Патенты с меткой «носителей»

Номер патента: 1742859

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Ребане

МПК: G11B 11/03, G11C 13/04

Метки: информации, копирования, носителей, оптических, фильтров

...частоты в фотовыжигательном свете и длительности освещения, т.е. пропорциональна дозе облу"ЗО чения, Так как доза облучения пропор" циональна глубине провала пропускания в Фильтре-оригинале, то профиль Фильтра-дубликата с точностью до постоян" ного множителя повторяет контур поло сы пропускания фильтра-оригинала.Свет облучения должен иметь спектр, содержащий все пропускаемые фильтром- оригиналом частоты, причем интенсивности частот приблизительно одинаковы. 40 Может использоваться и спектрально узкий свет (в том числе лазерный луч), сканируемый по частоте так, что весь рабочий интервал фильтра-оригинала к концу цикла выжигания получают одина" ковую дозу освещения. Из-за некоторой зависимости эффективности Фотовыжигания, а также дозы...

Номер патента: 1746435

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Андреева, Махний

МПК: H01L 21/66

Метки: гомо-р-п-переходе, диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей

...к подавляющему числуполупровОдниковых структур с р-п-перехо. дом, у которых пи сгр мало различаются.Выражением(1) нельзя в ряде случаев пользоваться даже для резко асимметричных переходов, поскольку для получения этихсоотношений из формулы (1) должны выполняться Неравенства 1 зр пр Ипи 1 вр рр,гг Оп 20т,е, фактически - ) " или наоборот,1-р . 1-иУказанные критерии трудно установить, таккак для этого. требуется знание не толькоопределяемых из опыта проводимостей и- ир-областей диода и концентраций основныхносителей в них, но также значения 4 п и р,которые как раз и необходимо найти,Целью изобретения является обеспече-.ние возможности одновременного определения диффузионной длины для электронов 30и дырок в гомо-р-и-переходе с любым...

Номер патента: 1748139

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Аксенчиков, Недужий, Павлов

МПК: G03G 16/00

Метки: дифрактометрических, записи, носителей, фототермопластических, характеристик

...Под считывающий луч усмкм, выполненный из композиции поливи- танавливают участок без записи и измеряютнилкарбазола стермопластическим связую- величинупрошедшего через него световогощим, помещают в подвижную кассету потокав нулевой порядок дифракции. Заустановки, включающей сенситометриче- тем устанавливают под считывающий лучский источник света (лазер ЛГс длиной 25 области с разной величиной экспозиции наволны экспонирующего излучения А =0,63 каждой из которых находят участок с оптимкм), узел очувствления фототермопласти- мальной температурой проявления путемческой пленки(скоротрон). узел ееэкспони- перемещения образца по его ширине. Велирования в поле интерференционной чину МЭ для каждого поля определяют...

Номер патента: 1754727

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Власовская, Горчаков, Денисова, Лебедин

МПК: A61K 39/44, C08F 212/14

Метки: антител, белковых, иммобилизации, карбоксилсодержащих, носителей, полимерных

...ОН-группы карбоксила), (1110 см ),(группы простых эфиров).П р и м е р 2.20 г хлорметилированногосополимера стирола и 15% дивинилбензола, полученного в присутствии 100 бензина и содержащего 17,2 хлора, загружаютв колбу, заливают 100 мл диэтиленгликоля,нагревают до 180 С и выдерживают приэтой температуре и перемешивании 10.ч,Затем сонолимер отделяют, промывают водой до нейтральной реакции, переносят вколбу, заливают 100 мл 20 О-ной азотнойкислоты и выдерживают при 50 С и перемешивании 4 ч, после чего сополимер отделяйй; промывают водой до нейтральнойреакции. Полученный продукт содержит0,82 ммоль/г карбоксильных групп,В ИК-спектрах продукта имеются характеристические полосы поглощения карбонильного кислорода карбоксильных групп. П...

