Лонгинов

Номер патента: 1612967

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Лонгинов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: антенное, возбуждения, волн, ловушке, магнитной, медленных, находящейся, плазме

...40 стенке эапитывающего волновода 3, образованного системой волноводов, обращенной в сторону плазмы 5, будет возбуждаться электромагнитное поле, имеющее требуемую для возбуждения в плазме медленных воон поляризацию, а именно: электрическее поле параллельно магнитным силовымлиниям ловушки.Поэтому при наличии плазмы, если ее концентрация не очень мола вблизиу50 отсутствие излучения, когда отсутствует плазма), так и для воэможности возбуждения медленных волн в плазме, которые могут затем поглощаться на электронах плазмы эа счет черенковского эффекта, Так, например, для целей поддержания стационарного тока в токамаке-реакторе с использованием поглощения медленных волн необходимо, чтобы Чф = 0,3-0,7 с йп,3 -3). Анализ электродинамических...

Номер патента: 1618265

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Лонгинов, Лукинов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: антенное, возбуждения, волн, ловушке, магнитной, медленных, находящейся, плазме

...длину затухания 1 и длину волны поверхностной ИБ(Э), исходяиз величины накуумного промежутка й 45и параметров приграничной плазмы 5.Для этого необходимо решить известноедисперсионное уравнение для поверхностной МБ(Э):2 а, 3 5В Л (Ы -Я, )+Я ф -Н +Я ф - 50-я, ) х- иь (4 Г:Г - а). о,М С ЕвЬ где И = -К,-х), Б -.а55Здесь Я Я - компоненты диэлектрического тензора плазмы, а 3 Я тепловая добавка к диэлектрическому тензору плазмы. Это уравнение имеет комплексное решение х, причем длина волны поверхностной МБ(Э) определяется че-. рез.г- сК х Й ф2июЦ 11где с - скорость. света в вакууме агЭдлина затухания 1 через с1 х= - )Я 1 хгде Я - частота МИ(Э)Антенное устройство иа примере возбуждения. медленных кинетических волн (МВ(К работает следующим...

Номер патента: 1621186

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Лонгинов, Лукинов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: антенное, возбуждения, волн, ловушке, магнитной, медленных, находящейся, плазме

...круговая частотагенератора;: Я , - ионная циклотроннаячастота В - величина постоянного .Омагнитного поля, оптимальные размерыследующие; Ь = 10 см и й = 1 см,а расстояние 1 = 1 м между соседними. перемычками 4 одного проводника 3 выбирается значительно больше размерапоперечного сечения (диаметра) перемычек 4, но меньше половины длины вол 55ны Я . Для данных значений магнитногоноля Б= 2 сЯ = 5 м (с - скоростьсвета в вакууме), Расстояние между.проводниками 3 8 = 3 см,Антенное устройство работает следующим образом,За счет использования возбудителей(не показан) в замедляющей структуре,образованной системой проводников 3и перемычек 4, и в вакуумном промежутке между проводниками 3 и плазмой возбуждается поверхностная медленнаяэлектромагнитная...

Номер патента: 1603544

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Лонгинов, Лукинов, Павлов

МПК: H05H 1/00

Метки: возбуждения, волн, кинетических, магнитоактивной, медленных, плазме

...иволны, распространяющейся вгубль плазмы. В этом случае электромагнитная волна, распространяющаяся вглубь плазмы в точке ион-ионного гибридного резонанса (в обычных условиях неоднородной плазмы с нарастающей от границы плазмы плотностью) трансформируется в МК-волну, распространяющуюся вглубь плазмы. Однако при дальнейшем увеличении концентра" ции наступает ситуация, когда МЭ-волна не достигает зоны ион-ионного гибридного резонанса иэ-за возникновения зоны непрозрачности (МЭ-волна трансформируется в быструю волну перед зоной непрозрачности и таким образом в этом случае электромагнитная энергия не может проникнуть вглубь44 6относительно холодного газа на периферии плазмы, что затрудняет проникновение ионов добавки в центр плазменного...

