Патенты с меткой «носителей»

Номер патента: 1000945

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках, свободных

...период осцилляций дифференциального магнитосопротивления туннельного контакта при нулевом напряжении смещения на нем.Поскольку в данном случае регистрируются осцилляции дифференциального магнитосопротивления образца с туннельным контактом в магнитном поле,в нем определяется средняя концентрация свободных носителей заряда в малом объеме Ч=5 й, где 5 - площадь"уннельного контакта, Р - длина свобо;ного пробега, т.е, обеспечиваетсявысокая локальность измерений.физическая сущность способа поясняется следующим образом,Диффере;(циальное сопротивление туннельного контакта при постоянном напОяж;:.,ии смещения Ч обратно пропорцио(Гально готности состояний полупроводни в ; при энергии Я .+еЧ ( - энергия7 ер(;, полупроводника, знак...

Номер патента: 1003008

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Ганчо, Громов, Морозов, Моцкус

МПК: G03G 15/02

Метки: динамической, зарядки, информации, носителей, органических, электрофотографических

...электризатора 1 и 2,над которыми перемещают органический электрофотографический носитель 3 информации. Электризаторы содержат коронирующие проволочки 4 и управляющие сетки 5 и б, Кор нирующие проволоки 4 соединены с источником 7 высоковольтного напряжения. Сетка 5 электризатора 2 подключена к источнику 7 высоковольтно го напряжения, а через дополнительное сопротивление 8 связана с сеткой электризатора 1Устройство работает следующим образом.1 ООЗООВ Таким образом, напряжение на сетке б больше, чем на сетке 5, на величину напряжения на мелких уровнях.Установка на сетке электризатора 2 напряжения, соответствующего рабочему потенциалу слоя, и увеличение его ширины зарядки от 30-135 мм позволяет автоматически довести потенциал Слоя,...

Номер патента: 1011175

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Высота, Ковтун, Мамонтов, Яковлев

МПК: B01D 35/06

Метки: записи, магнитной, носителей, суспензии, фильтрации

...фильтрующей поверхности, что затрудняет фильтрацию. Кроме того, отфильтрованная суспензия поступает на поливную машину с неориентированными ферромагнитными частицами и прилежа-. шими слоями связующего, а магнитное поле устройства для ориентации частиц поливной машины не обеспечивает строго параллельной ориентации частиц в рабоч ем слое и равномерности их распределения снижает магнитные свойства носителей магнитной записи,При значении. напряженности более 250 Э происходит задерживание частиц на фильтрующей поверхности, что ухудшает фильтруемость и снижает магнитные свойства носителей магнитной записи.На чертеже приведен график зависимости объема фильтрата от времени фильтрации. П р и м е р 1, Производят фильтрацик по...

Номер патента: 1012185

Опубликовано: 15.04.1983

Автор: Драздис

МПК: G03B 23/04

Метки: изображений, информации, носителей, приборах, смены, съемки

...механизм перемещениявыполнен в виде центрального толкателя,установленного по оптической оси при-бора, и двух боковых толкателей, расположенных в плоскости, перпендикулярной центральному толкателю, при этом подающая и приемная кассеты установлены симметрично центральному толкателю с противоположных сторон, а держатель носителя информации размещен на торце центрального толхателя.На чертеже схематично изображено предлагаемое. устройство.К электроннооптическому прибору 1 присоединен герметичный корпус 2 с установленной в нем Т-образной направляющей 3 с отверстием по главной оптической оси прибора 1 для центрального толкателя 4 и расположенными симметрично центральному толкателю прямоугольными окнами.для размещения кассет 5 и 6 с...

Номер патента: 1019390

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Беляева, Воробьев, Колонтаев, Панасюк

МПК: G03G 5/02

Метки: изображения, носителей, фотографических, фототермопластических, характеристик

...характеристики носителя в каждый момент записи и, анализируя эти характеристики, определяют оптимальное время зарядки и проявления носителя.П р и м е р. Определяют фотографические характеристики фототермопластического носителя на основе фоточувствительного слоя селенида мышьяка и термонластического слоя. бутилметакрилата с акрилнитрилом, Одновременно с коронной зарядкой поверхности носителя проецируют 40 45 50 55 макроскопический растр через ступенчатый клин освещенностей (0,5-8 лк) 60 и интерференциониыйрастр частотой. 300 л/мм с интенсивностью когерентного излучения 106 Дж/см 2. Потенциал на коронирующем электроде б кВ, температура проявления 70 ОС,. время 65 зарядки и экспонирования 2 с.РазДля излучения динамики развитияпроцесса...