Номер патента: 1760550

Опубликовано: 07.09.1992

Автор: Дьяченко

МПК: G11B 5/84

Метки: безгистерезисной, записи, магнитной, носителей, остаточной, поляризации

....та ПОСЛЕ БОЗД 6 ЙСТБИЯ ПЕРВОЙ НВМЗГНИсИВЗЮЦ 8 Й Г)ОГУг)ОЛ)Ы Д)РЯ"(енОгтььД )Р ."- г/г: Лан)ой ленты потребуется отрицательное пале 15 200 3, чтобь Привести к ну/1 О магиитнуопал 5 ризаци 10 О)ззцз, ПО криВОЙ Н ( Г) п 8- ред отрицательной полувалной напряженностью 200 3 произойдет намагничивание положительной полуволной 25 б Э, которое 20 па кпивой Нг.- таеоУет ОтоицзтельноЙ полуволны 85 3 Для прив 8 Дсни полЯризаЦии к нул)с. 3 то пале 85 3 вместе с предшеству)оцей положительной полуволной амплитудой 140 3, Определенной по кривой Н ., Т),140 + 85Сфоо);Ирует поле -- , --112,5 /3), Которое ПО Кг)ИВай ЯН) даСТ Я 112-5) == 70 " сТаким ОбраЗОм, бЕЗГиСтврЕЗиСНУО ОСта тачну 10 поляг)изаЦию палучаОт из второйпоследовательной пары полей,...

Номер патента: 1771005

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Караханьян

МПК: H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, подвижности, полупроводниках

...пока напрякение Овых на МДП-конденсаторе удовлетворяет условиюОвыхЕэ - Опор,Так как 25 . Еэ - Опор)2Из полученного выражения для,и видно, что имеет место линейная зависимостьмежду скоростью разряда конденсатора и30 подвижностью носителей тоха в каналеМДП-транзистора,Длительность импульса должна бытьдостаточной для заряда МДП-конденсатораемкостью С через МДП-транзистор с удель 35 ной крутизной К:1 п = 7 - 10) эзар,г40 тзопредеием тежащей с пара=1 пф,П-ко- -нтрансатора емко и исток МДП-транзистора. при этом нижний уровень напряжения на затворе и верхний уровень напряжения на истоке устанавливают в диапазоне от Опор+ 0,1 В до Опор+1,0 В. верхний уровень напряжения на затворе устанавливают соответствующим ненасыщенному режиму...

Номер патента: 1772817

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Борицкая, Борицкий

МПК: G09B 23/18

Метки: времени, демонстрационное, жизни, заряда, неравновесных, носителей

...делителя 3 частоты формируется длинный импульс, по переднему фронту которого одновибратор 8 формирует сигнал, приводящий в исходное состояние элемент 11 выделения максимального значения напряжения и счетчик 15,Импульс с выхода делителя 3 частоты запускает формирователь 4 импульсов, который формирует на своем выходе импульс тока, обеспечивающий импульс излучения быстрадействующего светадида 5. Этот прямоугольный импульс излучения оптического или ближнега инфракрасного диапазона спектра обеспечивает засветку окна фотодиода 6, который формирует на своем выходе импульс фотоэдс. Однако, этот импульс фотоэдс иэ-за инерционности фотодиода за счет времени жизни неравновесных носителей заряда не сохраняет прямоугольную форму. Причем, интервал...

Номер патента: 1774397

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: базовой, заряда, концентрации, носителей, области, р-п-перехода

...захваченных носителей с постоянной времени О, где 0 определяется параметрами ГЦ, Тогда разность между двумя значениями емкости в моменты времени т 1 и 1 г после окончания импульса инжекциие 11/О М е 1 г/О М (е ц/О- е сг/О): ЬСм, (3)где М - полная емкость р-п-перехода, обусловленная ГЦ.Если между окончанием импульса прямого напряжения и началом импульса обратного прошло время таад, при котором напряжение на структуре равно нулю, перезарядка ГЦ будет определяться двумя процессами;во-первых, термической ионизацией,во-вторых, во время Гзад, когда напряжение и, следовательно, электрическое поле вбазе р-и-структурыы равно нулю, захватомносителей из зоны с погтоянной времени г.После окончания тэад и начала импульса обратного напряжения...

Номер патента: 1775753

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бумай, Вилькоцкий, Доманевский, Нечаев, Шлопак

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, полупроводниковых, профиля, слоях

...проводимости такой системы от напряжения смещения, При измерениях постоянноенапряжение на ртутные электроды подается таким образом, чтобы центральный барь. ер был смещен в обратном направлении. Врезультате этого под ним увеличиваетсятолщина обедненного слоя, а следовательно уменьшается емкость барьера Шоттки ислоевая проводимость области полупроводника подбарьером. Импеданс цепи, образованной кольцевым барьером, смещенным впрямом направлении и областью полупроводника, находящейся между барьерами,практически не зависит от величины подаваемого напряжения. Таким образом, видзависимостей емкости и активной составляющей проводимости от напряжения смещения будет определяться профилямираспределения концентрации и подвижности носителей заряда в...