Номер патента: 1471115

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Ананьин, Баранов, Воеводин, Курченко, Лонгинов, Селиверстов, Талантов

МПК: G01N 3/58

Метки: обрабатываемости, относительной, сталей

...фиксируют скорость резания 7 (ВК). При данной скоросРЧ максти резания проводят обработку образца твердым сплавом группы ТН и фиксируют усилие резания Р(ТН). По соотношению К = Чр(ВК)Р(ТН), являющемуся параметром относйтельной обрабатываемости, измеряют относи.тельную обрабатываемость стали. зания. При достиженисилы резания, фиксирдинамометром, опререзания Чр ,(ВКеняют инструмент наруппы ТН и проводяттали при скорости,К), силу Ч - скорость резания пр Рц максэовании инстру.1 ента ва группы ВК, оотв147 115 Способ определения относительной обрабатываемости .сталей, заключающийся в том, что производят резание образца стали и определяют. относительную дбрабатываемость, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения достоверности за...

Номер патента: 1463383

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Вишкарев, Горохов, Доморадский, Круть, Кудрявцев, Лонгинов, Перевертин, Преображенский, Тулубьев, Хитриков

МПК: B22D 7/12

Метки: защиты, разливке, сифоном, стали, струи

...0,0048 0,0097 Предлага" 0,0028емоеИзвестное 0,0040Разливкабез защиты струи 0,0063 0,0072 0,0170 з 14633и приемной воронкой применяется огне"упорная масса 7, уложенная по окруж"ности на верхний край воронки, Приемная воронка установлена на центровой 8,5При разливке сталеразливочный ковшориентируется над центровой 8 такимобразом, чтобы его выпускное отвер-,.стие располагалось сооснс коллектору1. Струя металла, поступающего изсталеразливочного ковша, направляетсяколлектором в центровую 8. Одйовре",подают инертный газ через патрубок 6. 15Он поступает в кольцевой канал, об:,разованный проточкой 3 и внутреннейповерхностью приемной воронки 2,распределяется по каналам 5 и черезних подается в литниковый канал центровой, Поскольку после...

Номер патента: 1455364

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Лонгинов, Павлов, Степанов

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, ловушках, магнитных, нагрева, плазмы, термоядерных

...где и концентрация ионов добавки; п, - конентрация основных ионов; Ч- тепло ая скорость ионов добавки; Чф,- фаэовая скорость волны вдоль магнитНого поля при температуре ионов добавки Травной температуре Т; основ-ных ионов. 55Благодаря этому зона ИЦР для добанки доступна для ММВ даже при Т; = : Т , За счет циклотронного поглощемия ММВ в зоне формируется функция где Р- мощность трансформированияв ММВ;и(Т) - концентрация ионов добавкив момент времени :, усредненная по объему Ч, н котором происходит поглощение высокочастотной мощности;Е - средняя энергия резонансных частиц;скорость потери энергиирезонансных частиц, с энергией Е за счет их торможения на ионах и электронах основной плазмы.Энергия резонансных частиц Е в оптимальных условиях...

Номер патента: 1437966

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Крамской, Лонгинов

МПК: H03F 3/60

Метки: свч, усилитель

...изображен усилительСВЧ, продольный разрез. 1 ОУсилитель СВЧ содержит входныеэлементы 1 связи, катодно-сеточнчйи анодно-сеточный коаксиальнче резонаторы 2,3, металлическую и дополнительную металлическую трубы 4,5, третий и четвертый настроечные поршни6,7, выходные и дополнительные выходные элементы 8,9 связи, выполненныекондуктивными, генераторный триод 10,Усилитель СВЧ работает следующимобразом.При подведении питающих напряжений к генераторному триоду 1 О и возбуждении.через входные элементы 1 вкатодно-сеточном коаксиальном резона торе 2 входных СВЧ-колебаний в анодно-сеточном коаксиальном резонаторе3 возбуждаются усиленнче СВЧ-колебания. Благодаря тому, что во внутренней полости анодно-сеточного коаксиального резонатора 3 установленыс...