Номер патента: 1019472

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Волков, Кальмансон, Каплин, Малюгин, Трайнин

МПК: G06K 17/00

Метки: информации, носителей, поиска

...направляющим рычагом, и вторуюось с центральным и подпружиненнымрычагом, причем механизм захвата иперемещения закреплен в корпусе свозможностью возвратно-поступатель"ного движения, на котором закреплены два сухаря с противоположнонаправленными скосами и связанные снаправляющими рычагами.На фиг, 1 представлена кинемати"ческая схема заявленного устройствадля поиска носителей информации;на фиг, 2 " конструкция кассеты срасположенными в ней прокладками иносителями информации (далее в описании - микрофишами); на Фиг. 3 принцип захвата и возврата микрофиш.Предлагаемое устройство содержит кассету 1, механизм поиска носителей информации, состоящий из шагового двигателя 2, винта 3, имеющегорезьбу двух направлений, ползунов4, поводков 5...

Номер патента: 805873

Опубликовано: 30.05.1983

Автор: Принц

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, ловушек, неосновных, носителей, полупроводниках

...для каждого полупроводникового соединения определяютпо появлению релаксации Ьарьерной емкости после пропускания прямоугольного импульса тока в прямом направлении через диод с барьером Ыоттки,Сущность способа заключается вследующем,При пропускании через диод с Ьарьером Шоттки на ь -полупроводникеимпульса тока с плотностью выше пороговой происходит заполнение дырочных ловушек в оЬласти полупроводника под барьером Лоттки. ( Пороговаяплотность тока для диодов с барьеромШоттки на арсениде галлия 100 А см 2.Для заполнения ловушек достаточнодлительности -1 мкс ).Заполнение ловушек дырками проис"ходит благодаря инжекции дырок изметалла в полупроводнике при пропускании импульса тока Ьольшой величины.На чертеже представлены графикиСИ....

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1024951

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Байдюк, Дикова, Степанов

МПК: G06K 17/00

Метки: информации, носителей, поиска

...отверстий носителей, Поиск носителя осуществляется поворотом относи тельно своих осей группы кодовых спиц, соответствующей перфорации этого носителяКодовые спицы, из- . меняя свои положения относительно пазов носителя, освобождают его и дают возможность покинуть кассету 2 Недостатком этого устройства является то, что подвижное, взаимодействие двух сопрягаемых поверхностей сложного профиля кодовая 60 .спица - носитель приводит к быстрому износу краевой перфорации носителя как более слабого элемента па" ры и выходу из строя, а это требует замены его дубликатом. 65 12, две прозрачные пластины 13 и толкатель 14, Носители информации имеют краевую перфорацию с отверстиями 15.В исходном положении каждый носитель информации подвешен в кассете...

Номер патента: 550882

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Юзкевичене

МПК: G01R 31/26, H01L 21/00

Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной

...горячихносителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создаютпосредством лвгирования полупроводника, что является технологически слож, ным и трудно контролируемым процес Осом. В процессе измерения наряду сполезным сигналом обычно появляютсяи нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.В известном способе определения 15эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике 1в части однородного образца с контактами, создаютэлектрическое поле,причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий...

Номер патента: 1030315

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Аврамкин, Дьяченко, Ковтун, Костова, Соломко, Харитоненко, Ходьков

МПК: C01G 49/06

Метки: железа, игольчатой, используемой, магнитных, носителей, окиси

...водой до рН. 6,8- 7,2,сушат при температуре не выше 80 аС,. порошок размалывают и подвергают термообработке для получения магнитной-окиси железа, Обезвоживание и восстановление проводят одновременно при 450-600 С в атмосфере продуктов термической диссоциации ПАВ. и водорода до получения магнетита, окисление которого до Я -окиси железа проводят при 220-250 С в атмосфере окислительного агента. Полученный продукт может быть. подвергнутуплотнению с целью улучшения диспергирования в ферролаке.Предлагаемое ведение процесса окис. ления гидоозакиси железа при, 26-30 С с расходом окислителя 0,0075 Ъ 0,027 г-моль 02/л.ц до рН 4,8-5,3 и обработка моногидрата окиси железа гидроокисью при расходе последней 0,06-0,15 г-ион ОН /л,ч имеет целью...