Номер патента: 1778819

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Карпов, Карпова

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, объемного, полупроводниках, примесных

...подключения испытуемого об разца (фиг. 2) показаны: диафрагма 1, игольчатые электроды 2, испытуемый образец 3,область рекомбинации 4, инжектирующее излучение 5,.линии электрического тока 6;Реализуется способ следующим образом. В зависимости от требуемого уровня инжекции задаются количеством свободных носителей заряда примеси в зоне проводимости полупроводника и пользуются вь 1 раже нием где и - количество свободных зарядов примеси в зоне проводимости полупроводника, А - константа, численно равная количеству связанных носителей заряда с энергией активизации Еи, К - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, определяют требуемую температуру образца,Присоединяют испытуемый образец 3 к источнику тока при помощи игольчатых электродов...

Номер патента: 1778821

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Иванов, Федорцов

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, времени, жизни, неравновесных, носителей, полупроводниках

...волны зонда измерение времени жизни либо вообще перестает быть возможным в силу непрозрачности образца, либо существенно снизить чувствительность способа, Это исключает возможность применения описанного выше способа прототипа для измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках.Целью предлагаемого изобретения является расширение области применения за счет получения возможности измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках и повышение чувствительности,Поставленная цель достигается тем, чтов предложенном способе зондирующее и инжектирующее излучения выбирают из области максимальной прозрачности исследуемого образца (сохраняя при этом условие,...

Номер патента: 1790002

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Ребане, Ренге

МПК: G11B 11/03, G11C 13/04

Метки: информации, копирования, носителей, оптических, фильтров

...умеренной ин1790002 35 одного оригинала, на материал копии одновременно с его экспонированием воздействуют излучением с длиной волны 250 - 520 нм и интенсивностью 1 - 10 мВт/см, при этом излучение направляют на материал ко пии в пределах телесного угла в 2 лстерадиан,Формула изобретения Способ копирования оптических фильтров или носителей информации по авт. св, К. 1742859, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества копирования и увеличения количества копий, получаемых с 45 50 Саста в и тел ь С. Ил ьчукТехред М.Моргентал Корректор Н.Милюкова Редактор Заказ 351 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский...

Номер патента: 1797721

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Дибиров

МПК: G03G 21/00

Метки: актимелин, восстановления, носителей, основе, преимущественно, реагент, свойств, селена, слоем, способа, фоточувствительным, фотоэлектрических, электрофотографических

...некоторое "размягчение" поверхностного слоя электрофотографического носителя, которое инициирует, по-видимому, диффузионные процессы, Во всяком случае, например, при обработке поверхности селена ватным тампоном, сухим или смоченным спиртом, на тампон практически не переходит селена, если и переходит, то при сильном механическом воздействии на поверхность носителя. Но при растирании реагента тампоном без всяких усилий на последнийпереходит значительное количество селена, о чем свидетельствует интенсивный красный цвет тампона,Финишная обработка. проводимая по прототипу, представляет собой длительный процесс и заключается в том, что необходимо оставить на фоторецепторе тонкий слой реагента (доли, микрона), играющий роль временной защитной...

Номер патента: 1799802

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Жестков, Кононов, Мухин, Руденко

МПК: B63B 21/24

Метки: закрепления, мидийных, носителей

...выполнен, в принципе, из нескольких секций, соединяемых между собой известным образом). Если требуется установить анкер 5 на большую глубину, а длины грузовогоканата стрелы 2 недостаточно, тогда опускают анкер 5 с частью шланга-троса 4, Его петлю закладывают, например, на киповую .планку (не показана), Далее грузовой гак . стрелы 2 заводят на следующую петлю на шланге-тросе 4 и производят спуск анкера 5 уже с двумя частями шланга-троса 4, Так производится спуск частями на требуемую глубину, По достижении заданной глубины, когда анкер 5 штырями 11 внедрится в грунт дна, шланг-трос 4 заводят в кронштейн 3.Теперь через шланг-трос 4 в пустотелый корпус анкера 5.можно спустить утяжеляющее вещество, В качестве утяжеляющего вещества в данном...

Номер патента: 1835567

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, концентрации, мдп-транзисторов, носителей, свободных

...О, Ок ОПрЕдЕЛяЕтСя ВЕрХНЕИ - Ъ границей интересующего нас диапазона из- ОС менения напряжений на затворе. Подают на затвор периодические сигналы (твч) с фронтом нарастания т, удовлетворяющим усло- уи (Ок) = ), С 1 вч (О), (Ц - О - 1),1 СЯ 1- С,ч Огде Снч - С 1 нч+ Сгнч, Свч = С 1 вч + С 2 вч. Со - 5 емкость диэлектрика;3 - площадь диэлектрика;р - элементный заряд.П р и м е р реализации, Объектом является и-канальный МОП-транзистор с площадью затвора я -21,9 10 з см 2, Величины С 1 нч, С 2 нч определялись по емкостному току при подаче на затвор медленно меняющегося напряжения, представляющего собой синусоидальный сигнал с частотой 1 Гц, Для ОПРЕДЕЛЕНИЯ С 1 вч, С 2 вч На ЗатВОр ТРаНЗИСТО- ра подавалось на фоне постоянного смещения быстро...