Номер патента: 1413678

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Лонгинов, Павлов, Чмыга

МПК: G21B 1/00

Метки: внутренней, камеры, покрытие, разрядной, стенки, термоядерной, установки

...в разряд мощности ионно"циклотронного нагрева ,плазмы.Покрытие внутренней стенки разряд ной камеры термоядерной установки выполняется из легкого химического элемента, для которого Е й 10, где Е- зарядовое число, обогащенного иэотопом, удовлетворяющим условию 2/А с 20 с 0,5, где А - массовое число. В качестве покрытия может быть использован, например,.углерод, обргащенный изотопом С.Работа покрытия состоит в следующем. Благодаря тому, что покрытие вакуумной камеры обогащено иэотопом с отношением Е/А с 0,5, происходит образование в поверхностном слое вакуумной камеры соединений на основе этого изотопа, Поэтому в результате взаимодействия пристеночной плазмы с поверхностью камеры в разряд будет 351 Ъ поступать этот изотоп, например...

Номер патента: 1401056

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Артемьев, Вишкарев, Горохов, Круть, Кудрявцев, Лонгинов, Небосов, Преображенский, Сулацков, Чернов

МПК: C21C 7/06, C21C 7/064

Метки: внепечной, стали

...рафинирующее или модифицирукщее действие которых усиливается при взаимодействии с раскисленным металлом. Для равномерного распределения присаживаемых материалов в потоке металла подача инертного газа сосредоточена в месте пересечения приемных патрубков. Введение в устройство инертного газа производится не только для усиления перемешивания металла с добавками и, следовательно, для повышения скорости процессов массо- обмена, но также для создания избыточного давления во внутреннем объеме устройства. Так как обработка металла начинается в момент закрытия нижнего среза погружного патрубка поднимающейся поверхностью расплава в ковше, то создание в этот период избыточного давления инертного газа способствует уменьшению количества увлекаемого...

Номер патента: 1350662

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Лонгинов, Павлов, Степанов

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...кроме того, возможностью использования существенно большей концентрации ионов резонансной добавки (до 20-307) вследствие того, что затухание плазменной волны в зоне для Не благодаря ее мелкомасштабности и линейности поляризации не уменьшается с ростом концентрации,в то время как в этих условиях поглощение быстрои моды за счет основного ИЦР для Не сущест 3венно ослабляется.Таким образом, помимо повышения эффективности нагрева, связанного с уменьшением потерь, становится воз-можным осуществление режима с увепиченной предельной мощностью, идущей непосредственно на нагрев основных ионов как за счет эффекта обрезания хвостов.В качестве примера конкретного использования способа рассмотрим возбуждение, распространение и поглощение БЗМ...

Номер патента: 1222753

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Лонгинов, Смирнов

МПК: E02B 17/00

Метки: гидротехническое, морское, сооружение

...гидротехническим сооружениям и может быть использовано для строительства отдельных оснований морских буровых.На чертеже показано морское гидротехническое сооружение в виде основания буровой платформы, поперечное сечение.Сооружение включает нижнюю ячейку 1,среднюю ячейку 2, верхнюю ячейку 3, устанавливаемую из грунт засыпки 4, Крометого, показаны пояса омоноличивания ячеек 10подводным бетоном 5 и кольцевой железобетонный блок 6, который укладывается нагрунт засыпки внутрь верхней ячейки длявосприятия ледовых нагрузок, Он располагается на уровне спокойного горизонта во 15ды и служит опорои для технологическоиплатформы,Все ячейки, из которых собирается сооружение, монтируются на берегу в специальных кондукторах с помощью кранов малой...

Номер патента: 1216805

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Лонгинов, Павлов, Степанов

МПК: G21B 1/00

Метки: плазме, создания, стационарного

...стороны тора. Возбуждение БМЗ волны 2 в плазменном шнуре 3 осуществляется со стороны магнитного поля. Величина интенсивности потока ВЧ энергии к экваториальной плоскости 4 определяется шириной заштрихованной области. Возбуждаемая с помощью антенны 1 быстрая иода БМЗ волны 2, распространяясь со стороны сильного магнитного поля через плазменный шнур, достигает зоны трансформации в плазменную волну, где практически вся ее энергия трансформируется в энергию плазменной волны, которая выделяется наподходе к зоне 5 двойного ионного циклотронного резонанса (ИЦР) для тяжелой,примеси. Лишь незначительная часть энергии возбужденной БМЗ волны, переносимая быстрой модой,. просачивается через зону непрозрачности и достигает зоны 6 ИЦР, где...