Номер патента: 1034969

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Альфред, Хольгер

МПК: B65G 47/06

Метки: ленточных, носителей, разделения

...которых управляется конфигурацией находящихся со стойками управляющих кулачков.После обработки заданного количества носителей приподнимается подъемная те О лежка и тем самым стопка носителей. После этого можно повторить вышеописанную операцию разделения.На фиг. 1 показано устройство разделения ленточных носителей; на фиг. 2 - то же, вид сбоку; на фиг, 3 - магазин для25 штабеля носителей; на фиг. 4 - то же, вид сверху; на фиг. 5 - разделитель.Приспособление для разделения ленточных носителей 1 состоит из основного каркаса 2 в качестве самостоятельного узла, на котором закреплены остальные элементы (фиг. 1), Вертикально перемешаюшаяся в призматической направляюшей 3 подъемная тележка 4 сцеплена через храповой механизм 5, состоящий из...

Номер патента: 1036456

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Ковтун, Костова, Соломко

МПК: B22F 9/16

Метки: железа, игольчатой, магнитных, носителей, окиси

...время равно 0,5-3 ч, Кро ме того, процесс установления адсорбционного равновесия адсорбция - десорбция ПАВ на поверхности частиц и образование хемосорбционных связей требует затрат времени того же поряд-. ка 0,5-3 ч. Уменьшение времени введения ПАВ приводит к неравномерности модифицирования поверхности частиц окиси железа, а увеличение времени нецелесообразно.Установлено, что охлаждение суспен зии до температуры Фильтрации на 10- 60 оС ниже точки Крафта с непрерывным перемешиванием суспензии .должно проводиться с определенной скоростьюо0,2-0-,1 С/мин, обеспечивающей равномерное покрытие частиц моногидрата окиси железа одинаковым по толщине слоем из молекул ПАВПроводить охлаж дение при скорости менее 0,2 С/мин, нецелесообразно а...

Номер патента: 1038891

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Виткус, Лауринавичюс, Малакаускас, Пожела

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках

...4, Суммарный сигнал детеклупроводниковых образцов произволь- тируется детектором 5 и подается на, ной формы и имеет нйэкую точность. вход усилителя 15. с выхода усилителяцель изобретения - обеспечение иэ-, 15 сигнал поступает на двухкоординат.мерений параметров полупроводниковых Зо ныйсамописец 16, .на его у-вход., образцов произвольной Формы при позы- на.Х-вход которого .подается ыапряже-шении точности. ние с датчика 17 магнитного поля.указанная цель достигается тем, С изменением величины магнитного по"; что в предлагаемом устройстве измери- ля изменяются фаза и амплитуда протельное плечо образовано двумя отрезшедшего через исследуемый полупроводками металлических волноводов, на об- никовый образец 8 сигнала, На двухращенных друг к...

Номер патента: 919486

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Захаров, Настаушев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей

...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...

Номер патента: 1040547

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: H01H 21/66

Метки: заряда, носителей, полупроводниках, фактора, эффективного

...ЭнергииеЧ 1 еЧФ2где Ер - энергия Ферми материала ис-,следуемого образца;е - заряд электрона;Ч( и ЧФ - значения напряжений на тун- З 0нельном контакте,при которыхнаблюдается осцилляции, связанные со спиновыми подуровнями уровня Ландау, при этом;знак напряжения соответствует знаку потенциала на полупроводнике.На чертеже приведен график экспериментальной зависимости дифференциальногомагнитосопротивления от напряжения натуннельном контакте для магнитных полей20,30,40 кГс (кривые 1-3 соответственно).Сущность способа заключается вследующем.Туннельный ток системы металл-тун 45нельный барьер-полупроводник описывается выражением) (и):я чЫ) и(яЫЬ (50где Ч(Я) - прозрачность барьера;М(Я) - плотность состояний полу"проводника;А - константа (для...

