Патенты с меткой «лазера»

Номер патента: 807961

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития с примесями, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью оптимизации энергетических параметров активного элемента, монокристалл перед облучением ионизирующим излучением подвергают термической обработке в температурном интервале 250 - 450oС в течение не менее 2 ч.

Номер патента: 646729

Опубликовано: 27.08.1995

Автор: Ляшенко

МПК: H01S 3/11

Метки: добротности, лазера, модуляции, резонатора

СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ДОБРОТНОСТИ РЕЗОНАТОРА ЛАЗЕРА, основанный на внесении потерь в резонатор в начале импульса накачки, отличающийся тем, что, с целью повышения пространственной однородности многомодового моноимпульсного излучения лазера, устанавливают уровень потерь, обеспечивающий возникновение импульса пичковой генерации, и включают полностью добротность резонатора после окончания последнего пичка через отрезок времени, превышающий длительность этого пичка не менее, чем на порядок.

Номер патента: 986268

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, активных, варианты, его, лазер, лазера, приготовления, элемент, элементов

1. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен с изменяющейся концентрацией центров окраски в направлении, перпендикулярном к рабочей оси активного элемента.2. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен в форме цилиндра, а центры окраски в нем имеют градиент концентрации по окружности.3. Способ приготовления активных элементов твердотельных лазеров,...

Номер патента: 762692

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Иванов, Лобанов, Максимова, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, лазера, элемент

АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА на основе фторида лития, содержащего ионы гидроксила, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления при комнатной температуре, он дополнительно содержит ионы магния.

Номер патента: 1759212

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Злодеев, Ляшенко, Хайретдинов

МПК: H01S 3/10

Метки: добротности, лазера, модуляции, резонатора

СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ДОБРОТНОСТИ РЕЗОНАТОРА ЛАЗЕРА, образованного двумя зеркалами, полностью отражающими излучение на длине волны генерации, между которыми расположены поляризатор, активный элемент, электрооптический элемент, заключающийся в создании начального уровня полезных потерь резонатора, обеспечивающего возникновение пичковой генерации, путем отклонения оптической оси электрооптического элемента от оси резонатора на углы в пределах первого кольца коноскопической картины и включении полезных потерь после окончания потерь импульса пичковой генерации через отрезок времени, превышающий длительность последнего пичка не менее, чем на порядок, путем подачи на электроды электрооптического элемента импульса управляющего напряжения, отличающийся...

Номер патента: 1220536

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Ляшенко, Мызников, Раевский, Хайретдинов, Хромов

МПК: H01S 3/115

Метки: добротности, лазера, модуляции, резонатора

СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ДОБРОТНОСТИ РЕЗОНАТОРА ЛАЗЕРА, включающий подачу управляющего напряжения на установленный в резонаторе электрооптический элемент из одноосного кристалла, оптическая ось которого наклонена к оси резонатора под углом, соответствующим экстремуму интенсивности коноскопической картины кристалла, отличающийся тем, что, с целью стабилизации энергии моноимпульсов лазерного излучения при отклонении управляющего напряжения от номинальной величины амплитуды V0, соответствующей минимальному коэффициенту потерь резонатора, на электрооптический элемент подают импульс напряжения, величина которого по абсолютной величине в начальный момент времени больше V0 и меньше величины полуволнового напряжения, а затем...

Номер патента: 1582941

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Вайнер, Иванов

МПК: H01S 3/227

Метки: газового, лазера, металлов, парах, разрядная, трубка

РАЗРЯДНАЯ ТРУБКА ГАЗОВОГО ЛАЗЕРА НА ПАРАХ МЕТАЛЛОВ, содержащая катод с разрядной полостью внутри, секционированный анод, каждая секция которого соединена с источником питания через балластный резистор, испарители с рабочим веществом и нагревателями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения мощности излучения за счет повышения однородности разряда, катод содержит дополнительную полость, размещенную вдоль разрядной полости и сообщающуюся с ней по всей длине, анодные секции расположены в дополнительной полости с зазором одна относительно другой ширины S, причем зазоры заполнены диэлектриком с коэффициентом аккомодации метастабильных атомов, равным коэффициенту аккомодации материала анода, и зазором шириной a относительно стенок...

