Патенты с меткой «плазмы»

Номер патента: 527097

Опубликовано: 25.12.1977

Автор: Немировский

МПК: G01N 21/00

Метки: параметров, плазмы, пристеночной

...ольку определениеций распределения производят в оченьком классе функций.Цель изобретения - повышение точн измерений параметров плазмы.Эта цель достигается тем, что в плазмевозбуждают электромагнитные волны с од 587/26.-2, (51) М, Кл,01 М 21/00 ой частотой, но разной модой к змеряют коэффициенты матрицы распределения параметров плазмы.Способ опрепеления параметров пристеночной плазмы заключается в том, что с помощью волновода уВеличенного сечения и излучающей апертуры от СВЧ-генератора подводят ряд моп одной частоты к присте- ночному слою плазмы, Отраженные от плазмы моды распространяются по волновопу в обратном направлении, В измерительном сечении волновода расположено устройство, которое измеряет коэффициенты матрицырассеяния мои,...

Номер патента: 467705

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Кравченко, Машковский, Паславский, Самойленко, Чуянов

МПК: H05H 1/02

Метки: плазмы, стабилизации

...к стабилизирующему электроду.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства. 40 Приняты следующие обозначения; плазма 1, стабилизирующий электрод 2; активный двухполюсник 3, состоящий из емкос 1 ного моста 4, дифференциального каскада 5 и(усилителя 6.Устройство работает следующим образом. В результате разделения зарядов в плазме 1, связанного с возникновением ,желобковой неустойчивости, на электроде 2 за .счет токов смещения возникает потенциал, который поступает в одну из диагоналей ,емкостного моста 4. Иэ этой диагоналиГпотенциал подается на вход дифференци- ального каскада 5, выход которого сое 1 Йинен со входом усилителя 6. Усиленный сигнал с выхода усилителя 6 подается В другую диагональ емкостного моста, делится...

Номер патента: 574100

Опубликовано: 05.06.1978

Авторы: Гугняк, Кулагин, Николаев, Рыкалин, Сорокин

МПК: H05B 7/18

Метки: генератор, плазмы

...смонтированы внеш 5 ние электроды 7 и 8, которые высоко- частным Фидером 9 и 10 подключены к колебательной системе высокочастотного генератора 11. На штуцерах установлены дополнительные внешние электроды 12 и 13, а на тороидальной разряд 30 ной камере - внешние электроды 14 и 15. На штуцере установлен узел 16 подачиплазмообразующего газа. Низкочастотные обмотки 17 и 18 трансформатора расположены на боковых магнитопроводах. С помощью развязывающих Фильтров (на схеме не показано) обмотки выведены из корпуса 1 генератора плазмы и подключены к источнику переменного напряжения промышленной частоты (на черте же не показано).Генератор плазмы работает следующим образом.С помощью Узла 16 в штуцер вводится плазмообразующий газ, например воз...

Номер патента: 611129

Опубликовано: 15.06.1978

Автор: Мельников

МПК: G01N 1/10

Метки: низкотемпературной, отбора, плазмы, потока, проб

...под д з мере о ис и давенпем жидкостью, к лектор 2жидкостиу 5, соеьзо-. тем 3, создающей струюшую в приемную труб тстойником 6. из о работиз сос ает следуюши уда 1 подают 3, Струя жидк отемпературночастицы из пл ают в приемную ескои суш ности и достиг об отбора проб ной плазмы пут шей среды 21 особа отбора я является спокотемпературпроб отбирао нко зыв оток низ Б результат кидкостью и ого азмь труб казанного с туп можность получить достаточгаза, сложность и трудоемкпроб. оини и з о б ния является повышение рму ения ретения состоит в том,робоотбираюшей среды ись, химически не взаимоСпособ отбора проб из потока низкотемпературной плазмы путем подачи струи про 2, боотбирающей среды, о т л и ч а ю ш и й Целью изобрет точности...