Номер патента: 791124

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Батавин, Гуляев, Жаворонков, Ждан, Сандомирский, Ченский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках, примеси

...Сп шийс тели возб лучением по п. м, чт ют эл,отличаюнеосновные носкктромагнитным иэ(54)(57) 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯКОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ И ПОДВИЖНОСТИНОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВдДНИКАХ, основанный на измерении электропроводности, напряжения Холла и определении концентрации примеси и подвижности носителей расчетным путем,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения точности, образец перед 3. Способ по п.ш и й с я тем, чтовозбуждают корпуску4. Способ по п,щ и й с я тем, чтовозбуждают электрич лича юовные носитеизлучением л ича ю вные носител полем. еоснярнымо теосноским и,80791124 где К постоянная Больцман заряд электрона: Ч - высота равновесного ного барьера в иссле образце ф791124 Фректор А. Ференц . ктор О. Юркова Техред ВЯалек раж...

Номер патента: 1045210

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Воробьев, Колонтаев, Наседкина, Панасюк

МПК: G03C 5/02

Метки: информации, носителей, сенситометрических, фототермопластических, характеристик

...Вильнюс,. 1980, с,(5457) УСТРОИСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СЕНСИТОМЕТРИ 1 ЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЕЙ ИНФОРМАЕ(И 11, содержап)е оптчас: блок проецкрова)кя изображения растра в плоскость ототер"опласткческого носителя информации состоящий кз последовательно распо ,ечх;а огчесоу оси )сточника света:, о)денс ооа. клна освеце.;ютей, с.стоаобьектква, дкафраг.ь, затвор,; фотстермопласткческого носителя :.,ормацкк,расголоже)ного )е,;,у прозра,, За. -рядным злектродс.; и агревата.,ьы.", злсментом,. а также блофоокро а,:кяизобреле.я р-стра в п,оскост воспроизбраженкя, состоящий из фокутиеской скстемь и диафрагор и фотозлектрический блок изображения, о т л и ч а ютем, что, с целью определе.;етркческих характеристик в разования...

Номер патента: 771959

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Евдокимова, Исаков, Науменко, Семкина, Широкова, Эстрин

МПК: B01J 21/04

Метки: катализаторов, корундовых, масса, носителей, огнеупорная

...термостойкости и механической проч ности носителей из огнеупорной массы,Для достижения цели предложена .огнеупорная масса дпя изготовления корундовых носителей катализаторов,0 15 включающая технический глинозем, гидрат .окиси ашоминия и связку, .в качествекоторой масса содержит жидкий бакелит микротрещиноватую структург. о оесрытой пористостью 25 40% и преимщвственнымрадиусом пор 1000-3000 Х;Корундовые носители из предлагаемой,массы содержат КЮр 03 в количеств.вв 99,0% и характеризуются высокоймеханической прочностью (разрушающее ф напряжение нри сжатии 150-400 кгс/сЩ:и тврмостойкостью (30-80 водах твннс. смерд при перепаде температур 120020 С, что нозвопяег их рекомендоватьдля диссоциато 1 ров типаДАТЬ-400.55Дпя изготовления...

Номер патента: 1056316

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

...вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендикулярно поверхности образца, инжекции пакета, ННЗ путем освещения .поверхности образца импульсом сильно поглощаемого свбта, регистрируют сигнал Фотолюминесценции с поверхности образца противоположной освещаемой поверхности, измеряют время задержки максимально-. го сигнала фотолюминесценции относительно максимума интенсивности импульса сильно поглощаемого света и вычисляют подвижность ННЭ по формулегдЕ 0 оси внос " поДвижности оснозныхи неосновных носите-.лей заряда соответст;венно, рВсд - толщина образца внаправлении переносапакета ННЗ, м;- напряженность электрического поля, В/м;И - индукция магнитногополя, Т;те - время задержки сигнала...

Номер патента: 1064247

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абросимов, Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, зарядов, неосновных, носителей, полупроводниках

...точностью контролявремени жизни н.нз., что обусловлено необходимостью визуального апре"деления изменения амплитуды тестового,импульса при различных значенияхвремени задержки,Кель изобретения - повышение точ 50ности контроля,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках, содержащеегенератор импульсов, резистор и клеммы для подключения исследуемой структуры, дополнительно введены блокформирования инжектирующих импуль-сов, блок формирования опорного напряжения,второй резистор, конденсатор, масштабирующий преобразователь,операционный усилитель, два блокавыборки и хранения и блок сравнения,при этом первый выход генератора 65 импульсов соединен с входом блока...