Номер патента: 1498345

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Пархоменко, Таранов

МПК: H01S 3/10

Метки: лазера, многочастотного, перестройки

1. СПОСОБ ПЕРЕСТРОЙКИ МНОГОЧАСТОТНОГО ЛАЗЕРА, в котором возбуждают N звуковых волн в одном звукопроводе акустооптического дефлектора, установленного внутри дисперсионного резонатора, изменяют углы падения на дифракционную решетку j генерируемых оптических компонент и их длины волн j путем изменения частоты fj звуковых волн (j 1, 2, N), отличающийся тем, что, с целью осуществления независимой электронной перестройки N спектральных компонент при отсутствии N(N 1) / 2 неуправляемых независимо компонент и сохранении ширины линии генерации лазера, мощность первой звуковой волны...

Номер патента: 1204101

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Алавердян, Жуков, Конников, Миронов, Филипченко

МПК: H01S 3/18

Метки: инжекционного, лазера, полупроводникового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА полосковой геометрии, включающий в себя осаждение на плоскость (001) лазерной структуры слоя диэлектрика, вытравливание в слое диэлектрика полоскового окна, нанесение на структуру омического контакта, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и процента выхода годных приборов, вытравливание полоскового окна проводят по направлению кристаллографической оси определяемой пересечением плоскостей (001) и где W ширина полоскового окна, L длина лазерного кристалла.

Номер патента: 1819092

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Нестерук

МПК: H01S 3/10

Метки: красителе, лазера, сканатор

...зазором, в котором помещена ферритовая пластинка, выполняющая функцию подвижного элемента 7 датчика линейФормула изобретенияСКАНАТОР ЛАЗЕРА НА КРАСИТЕЛЕ,. содержащий основание, установленный на нем в шарикоподшипниковых направляющих держатель перестраиваемого оптического элемента, электромеханический исполнительный механизм с магнитной системой, жестко закрепленной на основании, и подвижной частью, соединенной с держателем, регулирующее устройство, выход которого электрически соединен с исполнительным механизмом, и датчик положений, вы 4045 5 10 15 20 25 30 35 нцх перемещений, замыкающая магнитные потоки обоих полуколец. Ферритовая пластинка закреплена на конце рычага 4, а магнитопровод с обмотками 15 на немагнитной термостабильной...

Номер патента: 1688760

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Белкин, Бельский, Дронов, Перебякин

МПК: H01S 3/086

Метки: автоматической, газового, зеркал, лазера, оптического, резонатора, юстировки

УСТРОЙСТВО АВТОМАТИЧЕСКОЙ ЮСТИРОВКИ ЗЕРКАЛ ОПТИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА ГАЗОВОГО ЛАЗЕРА, содержащее станину, снабженную узлами крепления юстировочных головок активного элемента с опорными платформами для установки исполнительных элементов приводов держателей зеркал и фотодетектор выходного излучения лазера, выход которого через электронную схему управления соединен с исполнительными элементами, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени юстировки и повышения точности, исполнительные элементы выполнены в виде пьезокерамических вибродвигателей, установленных на опорных платформах по двум взаимно ортогональным осям, электронная схема управления включает блок сравнения выходного сигнала фотодетектора, программатор, генератор модулируемых по...

Номер патента: 1795852

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евсютина, Козлов, Оськин, Сипайло, Сурыгин, Филков

МПК: H01S 3/03

Метки: возбуждением, газового, лазера, разрядной, трубки

...(фиг, 6) внешняя и внутренняя поверхности оболочки становятся овальными. Далее следует токарная обработка и внешняя овальная поверхность оболочки становится снова цилиндрической (фиг, 7). После этого, в зависимости от назначения лазера, припаиваются к оболочке фланцы с оптическими зеркалами, либо оболочка (с закрепленной структурой) вставляется по плотной посадке в цилиндрический корпус, выполненный из конструкционного сплава (ковар, инвар, суперинвар) и уже к этому корпусу привариваются фланцы с оптическими элементами. Материал оболочки и вкладышей должен обладать необходимыми для пластической деформации механическими свойствами, а также определенными конструкционными характеристиками. 8 этой связи наиболее приемлемым...