Номер патента: 534161

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Кравченко, Ладиков-Роев, Машковский, Ткаченко

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, стабилизации

...секционированными, причем соединение между отдельными секциями, их количество и взаимное расположение зависит от числа мод, сигналы которых необходимо отфильтровыватьСхема предлагаемого устройства показана на чертеже.Схема включает плазму 1, стабилизирующие катушки 2, зонды 3, состоящие иэ секций 4, операционный усилитель 5, Формирователь амплитудно- Фаэовой характеристики 6, оконечный усилитель 7 и каналы 8 управления. Сигналы о возмущении с двух секционированных зондов, расположенных под углом 180 в азймутальной плоскости, поступают на входы О и б операционного усилителя одного из каналов. В операционном усилителе происходит вычитание одного сигнала иэ другого, что позволяет отФильтровывать сигналы всех четных мод. Для...

Номер патента: 574103

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Диденко, Тузов, Усов

МПК: H05H 1/00

Метки: нагрева, плазмы, удержания

...ловушку для удержанияи нагрева плазмы. Недостатком этого спо"соба является наличие замкнутого тороидальЗаказ 3303/4 Тираж 992 По дписн ое ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийилиал П П "Патент г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ного магнитного поля во время инжекциирелятивистского электронного пучка в тор.Тороидальное магнитное поле, выполняяроль ведущего поля для электронов пучка,одновременно препятствует прохождениюэлектронов к малой оси тора, а возмущениетороидального поля вместо инжекции собственным полем пучка существенно снижаеткоэффициент захвата пучка и делает невозможным осуществление многооборотной инжекции,Цель предлагаемого изобретения - увеличение тока в электронном...

Номер патента: 526089

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Кравченко, Ладиков-Роев, Машковский, Ткаченко

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, стабилизации

...характеристики в нужном направлении на определенный угол. Это постигается применением перекрестных связей О между каалами управления, На вход оконечного усилителя поступает сигнал с формирователя амплитудно-фазовой характеристики, а на вход,в часть сигнала с выхода Г формирователя другого канала, Изменяя вели- д чину сигнала, приходяцего от формирователя другого канала, можно менять фазу стабилизирующего воздействия, т.е, поворачивать амплитудно-фаэовую характеристику ннеобходимый для обеспечения устойчивости ",О угол, К выходам ц и е оконечного усилителя подключены стабилизирующие катушки с переменной плотностью намотки. Магнитное поле такой катушки, выполненной иэ К элет 25 ментов, каждый из которых представляе собой...

Номер патента: 537586

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Агеев, Колесник, Широканов, Янковский

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, плазмы, эрозионной

...плазмы электроды установлены внутри пластины изолированно от отверстия и имеют открытые плоские рабочие поверхности, расположенные нормально по отношению к оси отверстия.На чертеже показан предлагаемый источник плазмы, общий вид,Источник состоит из полости 1 в диэлектрическом материале 2, в качестве которого может использоваться оргстекло, текстолит, тефлон и другие материалы, химический состав которых содержит только элементы, необходимые для эрозионной плазмы. Внутри диэлектрического материала, в котором изготовлена полость, установлены электроды 3, изолированно от отверстия, причем открытые плоские поверхности электродов расположены нормально по отношению к оси отверстия. Такая установка электродов обеспечивает пространственное...