Номер патента: 1216226

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Александров, Бояринов, Булкин, Гришков, Исаев, Калинский, Лексин, Лонгинов, Никитин, Пуртов, Рыжкова

МПК: C21D 1/78, C21D 8/00

Метки: легированных, прокатных, сталей, сфероидизирующей, углеродистых

...и термической обработке металлов и может быть использовано для получения полос иэ углеродистых и легированных сталей со структурой сфероидизированного (зернистого) перлита.Целью изобретения является снижейие энергозатрат при обработке.П р и м е р 1, Ленту из высоко- углеродистой стали марки У 8 А толщиной 2,2 мм со структурой грубоппастинчатого перлита прокатывают при 700 С на лентопрокатном станеоза один проход. Суммарное обжатие, рассчитанное по предложенной формуле, составляет 0,5. Структура гото,вой ленты после обработки по данному режиму представляет собой зернистый перлит 4-7 баллов.Обработка с суммарным обжатием 0,3, т.е. меньшим расчетного, приводит к структуре, состоящей из смеси зернистого и пластинчатого...

Номер патента: 1197054

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Германов, Головко, Крамской, Лонгинов, Пипа

МПК: H03F 3/60

Метки: свч, усилитель

...поршень,а между внешней поверхностьюметаллической трубы и внешним проводником анодно-сеточного коаксиального резонатора установлен тре"тий настроечный поршень, приэтом выходной элемент связи выполнен кондуктивньк, центральныйпроводник которого присоединен кдругому концу металлической трубы.НИИПИ Заказ 7575/57 Тираж 871 Подписно илиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 1Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоватьсядля усиления СВЧ-колебаний.Цель изобретения - увеличениевыходной мощности и повышениеустойчивости,На чертеже изображен усилительСВЧпоперечный разрез.Усилитель СВЧсодержит генераторную лампу 1, катодно-сеточный коаксиальный резонатор 2, первый настро.ечный поршень 3, входной элемент 4связи,...

Номер патента: 1157971

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Лонгинов, Павлов, Степанов

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...(для повышения эФдективности ВЧ-нагрева) добавка, ранее нигде не использовалась. Кроме того, в отличие от известного способа нагрева плазмы, где используются до 115797банки относительно легких примесей в дейтериевую плазму водорода и гелия), а частота возбуждения выбирается равной основной ионной ЦЧ для легкой примеси, в предлагаемом способе используется поглощение на двойкой ионной ЦЧ для добавки и используются примеси с повышенным значением 2 . В этих условиях повышается эффективность передачи энергии от нагреваемых волной примесных ионов к основным ионам за счет кулоновских столкновений, частота которых растет пропорционально величине 2На фиг, 1 показан плазменный шнур токамака, поперечный разрез на фиг. 2 - схема распространения...

Номер патента: 1167219

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Александров, Бояринов, Булкин, Гришков, Калинский, Лексин, Лонгинов, Никитин, Пуртов, Рыжкова

МПК: C21D 8/02

Метки: быстрорежущей, полосы, производства, стали

...мин. После Юпоследнего прохода полоса в рулонеохлаждается на воздухе, например намоталке.П р и м е р 3. Горячую прокаткуи отжиг проводят аналогично примеру 1. Далее горячекатанный подкатсечением 3,2 х 55 мм прокатывают настане с моталками в печах при тем-,пературе деформации 800 С за три прохода с нерегламентируемым обжатием в первых двух проходах и обжатием 20 в последнем третьем проходе до толщины 1,2.мм .с суммарным обжатием 682 с выдержкой при 800 С на моталке в печи во время междеформационной паузы после каждого прохода в течение 55 мин. После последнего прохода полоса в рулоне охлаждается на воздухе например, на барабане моталки,П р и м е р 4 (по способу-прототипу) . Заготовку сечением 52 х 52 мм прокатывают на стане...

