг. 3 приведены в относительных единицах ицкременты 3 реэистивцойвинтовой неустойчивости с модой 40ш/и = 2/1 для распределения плотности ток;, показанного кривой 7 нафиг. 2 в зависимости от запаса устойчивость на границе плазмы с круговымсечением, Кривая 8 (фиг.3) соответствует реэистивцой винтовой неустойчивости на рациональной магнитнойповерхности с меньшим, а кривая 9 сбольшим...

Номер патента: 1506598

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Морозов, Невровский, Шуров

МПК: H05H 1/54

Метки: плазмы, ускорения

...поверхность магнитногополя, расположенную в нише, подаютэлектроны.2, Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что величина тока встержнях со тавляет 0,1 величины разрядного тока,Сепаратрисная поверхность, .часть которой показана отрезком М, охватывает один из выступов поверхности катодного блока, называемый плицей. Рас стояние ее от плицы зависит от соотношения разрядного тока и тока в 40 стержне. Выбором подходящей величины последнего можно добиться, что сепаратрисная поверхность М будет проходить достаточно далеко от плицы, Тогда заключенный в области между плицей и сепаратрисой магнитный поток экранирует поверхность плицы от выпадения на нее ускоренных ионов иэ потока. Экранировка плиц достигается практически при тех...