Номер патента: 1064353

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Золотарев, Кононов, Махаев, Рябых

МПК: H01L 21/98

Метки: интегральных, корпусами, крышек, носителей, сборки, спутников, схем

...на свободном плече рычага,.один конец кото рой подпружинен, причем свободное плечо рычага снабжено упором с возможностью взаимодействия с другим концом серьги.На фиг, 1 изображено устройство для сборки крышек .с корпусами спутников-носителей интегральных микросхем, общий вид, на фиг. 2 - то же,разрез на фиг. 3 - схема установкикрышки в корпус спутника-носителя,Устройство для сборки крышек скорпусами спутников-носителей интегральных микросхем состоит из механизма подачи корпусов на.позициюсборки, механизма подачи крышек исобственно механизма установки крышки в корпус спутника"носителя сукладывающим элементом.Механизм установки крышек в корпус спутника состоит иэ подпружиненного рычага 1,с подвижно закреп-.ленным на .оси 2 одним плечом и...

Номер патента: 1028204

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Алмазов, Малютенко, Федоренко

МПК: H01L 21/66

Метки: биполярной, диффузии, заряда, коэффициента, неравновесных, носителей, полупроводниках

...зондируютщего инфракрасного излучения, прошедшего и отраженного от пластины в момент достижения максимального значения интенсивности света, вызывающего генерацию электронно-дыроч.ных пар при двух или более значениях его интенсивности, а коэффициент биполярной диффузии неравновесных носи телей заряда вычисляют по формуле 47 47 И 4 ат - +К, аг где в ; в- относительные коэффициенты пропускания и отражения при боль . шей интенсивности 5 света, вызывающего генерацию электронно дд дырочных пар - то же при меньшей интенсивности света 30 вызывающего генерацию электронно-дырочных парф(5) лярной диффузии благодаря контрОлю интенсивности возбуждающего и зондирующего излучений в каждом импульсе возбуждающего света. Это позволяет устранить влияние...

Номер патента: 1068883

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Обручков, Панасюк

МПК: G03G 15/02

Метки: записи, зарядки, коронной, носителей, электрофотографических

...на передней нижней и задней верхней сторонахлейт 4 и 5 соответственно, устройствозарядки - над заряжаемой поверхностью 50 фатотермопластического носителя 10 информации, снабженного подстилаю" щим электродом 11. Для подачи напряжения к электродам 7 от контактныхшин 8 и 9 служат выводы 12, закрепленные на изоляторах. Для питания нижних коронирующих электродов служит источник 13,. а, верхних - источник 14. Ключ К, служит для заземления верхних электродов, ключи К и К 8 для смены полярности. Питание при вода на чертеже не показано. Процесс зарядки с помсцью предлагаемого устройства осуществляется следующим образом,Подачей напряжения к приводу 1 приводится во вращение направляющий валик 2 и бесконечные ленты 4 и 5 с расположенными на...

Номер патента: 1071993

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Зеленина, Постников, Табатадзе

МПК: G03G 5/082

Метки: аморфного, вакууме, информации, испарением, носителей, подложку, селена, электропроводящую

...Толщина Фототермопластического слоя 2 мкм. Материал высушивают в вакуумном шкафу прн комнатной температуре в течение 2 ч.П р и м е р 2. Образец Фотатермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 1, с той лишь разницей, что давление остаточного газа при получении слоя селена составляет 1 10 5 мм рт. ст., скорость движения подложки 5 м/мин, толщина слоя селена 0,12 мкм.П р и м е р 3. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 2, с той лишь разницей, что скорость движения подложки составляет 7 и/мин,П р и м е р 4. Термическим испарением в вакууме 8 10- мм рт,ст. наносится слой аморфного селена со скоростью 12 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталонную подложку с проводящим слоем хрома. Скорость...