Номер патента: 1823752

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алимпиев, Гульев, Мокрушников, Самойлова, Юркин

МПК: H01S 3/16

Метки: активная, лазера, среда, твердотельного

...В частности на переходе Г, - "1 до 1,051 мкм,Спектр люминисценции монокристачла 1.аВеА 1019:Мс 1занимает широкую область 0 85 1 45 мкм и сдвинут на 2 5 нм в коротковолновую область относительно 1.аМА 10:ХбСпектр поглощения нового материала состоит из большого количества линий, что обеспечивает эффективное поглощение излучения ламп накачки. Квантовый выход люминисценции = 1, время жизни верхнего4лазерного уровня Р - 100 мк сек,Монокристалл 1.аВеА 10:Мд" выращен методом Чохральского из раствор-расплава. Активная среда твердотельного лазера, состоящая из матрицы на основе монокристалла алюмината лантана щелочноземельного элемента, активированного неодимом, отличающаяся тем, что, с целью расшиШихту состава, мол.,4: Вео 18,18; 1.а,0,...

Номер патента: 1533604

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Гуделев, Журик, Измайлов, Ясинский

МПК: H01S 3/139

Метки: газоразрядного, двухчастотного, излучения, интенсивности, лазера, стабилизации, частоты

Способ стабилизации частоты и интенсивности излучения двухчастотного газоразрядного лазера, основанный на возбуждении активной среды электрическим разрядом, наложении на нее поперечного магнитного поля, направление которого совпадает с одной из осей линейной фазовой анизотропии резонатора, выделении линейным поляризатором той компоненты двухчастотного излучения, электрический вектор которой параллелен направлению магнитного поля, модуляции одного из параметров лазера, выделении сигнала, пропорционального переменной составляющей излучения, прошедшего поляризатор, и формировании на его основе сигнала управления длиной резонатора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности частоты и интенсивности излучения лазера и обеспечения...

Номер патента: 1797432

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Голяев, Колбас, Мещеряков, Соловьева

МПК: H01S 3/083

Метки: кольцевого, коэффициента, лазера, масштабного

...пачучаемому при измерениях, и появляется потому, что смещение нуля кольцевого лазера и проекция угловой скорости Земли при изменении направления вращения планшайбы поворотного стола изменяют знак относительно этого направления. Смещение нуля кольцевого лазера представим как сумму постоянной и линейно нарастающей составляющих В - а + В, Тогда ошибку за счет смещения нуля, накопленную за время одного поворота Ь можно представить какМф С,(4)Проводя повороты против и по часовой стрелке Гнечетные" и "четные" повороты), мы будем пачучать в каждом из поворотов ошибки Хв,+ и Хв,- равныеа+Ь(21-1) Ыв 1 ЯГа+Ь 21 ДС дв 1 ЯГ Проведем (2 п+1) поворотов против часовой стрелки и 2 п поворотов по часовой стрелке, чередуя их между собой, после чего...

Номер патента: 1831213

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Давыдова, Лобинцов, Рыжов, Успенский, Шишкин

МПК: H01S 3/19

Метки: инжекционного, лазера

...возможно использование более простых контактов типа Т 1 Ац или баАи вместо пятислойного контакта в прототипе,Наконец, предложенное анодное окисление нарушенной ионно-химическим травлением рельефной поверхности с последующим сел ективным удалением окисной пленки мягким жидкостным травлением направлено на повышение долговечности лазера, Дело в том, что толщина удаляемой пленки (0,12 - 0,15 мкм) превышает толщину нарушенного ионной бомбардировкой слоя. Таким образом устраняется источник диффузии точечных дефектов в активную область из нарушенного слоя, которые и приводят к медленной деградации лазеров. Хотя операции, используемые в заявке на 50 / идентичны1831213 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ операциям прототипа, а вскрытие окон в изоляторе...

Номер патента: 1213929

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Гойхман, Егоров, Кажидуб, Сумерин

МПК: H01S 3/097

Метки: газового, лазера, проточного, электродная

1. Электродная система проточного газового лазера, содержащая катод и расположенный напротив него анод, основная секция которого расположена вдоль направления потока газа, отличающаяся тем, что, с целью повышения мощности лазера путем увеличения энерговклада в разряд, в электродную систему введена по крайней мере одна дополнительная секция анода, которая установлена по потоку перед верхним краем катода на расстоянии L от него, удовлетворяющем соотношению 0,1 L/H 0,6, где Н расстояние между основной секцией анода и катодом, при этом дополнительная секция анода выполнена газопроницаемой и установлена под углом к...