Номер патента: 2001046

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Анюховский, Бугров, Бычкова, Зуев, Колесова, Космодемьянский, Лебедев, Недув, Родионова, Северин, Цайлингольд, Цофина

МПК: C08F 220/18

Метки: акрилонитрила, бутилакрилата, информации, качестве, магнитных, монометакрилата, носителей, полимерного, рабочих, связующего, слоев, сополимер, этиленгликоля

...гидроксильных групп; узкий пик средней интенсивности при 2240 см - валентными колебаниями С - = М - групп мономерных звеньев акрилонитрила.Таким образом, ИК-спектры рассматриваемого полимера содержат полосы поглощения всех трех сомономеров, использованных при его получении. Сохранение полос поглощения, характерных для каждого из сомономеров, в экстрактах полимера, 2001046") БутилакрилатАкрилонитрилМонометакрилатзтиленгликоля 100 проведенных разными растворителями,подтверждает, что зто сополимер,Содержание гидроксильных групп в сополимере определяли по известной методике. 5П р и м в р 1. Для проведения сополимвризации используют стеклянный реактор,снабженный рубашкой для подвода охлаждающей жидкости или подогрева. Шлифованная верхняя...

Номер патента: 2001047

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Анюховский, Бычкова, Зуев, Колесова, Космодемьянский, Лебедев, Недув, Островский, Поплавский, Фрончек, Цайлингольд, Цофина, Яблонский

МПК: C08F 220/18

Метки: 5-винилтетразола, акрилонитрила, бутилакрилата, информации, качестве, магнитных, носителей, полимерного, рабочих, связующего, слоев, сополимер

...реакции, СПродолжительностьреакции, ч 18Конверсия мономеров, мас,Среднечисленная молекулярная масса 40000Содержание кислотных групп, мас. 2,4П р и м е р 4. Порядок загрузки и прове 80 99,8 дение полимеризации аналогично примеру 1 Рецепт полимериэации, мас,ч.Бутилакрилат 60Акрилонитрил 30 1005-Винилтетразол 1 ОЦиклогексанон 150Азопентанол Ц 1,0Температура реакц, С 70Продолжительностьреакции, чКонверсия мономеров, мас.ф 100,0Среднечисленная молекулярная массаСодержание кислотных групп, мас. 2.8П р и м е р 5, Порядок загрузки и прове 20 120000 дение полимериэации аналогично примеру 1Рецепт полимеризации, мас,ч.Бутилакрилат 60Акрилонитрил 30 1005-Винилтетразол 10Этила цетат/бутилацетат (60:40 об, ) 150Азоизобутиронитрил мас.1,0...

Номер патента: 2001466

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Шалыгин, Штурбин

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, неравновесных, носителей

...поля в образце течет кольцевой электрический ток (далее будем называть его "ФЭМ-током"). Расчеты показывают, что плотность этого тока максимальна на границе светового пятна, а ширина токового кольца примерно равна диффузионной длине. При станционарном освещении ФЭМ-ток стационаренЕсли освещение не стационарно, а модулировано, то ФЭМ-ток будет переменным, и вследствие эффекта электромагнитной индукции в индукционном элементе связи 4, расположенном вблизи рабочей поверхности образца, будет возникать ЭДС. На фиг,1 для наглядности в качестве индукционного элемента связи изображен одиночный кольцевой проводящий виток, опоясывающий световое пятно 3 и расположенный вблизи рабочей поверхности образца, но не имеющий с образцом...

Номер патента: 1694018

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Корнилович, Студеникин, Уваров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий охлаждение образца до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем B и одновременно переменным магнитным полем с амплитудой h << B, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и локальности неразрушающего контроля, воздействуют на образец монохроматическим когерентным излучением, энергия кванта которого меньше ширины запрещенной зоны полупроводника, и поляризованного так, что вектор напряженности электрического поля перпендикулярен вектору индукции постоянного магнитного поля B, регистрируют интенсивность 1 прошедшего через образец или отраженного от него излучения, по соседним максимумам зависимости...