Номер патента: 1075202

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Стельмах, Уренев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...вследствие низкой чувствительности выделение полезногосигнала на фоне паразитных фото-ЭДСтребует увеличения времени регистрации.Цель изобретения - повышение точности измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках.Эта цель достигается тем, чтов устройстве, содержащем блок намагничивания, соединенный с генератором переменного тока, источник светаи оптически связанный с ним модулятор света, блок регистрации, блокнамагничивания выполнен в виде двухпараллельных пластин со сквознойпродольной щелью, один конец которых замкнут, а два других подключены к генератору тока, при этомпродольная ось симметрии щели перпендикулярна продольной оси источника и модулятора света и пересекает ее,На чертеже представлена схема данного...

Номер патента: 1076403

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Абдюшев, Билялов, Кондратенко, Михеева

МПК: B67C 1/20

Метки: выгрузки, моечной, носителей, тары

...для выгрузкитары из носителей моечной машины,, содержащее наклонно установленныенаправляющие угольники для банок,1.Недостатком данного устройстваявляется ручная ориентация банокв полржение дно внизу необходимоедля наполнения их продуктом,Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому являетсяустройство для выгрузки тары иэносителей моечной машины, содержащее наклонный лоток, неподвижноустановленный под транспортером снасителями моечной машины и отводящий транспортер 2 .Для перемещения банок с лоткана отводящий транспортер известноеустройство содержит сложную системурычагов и толкателей.Цель изобретения - упрощениеконструкции.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройстве для выгрузкитары иэ носителей моечной...

Номер патента: 1078357

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Бойченко, Кулинич, Николашин, Петрик, Пудло, Шварцман

МПК: G01R 29/00

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, структурах

...в виде соосно расположенных электродов с Токоотводами, блок, контроля обратного сопротивления,измерительный блок и шлифовальныйкруг с электроприводом, снабженозакрепленным,на корпусе узлом прижима с кронштейном, при,этом электроды контактного узла выполнены в видеупорного и прижимного валиков, установленных в подшипниках вращения,закрепленных. в корпусе и кронштейнесоответственно,Причем подшипник прижимного ва-.лика выполнен самоустанавливающимся, 60На фиг. 1 дано схематическое изображение механической части предлагае"мого устройства, на Фиг. 2 - электрическая схема устройства; на фиг. 3,осциллограмма напряжения на структуре 5 Механическая часть устройства со.держит диэлектрическую плату 1 иприжимной валик 2, посредством...

Номер патента: 790996

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, тиристоре

...жизни неосновных носителей в тиристоре; на фиг.2 - диаграммы, объясняющие работу предлагаемого устройства.Блок-схема содержит испытуемый тиристор 1, источник 2 обратного анодного напряжения и индикатор 3 анодного тока, который выполнен из датчика 4 анодного тока, запоминающего устройства 5, блока 6 вычислений и блок 7 цифровой индикации, при этом шунтирующий блок 8 подключен к источнику 2 обратного анодного напряжения, причем вход шунтирующего блока 8 соединен с первым выходом задающего устройства 9, три других выхода которого соединены с входами источника 2 обратного анодного напряжения, запоминающего устройства и источника 10 постоянного тока соответственно.При работе через испытуемый тиристор 1 по команде задающего устройства 9 от...

Номер патента: 1089052

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Балахонов, Горохова, Ковтун, Костова, Левичев, Мирошниченко, Пономарев, Рупышев, Серяков, Соломко

МПК: C01G 49/06

Метки: гамма-окиси, железа, игольчатой, магнитных, носителей

...рабочем слое магнитной ленты,Концентрация ПАВ в дисперсиониой 20среде суспензии, равная 1-4 ККМ,необходима для создания оптимальной(равной 20-65 ) степени покрытия поверхности частиц моногидрата окиси;.железа, При концентрациях ПАВ меньше 251 ККМ степень покрытия меньше 20 .,что приводит к спеканию частиц порошка.и, как следствие, к уменьшениюоднородности частиц и магнитныхсвойств готового продукта, При концентрациях ПАВ больше 4 ККМ степеньпокрытия поверхности частиц моногидрата окиси железа больше 65 , приэтом также происходит ухудшениемагнитных свойств порошка - остаточ-35ной индукции, индукции насыщения икоэрцитивной силы, что снижает значение относительной частотной характеристики.Магнитные свойства получаемой40 гамма-окиси железа...