Номер патента: 1116865

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Гончаров, Зотов, Лонгинов, Медведь, Попов, Рыбаченко, Юрпалов

МПК: G03H 1/26

Метки: изображений, микрообъектов, трехмерных

...поворотной турели с жесткой фиксациеймеханизм смены увеличения с наборомобъективов и ттередающяя видеокамера,в систему освещения введены осветитель с источником некогерентного света, конденсоп, и подвижное зеркало, а также оптический канал прецироняния измерительного перекрестия на видеокамеру, смонтированный на каретке вертикальной координаты,35 На Фиг,изображена компоновоч Оная схема устройства: на Фиг, 2огтическяя схема на Фиг. 3 - блок".схема управления одной нзттернтельной кареткой,Устройство содержит станин.; М 5(см. Фи ,). на которой смонтированы каретка 2 продольного перемещения с кадровым окном 3 и лентопротяжным механизмом 4, кареткя 5 поперечного перемещения,; а которой 50размещена каретка 6 вертикальнойкоординаты ;....

Номер патента: 976434

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Лонгинов, Позднышев

МПК: G05F 1/613

Метки: источник, лампы, смещения, стабилизированный, электронной

...4 через зарядный диод3 до напряжения, равного напряжениюсмещения Ос (фиг. 2 б).,Это напряжение прикладывается к промежутку сетка-катод лампы 2 и держит ее в закрытом состоянии, В момент времени С 1 напряжение возбуждения ОА (фиг. 2 а) от задающего генератора 1 поступает на сетку лампы 2, За счет протекания постоянной составляющей сеточного тока лампы 2 происходит постепенное повышение напряжения О на выходном конденсаторе 5 (фиг. 2 б). При этом диод 3 запирается и тем са-, мым отключает сетевой выпрямитель от цепи заряда конденсатора 5. Одновременно через датчик 6 напряжения напряжение, пропорциональное напряжению на конденсаторе 5, подводится к входу триггера 8 порогового блока 7, где происходит его сравнение с опорным напряжением....

Номер патента: 824785

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Коваленко, Лонгинов, Нижник

МПК: G21B 1/00

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...будет заключен во всем объеме между излучающим элементом и стенкой вакуумной камеры и определяться токами, текущими по проводникам излучающего элемента, Этим достигается значительное уменьшение доли паразитной индуктивности, что позволяет уменьшить по сравнению с прототипом угол наклона проводников излучающего элемента без ухудшения качеств устройства и в конечном счете уменьшить волновое сопротивление устройства и увеличить уровень вводимой в плазму высокочастотной энергии. Благодаря плавному изменению зазора между поверхностью, образованной дополнительными проводниками, и поверхностью излучающего элемента от места их соединения в направлении общего проводника достигается минимальное значение паразитного потока (паразитной...

Номер патента: 845743

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Лонгинов, Степанов

МПК: H05H 1/18

Метки: возбуждения, волн, плазме, электромагнитных

...винтобмотки,С целью возбуждения в плазмещих в одном направлении вдоль плазного шнура электромагнитных волн,дольная длина пластин-секторов врается больше длины затухания вораспространяющейся в области мпластинамп-сскторами ц металличекамерой, а источник высокочастоэнергии подключек к пластинам-сектВб,ц:з;. одно-.о 1 з сго концов.Благодаря та 1;Ому Вы 110 лцсц 1 ю устства в пространстве между пластисектором и мсталлпческОЙ 1 ЗмсрОЙ цтц ескц будет существовать только В .бегущая от места тотлючсцтя 11 сточк другому. концу пластин-секторов,как из-за превышения длины системы 1длиной затухания амплитуда отражеволны, бегущей в противоположномправ;тепнц, оудет нсзцачцтельна. Несдимая длина затухания может бытьгечена либо за стст излучения...