Номер патента: 639551

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Баскова, Кудряшов, Ляпина

МПК: A61K 35/14

Метки: активности, крови, плазмы, фибринолитической

...те.перат 5 рс пс 20 менее часа. 112 Гаки); фибриновык пластп 2.; пскгно ается и;юцссс активацш плаз- М 1 П 0 ЕП 1.Ь 2 СГЬ ПГ 12 С ГПП 10 ГОБ 51 Т ТАКИ) ЖС ООРВЗОМ,по осз доблспя О,)"-но е-амипокапроаб ПОПО; кпсс;Оть. Н; таки; пластина:; можно0 рслять наряду сеферментатш)пым1 Щ - т" 1)пдр 1 Олпзом и 1 ктиВПОсть акПВ 2 торОБП 2 ".,;, И 0 С 1Прооь: плазм 1:1 крОБИ словска 1 лп )1 п Потного освобо)кдают от тромбоцитов центршругпроваписм цГратной крови при639551 Формула изобретенияосдвитсл( С. Малютина 1 сирс,ч С. Лнтипенко Коррскор Т, Досровольская Редактор Н. Хуоларова Здкдз 2208(9 Изд, ЬЪ 771 Тира)к 666 Г 1 одписиос 1110 Госугарствсиного комитета СССР по дслд ивоорстсиий и окрытии 113035, Москва, Ж.Зо, Раунскан паб., д. 4/5Типография,...

Номер патента: 598524

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Гвоздков, Фицнер, Черкашин, Чуянов

МПК: H05H 1/16

Метки: неустойчивостей, плазмы, стабилизации

...Составитель В. Обухов Редактор Е. Месропова Техред А. Камышникова Корректор А, Степанова Типография, пр. Сапунова, 2 случае малых инкрементов, порядка нескольких процентов от частоты колебаний)из-за применения поисковой системы дляотыскания области устойчивости, о т л и ч аю щ е е с я малым быстродействием, 5Цель изобретения - повышение быстродействия,Это достигается тем, что по предлагаемому способу из сигнала с датчиков состояния плазмы выделяют колебания на частоте подавляемой неустойчивости, сравнивают уровень амплитуды колебаний с заданным значением и в зависимости от ихразницы производят автоматическое изменение параметров обратной связи, 15На чертеже показано устройство, реализующее предлагаемый способ.В плазменном устройстве...

Номер патента: 646474

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Митришкин, Фицнер, Чуянов

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, стабилизации

...плучаемых приращений плотности и .При подавлении, например, жалобковой неустойчивости плотность ограничивается при появлении потерь плазмывследствие возникновения неустойчивых 50колебаний, В одних случаях возникаютрежимы ограничения плотности со сбросами, в других (например, при изменении вакуумных условий) - режимы ограничения плотности без сбросов, В первом случае максимальные значенияплотности определяются параметрамиобратной связи. При достижении этихзначений замкнутая система фплазма+обратная связь выходит на границу 60устойчивости, что приводит к потерямплазмы и сбросу плотности. Процесспоиска максимума максимальных значений плотности согласно предлагаемому способу для простоты иллюстри 65 руются по одному управляемому параметру,...

Номер патента: 665894

Опубликовано: 05.06.1979

Автор: Дьяченко

МПК: A61B 5/145, G01N 33/15

Метки: исследованиям, плазмы, подготовки, реактив, серологическим

...крови равное количество плазмы и форменных элементов, поэтому образовавшаяся надосадочная жидкость представляет соотношение плазмы к объему взятого реактива - 1:10, 1:50, 1:100, т. е. получаюттребуемое разведение для серологических исследовании. Если рабочее разведение плазмыдолжно быть иным - 1;25, 1:75, 1:120,тогда из разведения 1:10 готовитсянеобходимое.,Для удобства расчетов используется Предлагаемый реактив позволяет формула; сократить срок серологических исслев дований плазмы в 2-3 раза и ловыф ф сить чувствительность реакции агглютинации.где Т требуемое количество реактива или физиологического раствора для получения необходимого разведения;А - необходимое развсденж,:В - имеющееся разведение.П р и м е р . Из основного разведения...

Номер патента: 673210

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Бертанд, Гарвей, Геламэн, Джон, Кеннет, Роберт

МПК: H05H 1/00

Метки: высокотемпературной, плазмы, удержания

...устройство для удержаниявысокотемпературной плазмы, содержа"щее тороидальную вакуумную камеру,помйценную внутри внешней тороидальной оболочки, имеющей аэимутальиоесечение в виде кольца с разрезом иподключенной со стороны разреза кисточнику тока (2).Эта установка не дает воэможностисущественно повысить стабильность.плазмы иэ-за наличия определенныхдопусков при изготовлении соленоидови неточностей в определении магнитныхполей.Белью иэо.Подписи нного коМитета СССР тений и открытий Ваушская набд,а Тираж 94 Государств елам изобр ква, Жю 13035 4/5 илнал ППП фПатейт , г.ужгород, ул,Проектная,4 3 6732Камера 1 разделена перегородкой б,расположенной между дополнительноЦобмоткой 5 и осью основной обмотки 4,Обмотки 4 и 5...

