Способ получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку

СОЮЗ СОВЕТСКИХойиаючисниРЕСПУБЛИК 19) И А ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИАВТОРСКОМУ СВИДЕ ГЕЛЬСТВУ(54) (57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯИНФОРМАЦИИ ИСПАРЕНИЕМ В ВААМОРФНОГО СЕЛЕНА НА ЭЛЕКТРЩУЮ ПОДЛОЖКУ, о т л и ч ас я тем, что, с целью повышчества изображения путем увния .чувствительности, ис арлена проводят при давлении8 10 мм рт. ст., температложки 18 - 250 С, скорости4 - 12 мкм/мин н скорости дподложки 3-16 м/мин. твенныйо Знамени проекграфичес ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОЯРЫТИЙ(71) Всесоюзный государс ордена Трудового Красног и научно-исследовательский тный институт химико-Фото кой промышленности(56) 1, Авторское свидетельство СССР 9 345837, кл. О 03 Я 5/08, 1969,3(51) Й 03 Й 5/0821 03 6 5 1 ОСИТЕЛЕЙ УУИЕПРОВОДЯ- щий ения ка" еличеение се"10 з ре йод-, спарения виженняИзобретение относится к способу получения неорганических Фотопроводниковых слоев, а именно к способу получения инжекционного слоя аморфного селена, применяемого для повышения электрофотограФической 5 чувствительности Фототермопластических (ФТП) пленок.Известен способ пелучения нрсителей информации испарением в вакууме аморФного селеиа на электропроводяющую подложку 111.Однако на носителях, полученных известным способом, нельзя получать изображения высокого качест" ва15Цель изобретения - повышение качества изображения путем увеличения чувствительности носителей.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электро- проводящую подложку испарение селена проводят при давлении 5 10- 8 10мм рт. ст температуре подложки 18 - 25 С, скорости испарения 4-12 мкм/мин и скорости движе" ния подложки 3 - 16 м/мин.П р и и е р 1. Термическим испарением в вакууме 510-5 им рт, ст. наносят слой аморфного селена со скоростью 4 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем никеля, ско" рость движения подложки 16 и/ мин, при этом толщина напыляемого слоя 35 селена 0,03 мкм. Сверху из раствора в толуоле наносят Фототермопластическую композицию, содержащую поли- М-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1: 1. 40 Толщина Фототермопластического слоя 2 мкм. Материал высушивают в вакуумном шкафу прн комнатной температуре в течение 2 ч.П р и м е р 2. Образец Фотатермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 1, с той лишь разницей, что давление остаточного газа при получении слоя селена составляет 1 10 5 мм рт. ст., скорость движения подложки 5 м/мин, толщина слоя селена 0,12 мкм.П р и м е р 3. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 2, с той лишь разницей, что скорость движения подложки составляет 7 и/мин,П р и м е р 4. Термическим испарением в вакууме 8 10- мм рт,ст. наносится слой аморфного селена со скоростью 12 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталонную подложку с проводящим слоем хрома. Скорость движения подложки 12 м/мин, температура подложки 25 С, толщина наносимого слоя селена 0,12 мкм. Сверху иэ раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую поли-М-винилкарбазол и сополимер спирола с бутадиеном в соотношении 1:1. Толщина фототермопластической композиции составляет 2 мкм.Материал высушивают в вакуумном шкафу при комнатной температуре в течение 2 ч.. П р и м е р 5. Образец Фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 3, с той лишь разницей, что толщина слоя селена составляет 0,2 мкм, а скорость движения подложки - б м/мин..П р и м е р б. Образец Фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с той лишь разницей, что материалом проводящего слоя является титан, скорость нанесения слоя селена 10 мкм/мин, скорость движения подложки 7 м/мин, температура подложки 25 С. П р и м е р 7, Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с тсй лишь разницей, что толщина слоя селена составляет 0,50 мкм,скорость нанесения слоя 12 мкм/мин, сксрость . движения подложки 3 м/мин, температура подложки 25 С.результаты имерений по примерам 1 - 7 сведены в таблицу.н 1 Н гф ф 1 Л И 1 Ч 1 Ч н о ч Ч 1 ю 1 х о мохк в 1 ц 1 М 1 Ч О ч с с о о 1ЭЭ хх Фх аЭ ХБ4 анЭ сИхх НовоО хХ 44 ЦЭЭнх дон цОО 1 ВхднфхОХ-1 4 1КН ох ах о аахдои нцонх ХОЭОДЭ н 1 х дЦОХЭХ щ 661-1 1 й 1 Х 1 ОВ 1 Х 1 ДХВ 1 Е ОРОа1 ИЦО х г Х 1 1х 1 В Надв х Х 1 ЭХИН 1 о 1 дхЕон---Э 1 1Ф 1 1 оа ков Оо 11 ДФ 1 1Хац с д ЭОХ онных а н 1 АххЭ 1 НХХ хОхм юоэо.х а аахм Ю ОХРАХ ,Х Х ДООЦИЕй 1 Х 1 К 1 ч 1 4 Х 01 НХ -Х ц Оеар О ООХК х 1 аеэ",1 Х ОХК1 Л О О О О О О ОО О О ОщЗаказ 120/38 Тираж 464 Подписное ВНИИПИ Росударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5ШВю щЫФилиал ППП ПЬтент", г,Ужгород, ул,Проектная, 4 Как видно из таблицы предлагаемый способ получения инжекционных селеновых слоев на рулоннай подложке обеспечивает повышение чустви"1 тельности пленки по сравнению с известным способом в 5- 13 раз и сохраняемость в 3,5 раза, а следовательно, повышается качество изображения, получаемого на даннойпленке.