Номер патента: 841567

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Лонгинов

МПК: H05H 1/18

Метки: возбуждения, волн, медленных, плазме

...высокочастотной энергии 1 через волноводный тракт 2 подключен к патрубку-волноводу 3, яв ляющемуся частью металлической вакуумной камеры 4 магнитной ловушки. Диэлек 1 рическое окно 5 в патрубке-волноводе 3 служит для разделения вакуумной части ловушки от объема, совдиненнаго с атмос ферой. В области подключения патрубкаволновода 3 к вакуумной камере 4 расположен волновод-излучатель, образованный стенкой вакуумной камеры 4 и экраном 6, Экран 6 выполнен в виде сектора, края ко торного соединены с вакуумной камерой 4,причем в экране 6 имеется несколько рядов азимутальных щелей 7. Ширина каждой щели 7 значительно меньше длины щели, а расстояние между соседними щелями 20 примерно равно ширине щели.Устройство (фиг. 1) работает...

Номер патента: 786835

Опубликовано: 07.01.1982

Автор: Лонгинов

МПК: H05H 1/18

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...786835буждает колебания в резонансной системе, образованной полюсами 3, пластинами 4, шинами 6 и конденсаторами 5. Характерное распределение высокочастотных токов в фиксированный момент времени показано на фиг. 2, где сплошной линией обозначен путь основного тока, штриховой линией - токи рассеивания, имеющие меньшее значение, чем основной ток. Благодаря протеканию тока в азимутальном направлении на поверхности плазменного шнура создается высокочастотное продольное магнитное поле, которое является источником возбуждения в плазме быстрых электромагнитных волн.Конденсаторы не сосредоточены в одном месте, а распределены равномерно в азимутальном направлении (в данном примере выполнения шесть точек включения конденсаторов), поэтому...

Номер патента: 496890

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Лонгинов, Мирошниченко, Нижник, Солодовченко

МПК: H05H 1/00

Метки: нагрева, плазмы

...условию наитиермояд йство для наи д е 1 - попе цаем длинречная ость пл а волн колеба новым и -ме во Изобретение может " применение вэкспериментальных т ерных установках.Известны устройства для нагрева плазмыпутем возбуждения электромагнитных волн 5в плазме с помощью катушки индуктивности,охватывающей плазменный шнур и создающей пространственное периодическое высокочастотное магнитное поле.Такие системы могут возбуждать достаточно эффективно только быстрые электромагнитные волны, поглощаемые, в основном,ионной компонентой плазмы,В предлагаемом устройстве с целью эффективного ввода высокочастотной энергии вплазму возбуждающая система выполнена ввиде кольца, а источник высокочастотнойэнергии подключен между кольцом и камерой.На чертеже...

Номер патента: 434891

Опубликовано: 05.11.1975

Автор: Лонгинов

МПК: H05H 1/18

Метки: возбуждения, волн, плазме, электромагнитных

...график распределения азимутальной компоненты электрического поля вблизи поверхности плазменного шнура (в плоскости АА на фиг, 1); на фиг. 4 - устройство в варианте с использованием диэлектрических колец; на фиг. 5 - поперечное сечение устройства, показанного на фиг. 4.В плазменном шнуре 1 электромагнитная волна возбуждается с помощью волновода 2, выполненного в виде диэлектрической трубы. Параметры волновода (диэлектрическая про434891 А с ницаемость и толщина стенки) выбирают так, чтобы рабочая частота была близка к частоте отсечки вол,повода, Волновод 2 возбуждается с помощью диэлектрического резонатора 3, расположенного соосно с волноводом и имеющего более, высокую диэлектрическую проницаемость. Аксиальная длинна волны собственных...

Номер патента: 488852

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Докучаев, Козуб, Кокошко, Лонгинов

МПК: C12G 1/02, C12G 1/032

Метки: виноматериала, потоке, хересования

...1Хв.В пентов ",1 Сачовки1 орГИ 1ъ 1:- Гркислорода 19 сообщенный патрубками 2"3КажДОй И ЕМОС:8 ВХОДУ 11 И . гО,Пятрубк 1 20 снябжень 1 соленоиднымчВентилями 21,аналогичными вентилями ,: и,-3. Оп-.-.бжен 1 Все пйтрубк 1 оед 1 Г 1 И 1 снт 18 е 1 ко т 1Й также отводные патрубки,Установка работает следуюю 1 м Обр зо,киноматериал из напорного резервуара15 через регулиру 1 ощий клапан ХВ поступает В дозятоо Х 4. В зависимости от р бочеГО режима установки Виномятериалпроходит 1 ибо дерез б 1 й 11 Й.-1 г, ччО"7либо чзрз соле 1 оиднй ве: 1 1 (СТуПаеТ В ЕМКОСТЬ .1. Я - .;:= ";-Е ;э".гие емкости.Затем зясевяют хересщде дрож,",1 д 11,"и,".ъДУВЯОт НЯДВИННЬ 18 11 РОТОЯЧВЯ и ЛОВГ ЭМдля подл;Рржяния жизнедеятельности д о 1 к-.жей,ПО 14808 фоЗМ...