Номер патента: 685967

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Чащин

МПК: G01N 27/00

Метки: значений, металлических, монокристаллов, параметров, плазмы, сдвигов, электронной

...для регистрации квантовыхосцилляций поверхностного импеданса, остаются меньше толщины подвергнутого воздействию поверхностногослоя,Ограничение исключает вклад внутненней части образца, не подвергавшейся воздействию, в образованиесигнала осцилляций поверхностногоимпеданса.На чертеже изображена копия за 25 писи,одновременно зарегистрированных квантовых оспилляций поверхностного импеданса , и квантовыхосцилляций магнитной восприимчивости всего объема образца впридх/ийИ 2двух температурах: Т = 2,05 ОК иТ = 1,7 К, Интенсивность сигнала Аизображена в относительных единицах,а зависимость от магнитного поля Нв едИницах обратного магнитного поля Н КЭ . Направление магнитногополя Н совпадало с направлениемкристаллографической оси1010 1-Н //...

Номер патента: 374041

Опубликовано: 30.10.1979

Автор: Акшанов

МПК: H05H 1/00

Метки: горячей, инжектор, плазмы, универсальный

...пушке, проходит достаточный поток горячей плазмы.25 Инжектор работает следующим образом.В вакуумную камеру подают рабочий газ до необходимого давления и включают электронную пушку 8, в результате чего быстро образуется предварительная плаз ма, при взаимодействии с которой электронного пучка возникает ВЧ и НЧ-колеЗаказ 2372/1 Изд.642 Тираж 945 Подписное ИПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова,бания (вследствие развития пучковых миронеустойчивостей), Это приводит к интенсивной бесстолкновительной передаче энергии пучка частицами плазмы при ускорении некоторой их части до весьма высоких энергий. Так, например, в режиме получения...

Номер патента: 667063

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Акчурин, Рабинович, Тучин

МПК: H01S 3/00

Метки: времен, газоразрядной, компонентов, концентрации, плазмы, релаксации

...При этом определение глубины модуляции диаметра лазерного луча осуществляют измерением распределения по диаметру луча постоянной состав,ляющей и амплитуды переменной составляющей сигнала с фотоприемника на частоте модуляции, а глубину модуляции определяют по формулегде Ф- глубина модуляции диаметра лазерного луча)дц - глубина модуляции сигналас фотоприемника;,Х- координаты точек внутрилазерного луча;103 - диаметр лазерного луча,Выполнение предложенного способа иллюстрируется следующим примером.Времена релаксации и концентрации атомов в метастабильных состояниях измеряют в газоразрядной плазме, помещенной в активный объем резонатора Не - Не -лазера, например, типа ЛГ 52-3 ( Х - 6328 А), с длиной резонатора- 30 см, радиусом разрядной...

Номер патента: 720567

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Сковорода, Тимофеев, Швилкин

МПК: H01J 17/48

Метки: магнитное, плазмы, поле, помещенной, температуры, электронной

...вычисляют из следующей зависимости: 65 где 6 - коэФфициент поглощениямощности электромагнитнойволны в плазме,1 ЛВ -/1" (В 3 )производная магнитная поляВ по координатев точкеэкстремума;д - частота электромагнитнойволны ди = Ое зсю + Ю,Предлагаемый способ определения электронной температурыплазмы поясняется чертежом,где изображено изменение электронной циклотронной частоты цг в пространстве вдоль оси Е (линия А). Вектормагнитного поля награвлен по оси 7 .Фиг,1 соответствует минимуму магнитного поля; фиг,2 - максимуму, Плазмапомещается в магнитное поле с экстремумом, Вдоль оси Е сквозь плазмупропускается электромагнитная волнас частотой ы, представленная линией Б,Фиг,1 соответствует случаю,когда магнитное поле имеет минимумв точке...