Номер патента: 1660532

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...контакта, генерируются неосновные носители заряда, которые создают фототок короткого замыкания,Освещают образец монохроматическим светом длиной волны 1 мкм (при этомз -а= 5,7 10 мкм, и выполняется условие а а 1), Подаю-, напряжение обратного смещения 01= 1 В и измеряют соответствующее значение барьерной емкости С 1 фото- токакороткого замыкания при отсутствии магнитного поля. Воздействуют на образец магнитным полем. Под действием магнитного поля, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, ННЗ диффундируют к выпрямляющему контакту под углом Холла относительно нормали к поверхности выпррмляющего контакта, Регистрируют фототок ;ь короткого замыкания при воздействии магнитного поля.Затем повторяют измерения (измеряются...

Номер патента: 1634060

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...ь 6 = - и- --ф 1- -- -О Ч (.а,:заесты)л, позволяет, одновременно с извеП р 1 М С,). Оц рад"ЛяЮЭндпацня П:3 д-,",)г)э крелневой цпас;и;ы роводимогьн. р-типа. Дпч измерения поверхностнойфотоЭДС применяют структуру металл-оки сгл-полупроводник с полупрозрачныл металлическим слоем. Образец помещают в зазор между полюсами электромагнита и освещают мо;охроматическим светом Иэ 1 еняя длину вол, свс)д А в диапазоне от ) 8 до 1 05 мкм, измеряют интенсивность световоо )огока С, гдддерживдя пос-оян- НЬМ ЗНДЧЕНИ 6 ЦОЯЕРХ)ОСТЕЙ фОТОЛДС.Опред)гяюг значь я коэффициента гоглоце ия света цо формула5 сг =0,521367 ,14425 1О 585368 х1 ,( + 03358 и строя г эда: симость 0 =- г(гх ).1 з получечной эд)исимости огределякц д)лффузион.ю дл.у Н 1 3= 87,. Мкм к:.к...

Номер патента: 1403914

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на помещении полупроводникового образца в магнитное поле и инжекции неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения определения подвижности в образцах большей толщины, создают выпрямляющий контакт на поверхности образца, вектор индукции магнитного поля направляют перпендикулярно поверхности образца, измеряют значения фототоков при отсутствии, а также при наличии магнитного поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда по формулегде B индукция магнитного поля;Iф фототоки через выпрямляющий...

Номер патента: 1493023

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Варданян, Мартиросян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, параметров, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, основанный на измерении тока через образец, имеющий выпрямляющий контакт при отсутствии и при наличии воздействия на образец магнитным полем, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда, образец освещают монохроматическим светом в длинноволновой области спектральной чувствительности, изменяют длину волны света и определяют зависимости коэффициента поглощения и фототока от длины волны света при наличии и отсутствии воздействия на образец магнитным полем, строят графики зависимостей обратного фототока от обратного...

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...

Номер патента: 1232029

Опубликовано: 10.12.1997

Авторы: Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках, содержащее формирователь инжектирующих импульсов, формирователь опорного напряжения, первый и второй резисторы, операционный усилитель с клеммами для подключения исследуемого полупроводника на входе и на выходе, первый и второй блоки выборки и хранения, масштабирующий преобразователь и генератор импульсов, первый выход которого соединен с входами формирователя инжектирующих импульсов и формирователя опорного напряжения, выходы которых через первый и второй резисторы соответственно подключены к первому входу операционного усилителя, второй вход которого подключен к общей шине, а выход операционного усилителя соединен с входом первого блока выборки и...

Номер патента: 1598776

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, изолирующей, носителей, подвижности, подложке, слоях, эпитаксиальных

Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке, заключающийся в создании поверхностного барьерного контакта к эпитаксиальному слою, приложении к структуре высокочастотного тестирующего напряжения и напряжения постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения подвижности у границы раздела подложка - пленка, к структуре дополнительно прикладывают низкочастотное модулирующее напряжение и измеряют зависимость сигнала производной емкости по напряжению от напряжения смещения, находят отношение сигнала в максимуме измеренной зависимости к сигналу при нулевом смещении, после чего по величине этого отношения по...

Номер патента: 1593458

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Байдюк, Дикова, Степанов

МПК: G06K 13/00

Метки: информации, носителей, подачи

Устройство для обработки и подачи носителей информации, содержащее приемный стол с держателями и амортизационной пружиной, кинематически связанный с приводом, кассету для носителей информации с подающими роликами, приемные ролики и проекционный узел, включающий источник света, оптически связанный с фотоприемником, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, приемный стол содержит прямоугольный короб с боковыми выступами в его днище и плоской прозрачной крышкой, два закрепленных симметрично на его боковых стенках толкателя в виде скоб с отогнутыми навстречу друг другу концами, выступающими над плоской прозрачной крышкой, и защитную прозрачную пластину,...

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...