Номер патента: 397139

Опубликовано: 05.03.1975

Автор: Лонгинов

МПК: H05H 1/18

Метки: возбуждения, волн, плазме, электромагнитных

...схематически показано предлагаемое устройство в двух проекциях; на фиг.2 - аналогичное устройство с резонатором, выполненным в виде набора колец; на фиг. 3 приведен общий вид резонатора, выполненного в виде сегмента трубы.Резонатор запитывают от источника 1 высокочастотной энергии через коаксиальные кабели 2 и систему вибраторов 3, Число вибраторов выбирают из условия согласования входных импедансов коаксиальных кабелей.Вибраторы представляют собой отрезки проводников, расположенные в теле резонатора по его периметру.15 В случае выполнения резонатора в виде набора колец (фиг. 2) зазоры между кольцами выбирают из условия обеспечения необходимого аксиального периода собственных колебаний резонатора.2 О В предлагаемом устройстве при...

Номер патента: 342560

Опубликовано: 05.02.1975

Автор: Лонгинов

МПК: H05H 1/00

Метки: дейтериевой, дейтерийтритиевой, нагрева, плазмы

...диссипацшо О энергии волны на всех стадиях нагрева. Изобретение отноплазмы.Известные способы нагрева плазмы,путем возбуждения ионно-циклотронпой волны в плазме осуществимы при органиченных значениях плотности и диаметра плазменного шнура, При использовании для нагрева быстрой магнитозвуковой волны с частотой, равной удвоенной ионно-циклотронной частоте, достаточно силыное поглощение волны может иметь место при относительно высоцких температурах ионов, для чего требуется предварительный нагрев плазмы другими методами.Предлагаемый способ нагрева плазмы позволяет осуществить эффективное возбуждение волны при,различных значениях плотности и диаметра плазменного шнура. При этом эффективная диссипация энергии волны осуществляется в широком...

Номер патента: 341131

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лонгинов, Нижний

МПК: H03B 11/08

Метки: 341131

...П-обиндуктивность 4, еуакит для согласовнагрузкой. К выхо нараз- мкоания дным 1.нЖф - В,С 1 т Изобретение относится к технике получения высокочастотной энергии большой мощности.Известно устройство для формирования радиоимпульса, содержащее искусственную линию типа 1.С с разрядниками и нагрузку,Радиоимпульс, сформированный с помощью известного устройства, имеет довольно большие длительности переднего и заднего фронтов.Цель изобретения - уменьшение длительности переднего и заднего фронтов огибающей радиоимпульса при работе ца комплексную нагрузку.Для этого в предлагаемом устройстве параллельно нагрузке через коммутатор подсоединен конденсатор, образующий совместно с нагрузкой резонансный контур на рабочей частоте, а между линией...

Номер патента: 318150

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лонгинов, Нижник

МПК: H03K 3/80

Метки: 318150

...отрицательную полуволну напряжения, причем общая точка каждой группы звеньев соединена с крайней индуктивностью соседней группы.На чертеже представлена принципиальнаяэлектрическая схема предложенного устройства.Устройство выполнено в ваде искусственной1.С-линии с П-образными звеньями, составленной из нндуктивности 1 и емкости 2. Линияна конце нагружена на нагрузку 8,Для формирования профиля синусоидальной воелны на линии кондснсаторы предварительно заряжаются до соответствующих напряжений через резистор 4 от зарядногоустройства б и коммутирв момент начала работы линии при помощи разрядни- ков б.Линия составлена так, что группа П-образных звеньев, формирующая положительную полуволну напряжения, подключается к соседней группе звеньев,...