Номер патента: 723397

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Кузнецов, Однороженко, Сабокарь, Твердохлебов

МПК: G01K 13/02

Метки: плазмы, температуры

...затрудняется налипвнием твердых частиц вещества, находяшнхся в плазме, на датчнк теплового потока,Э 7233что ухудшает его эк:плувтвционные характеристики и снижает точность результатов,получаемых при реализации этого способа.Бель изобретения - увеличение точности измерения температуры в условияхвысокой запыленности плазменной струи.Указанная цель достигается тем, чтодатчикутеплового потока придают колебательное движение в направлении перемещения датчика, период колебания которых не превышает времени взаимодействия частиц вещества с поверхностьюдатчика.Время взаимодействия частиц вешес 1- 15ва с поверхностью различных материаловизвестно.Способ осуществляется следующимобразом,20Перемещение датчика в потоке плазмы сопровождается...

Номер патента: 414951

Опубликовано: 05.04.1980

Автор: Лаврентьев

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...К чтобы придти в центр сферы одновременно с ранее инжектированными частицами. Мы имеемй Р1+ - = -20 4 тсй э о -3ги = - =б 10 см4 ус г еЧО Составитель В. КимРедактор Г, Месропова Техред О.Легеэа Корректор Г. Назарова Заказ. 493/47 Тираж 885 Подписное ЦНИ 11 ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская набд, 4/5 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 откуда можно получить закон, по которому должна выбираться скорость потоков в каждый момент времени, а следовательно, ускоряющие потенциалы, прикладываемые к источникам частиц: ЧОЧ= (1)ойЕсли конечная скорость потока частиц О то инжекцию надо закончить в момент 1 Оте -- так как частицы инжектиройк Чьванные позднее 1 со скоростью...

Номер патента: 588901

Опубликовано: 05.04.1980

Автор: Лаврентьев

МПК: H05H 1/16

Метки: высокотемпературной, плазмы

...- координата точки старта;- текущая координата;О(г) - искомая функция распределения потенциала импульсав слое.588901 Формула изобретения 40 Л фиг. 2ставитель О., Лаврентьевхред Н.Ковалева Корректор В, Бутяга Фие,актор Е. Месропов акаэ 499/4 8 Тираж 885 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патенф, г. Ужгород, ул. Проектная,Это интегральное уравнение можетбыть решено с помощью преобразованияАбеля. Его решение:2 Ц( 1 . Г ИЛУ 1- = - + --- 1- - (1 ГСВ 1 й 1-2(2 )в 2 Т ипц лщг) ,5На Фиг. 1 приведена зависимостьпотенциала от радиуса; на фиг, 2 вупрощенном виде показан элемент шарового слоя,На участке от Н до 3/2 Р она близ- Ока к линейной. Участок от...

Номер патента: 434889

Опубликовано: 05.04.1980

Автор: Лаврентьев

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...выхода медленных электронов из области магнитной3 4348 щели и быстрых электронов из ловушки при положительном потенциале на запирающих электродах.Предлагаемый способ осуществляют следу. ющим образом.5При наложении на отрицательно заряженные электроды ловушки с плазмой положительных импульсов отпираются магнитные щели и электроны из ловушки устремляются на находящиеся под нулевым (или положительным потец циалом) электроды. В первую очередь на элект. роды попадают электроны из области магнитной щели, так как их время пробега даже для ма. лых энергий ( - 10 эВ),1 см 151 О О Мфсиьегде- глубина магнитной, щели.Для быстрых электронов из объема (поскольку они совершают более 10 пробегов в зо области удержания, прежде чем попадают в магнитную...

