Патенты с меткой «ионосферной»
Способ измерения критической частоты слоя ионосферной плазмы
Номер патента: 782486
Опубликовано: 15.10.1981
МПК: G01N 22/00
Метки: ионосферной, критической, плазмы, слоя, частоты
...от параметров сйгэнала1 О 2 О М(Ъ) имеет немонотонный вид, и наибольшие искажения наблюдаются вблизи максимума слоя , т.е когда Фо= 2 ар глерэреЭЙ ( Кэ энанение электронной концентрации в максимуме слоя)Если несущая частота Г(1 р, то все спектральные составляющие сигнала отражаются от ионосферы приблизительно одинаково, и сигнал, практически, не претерпевает дисперсионных искажений. На Фиг. 1 для иллюстрации показана форма прямоугольного импульса длительности Т , отраженного от ионосферного слоя полутолщиной Н, в зависимости от отношенияЯрЕсли несущая частота Г приближается к ,(р , то появляются сильные искажения Фазового спектра и, кроме тога, часть спектральных составляющих,для которых выполняется условие оИкр проходит через...
Передатчик ионосферной станции
Номер патента: 1102046
Опубликовано: 07.07.1984
Автор: Рудай
МПК: H04B 1/04
Метки: ионосферной, передатчик, станции
...входу синтезатора частот, 20 а второй выход - к управляющим входам предварительного усилителя и усилите" ля мощности, датчик тока, датчик напряжения, датчик падающей волны, датчик отраженной волны, послецовательно соединенные вычислитель выходной мощности и вычислитель проходящей мощности, а также вычислитель коэффициента отражения, выход которого подключен к второму входу вычислителя проходящей мощности, при этом входы датчика тока и датчика напряжения подключены к выходу усилителя мощности, а входы датчика падающей волны и датчика отраженной волны 35 подключены к соответствующим выходам направленного ответвителя 2 . Передатчик ионосферной станции содержит синтезатор 1 частот, предварительный 2 и управляемый 3 усилители,...
Способ определения концентрации электронов в ионосферной плазме
Номер патента: 1141319
Опубликовано: 23.02.1985
МПК: G01N 22/00
Метки: ионосферной, концентрации, плазме, электронов
...облучении исследуемого участка ионосферы радиолокационным сигналом, запускают в ионосферу на задан ную высоту пробное металлическое тело в виде сферы с известным радиусом, размеры которой соизмерИмы с длинами облучающих волн, и измеряют отраженный от нее сигнал, по которо му определяют эффективные площади обратного рассеяния пробного металлического тела с плазменным сгущением не менее, чем на двух фиксированных длинах облучающих волн, и 45 по известной зависимости, связывающей эффективну(о площадь обратного рассеяния металлической сферы, концентрацию электронов в плазменном сгущении и длину облучающей волны, 50 определяют концентрацию электронов в плазменном сгущении, а затем определяют концентрацию электронов в ноно сферной плазме по...
Формирователь импульсов для амплитудного модулятора передатчика ионосферной станции
Номер патента: 1193787
Опубликовано: 23.11.1985
Метки: амплитудного, импульсов, ионосферной, модулятора, передатчика, станции, формирователь
...амплитудного модулятора передатчикаионосферной станции работает следующим образом.Номинальное сопротивление резисторов делителя 5 напряжениявыбрано одинаковым, поэтому в 10 статистическом режиме напряжениеБ на его отводе практически равно ОфО= Еф,где Е - напряжениеисточника питания.Величина сопротивлений резисто ра 22, резистора 25, второй ДС -цепи 10, резистора 23 и резистора 26третьей РС-цепи 11 выбраны такимобразом, что напряжение на анодепервого диода 16 равно Ой 0,9 О 20 а на катоде второго диода 17 равно О 2 1,10При подаче на первичную обмоткувходного трансформатора 1 положительного управляющего импульса,на 25 его первой н второй вторичных обмотках выделяются импульсы положительной полярности, воздействующиена первый 2 и второй 3...
Способ измерения критической частоты слоя ионосферной плазмы
Номер патента: 1493938
Опубликовано: 15.07.1989
Авторы: Борисов, Сокольников, Таращук, Терехов
МПК: G01N 22/00
Метки: ионосферной, критической, плазмы, слоя, частоты
...результате отражения слоем ионосферной плазмы, Сигнал с выхода радиоприемного устройства 4 поступает на вхоп анализатора 5 спектра,где измеряется доплеровское смещение йГ несущей частоты Г, Значение несущей частоты Г, которому соответствует38 экстремальное значение доплеровского смещения, принимается за значение критической частоты Г.Доплеровский сдвиг частоты радиоволны, провэаимодействовавшей со слоем ионосферной плазмы, критическая частота которого меняется со временем , есть где (Г- Фазовый путь радиоволны вслое моносферной плазмы, Реальный профиль электронной концентрации в слое Р 2 ионосферной плаэмы - это плавная гладкая функция высоты, адекватно аппроксимируемая в максимуме электронной концентрации.(где и формируется область...
Способ модификации параметров ионосферной плазмы
Номер патента: 1702856
Опубликовано: 30.04.1994
Авторы: Агафонов, Владимиров, Курина, Марков
МПК: H05H 1/00
Метки: ионосферной, модификации, параметров, плазмы
1. СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ИОНОСФЕРНОЙ ПЛАЗМЫ, включающий формирование искусственного плазменного образования высокочастотным разрядом в поле бортового высокочастотного источника, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров области модификации, глубины и скорости модуляции параметров плазмы за счет увеличения энерговклада в искусственное плазменное образование, одновременно с высокочастотным разрядом формируют расходящиеся акустические ударные волны путем создания в области высокочастотного разряда серии взрывов при выполнении условий:Ri > Rвзр > dо, (1)II