Номер патента: 602067

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Лаврентьев, Саппа, Шевчук

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, удержания

...через магнитные щели ловушки. Од 15 нако большие потери плазмы через магнитные щели и малый внутренний объем ловушки не позволяют получить и ней достаточно большой плотности плазмы.Наиболее близким техническим решением к предложенному является способ удержания плазмы в мультипольной магнитной ловушке, основанный на возбуксдении ограничивающего магнитного поля пропусканием встречно-параллель ных токов по в парам пронодников, охнатывающих оабочий объем ловушки и расположенных на расстоянии г от ее оси, и последующем закрывании магнитиях щелей ловушки 21. 30 Недостатком этого способа также является сравнительно низкая плотность удерживаемой плазмы, обусловленная тем, что магнитные щели ловушки закрывают путем подачи запирающих...

Номер патента: 494123

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Комельков, Модзолевский

МПК: H01T 5/00

Метки: плазмы, удержания

..."землей,Блок 10 пуска. вырабатывает высоковольтный импульс, который, попадая на запускающий электрод 2, инициирует 20 пробой основного промежутка, Напряжение на индуктивном сопротивлении хк практически мгновенно возрастает до рабочего напряжения батареи конденсаторов, так как в первый моменнт 25 после проббя напряжение делится по индуктивностям, а индуктивность Е выбрана много большей йндуктивности рабочего контура.В результате одновременно с пробоем основного промежутка 3 О происходит пробой в отверстии электро-, да 3 вдоль поверхности изолятора 5, Наличие здесь интенсивной ионизации предопределяется концентрацией большей части разрядного типа в отверстии З 5 промежуточного электронна, Начинается разряд батареи б на нагрузку 9.Магнит-....

Номер патента: 548145

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Лаврентьев, Потапенко, Степаненко

МПК: G01N 27/00

Метки: ловушке, параметров, плазмы, электромагнитной

...способ позволяет определить потенциал провисания объемного заряда в магнитной щели.20Формула изобретения Известен способ измерен плазмы путем регистрации матнитную щель ловушек ион Эти опасобы могут быть но применимы к лзмерени провисания в магнитной щели Цель изобретения - опре циала провисания объемного нитной щели.ия параметров выходящих в ов 2.непосредственю потенциала деление потен заряда в маг измерени нитной д ящик в м личаю елен и:я заряда в ов пода камеры л альному ется тем, что на детектор егулируемый отрицательный меры ловулки потенциал и ьному значению, соответстению ионного тока,на деискомой;величине.изображена схема реализаого способа, включающая достига подают р тельно ка минимал му насыщ, судят об чертеже...

Номер патента: 725643

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Жаринов, Клаудио, Орландо, Оскар, Пенгачева, Прусак-Глотов, Силаев, Хосе

МПК: A23J 1/06

Метки: белка, выделения, крови, пищевого, плазмы

...плазмы добавляют кислоту или кислые соли,доводя величину рй средыдо 6,8, Йагревают смесь до 90-95 ОС; "после чего снова добавляют;кислоту или кислыесоли, устанавливая рН на уровне 6,3. Вновь доводят смесь до 90-95 С ивыдерживают 10 мин. Затем устанавли"вают величину рй.на уровне 5,8 и 4,9, причем в каждомслучае нагревают до 95-98 С и выдерживают 10 мин.В течение нагрева при йоследовательно фиксируемых зчачениях величины рН в пределах 6,8-6,3-5,8-4,9 , происходит полная денатурация белков плазьы, егрегация и выпадение,йх в осадок.Сдвиг рН средыв кислую сторонуосуществляют добавлением либо органических кйслот, например, лимонной,либо неорганичеоких,например, соляной,либо введением кислых солей, напримерНаНР 04.Для увеличения размеров...

Номер патента: 671681

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Комельков, Модзолевский

МПК: H05H 1/00

Метки: кумуляции, плазмы

...СинхронноСть взаимодействия струй обеспечивается, если скорости струй равны, а фронтыих смещены в пространстве не более, чемв пределах толщин их скин-слоев. Одновременность выхода струи в зону кумуляции и одинаковые скорости их продольного движения устанавливают выбором времени включения стартовых разрядников 7, 8, 9, напряжений и током конденсаторных батарей, длин цилиндрических частей электродов,2, 5 и 6.Когда оболочка с током покидает пределы цилиндрической части электрода 2, шнур сохраняется продолжительное время только в случае ограничения поперечного движении боковой плазменной оболочки 14, Такое ограничение выполняет боковая поверхность 15 плазменной струи с током с . Аналогично боковая поверхность 16 препятствует...

Номер патента: 598522

Опубликовано: 15.06.1980

Автор: Лаврентьев

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...чтобы частицы, испущенные с поверхности сферы в разные моменты време. ни, приходили в центр сферы одновременно,Недостатком этого способа является сложностьт15 получения больших плотностей и температуры плазмы. Целью изобретения является повышение температуры и плотности плазмы.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу в центре сферы, с поверхности которой испускаются пучки ионов и электронов, помещают частицу твердого термоядерного горючего. Сущность изобретения состоит в том, что в дополнение к повышению плотности энергии и концентрации частиц в сходящихся пучках ионов и электронов достигается повышение концентрации плазмы за счет испарения термоядерного горючего с поверхности частицы и повышение плотности энергии за счет...

Номер патента: 434890

Опубликовано: 15.06.1980

Автор: Лаврентьев

МПК: H05J 1/16

Метки: плазмы

...объемным зарядом,Если в области магнитных щелей наложить постоянное электрическоеоле Е,направленное вдоль магнитной щели иперпендикулярное к вектору магнитного поля Н ловушки, то происходитдрейф электронов в срещенных электрическом и магнитном полях в направлении стенок магнитной щели со скоростью ч = сЕ/Н. Если полуширина 45магнитной щели с, то с характернымвременем 1/ч = Н/сЕ медленныеэлектроны будут теряться на стенкахмагнитной щели. Для эФФективного ихудаления из ловушки это характерноевремя должно быть значительно меньшевремени образования плазмы, откудавеличина электрического, поляЕ0 Н/сБыстрые электроны пролетают магнитную щель за время= Е/че,где 1. - глубина магнитной щели,ч - скорость электрона.еЗа время пролета они получают...

Номер патента: 766047

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Аксенов, Модестов

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, температуры, электронной

...проводимости, а также тем, что активную проводимость определяют измерением проводимости потерь параллельного резонансного колебательного контура, включенного между зондом и корпусом, а амплитуду напряжения зонда задают величиной связи контура с питающим генератором.Схема устройства для осуществленияданного изобретения представлена на чертеже. Оно состоит из электрического 6 1 1 Г= -где Т - электВ - заряд К - посто И И Цг- амплижения иная температуона,опьцман ек иная туды и со ременного на етс твуюши е активные проводимости. 2, Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что активную проводимость определяют измерением проводимости потерь параллельного резонансного 0 колебательного контура, включенногомежду зондом и корпусом, а амплитуду...

Номер патента: 773494

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Кудряшов, Ляпина

МПК: G01N 33/48

Метки: активности, крови, плазмы, фибринолитической

...борнокислого натрия, помешивая тонкой стеклянной палочкой , После этого пробу делят на две равные части по 2,5 мл, В одну пробирку приливают раствор МаСс в концентрации 0,85- 0,9 Ъ, а в другую - протаминсульфат в концентрации 0,01-0,05по весу, Далее пробы инкубируют при 37 С в течение 5-10 мин, после чего в обе пробы добавляют 0,25 мл 0,025 М раствора СаСР , помещают в пробирки1.тонкие стеклянные палочки, вокруг которых образуется сгусток фибрина, и замечают время от начала образсва773494 Формула изобретения Составитель Л, СоловьевРедактор О, Колесникова Техред Н, Граб. Корректор Л, Иван Ш Ф щжж В ЬВ е щ Ь Заказ 7492/55 Тираж 1019 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,...