Номер патента: 1748595

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Аверина, Алексеев, Киселев, Милявский, Михайлов

МПК: H01S 3/02

Метки: диффузный, лазера, моноблочный, накачки, отражатель, твердотельного, устройства

Моноблочный диффузный отражатель устройства накачки твердотельного лазера, содержащий моноблок с диффузно отражающим покрытием, выполненным из наполненного полиметилфенилсилоксана, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности работы отражателя в условиях кондуктивного теплоотвода, диффузно отражающее покрытие имеет следующий состав, мас.Полиметилфенилсилоксан 3-7Наполнитель Остальное

Номер патента: 1820806

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Горелик, Доев, Ибаев, Коледов, Куклин, Разумов

МПК: H01S 3/096

Метки: излучением, лазера, полупроводникового

...резонатором, Ширина линии генерации отдельной моды в случае одного внешнего резонатора определяется следующей формулой:Ьо г / го (1-К )ч 1+а ) гЬо В то где Лво - ширинаизолированного лазера;Лв - ширина отдельной моды излучениялазера с внешним резонатором;то 2 п 1/с - пролетное время внутреннегодиодного резонатора;т=21./с - пролетное время внешнегорезонатора;а - коэффициент амплитудно-фазовойсвязи.В случае многозеркального внешнегорезонатораЬоо ( 1-В ) Ч 1+аг Г гЬо Вф тохг т соз(то)(7)где т - пролетное время 1-го резонатора;г - коэффициент отражения по амплитуде1-го внешнего отражательного элемента,Сравнивая формулы (6) и (7), видим,что в случае с многозеркальным внешнимрезонатором сужение линии происходит неаддитивно, а значительно...

Номер патента: 1099806

Опубликовано: 27.04.1998

Авторы: Быковский, Мирецкий

МПК: H01S 3/036

Метки: активный, газового, лазера, элемент

...дополнительную системуавтоматического регулирования тока разрядав дополнительном капилляре в соответствиис изменением давления газа в активномобъеме прибора,Целью изобретения является устранениеуказанных недостатков, а именно обеспечение возможности саморегулирования давления газа, уменьшение времени выхода нарабочий режим и повышение надежности,Указанная цель достигается тем, что вактивном элементе газового лазера, содержащем рабочий объем с основными электродамии балластный резервуар, в котором расположен дополнительный электрод, балластныйрезервуар соединен с рабочим объемом состороны основного электрода, имеющегоодинаковую полярность с дополнительнымэлектродом, дополнительный электрод подключен через стабилизатор напряжения...

Номер патента: 1396899

Опубликовано: 27.01.1999

Авторы: Быковский, Иванов, Лисунов, Сенатский, Склизков

МПК: H01S 3/10

Метки: излучения, лазера, спектра, шириной

Способ управления шириной спектра излучения лазера на стеклах или смешанных кристаллах, активированных ионами редкоземельных элементов, включающий импульсное возбуждение активной среды и задержку генерации на 10 - 400 мкс, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия и расширения диапазона управления спектром, активную среду возбуждают импульсами излучения с длительностью, много меньшей временной постоянной спектральной миграции энергии возбуждения в среде, и шириной спектра, меньшей однородной ширины линии люминесценции.

Номер патента: 1805809

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Зайцев, Кузнецов, Муркин

МПК: H01S 3/0977

Метки: газового, импульсно-периодического, лазера, плазменный, электрод

1. Плазменный электрод импульсно-периодического газового лазера, содержащий диэлектрическую подложку, выполненную в виде установленного с возможностью вращения вокруг своей оси полого цилиндра, на внутреннюю поверхность которого нанесено заземленное покрытие, высоковольтный и заземленный элементы, выполненные в виде пластин, рабочие кромки которых расположены вдоль оси цилиндра и образуют на внешней поверхности цилиндра разрядный промежуток, источник питания, соединенный с высоковольтным элементом, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и упрощения конструкции, полый цилиндр установлен с возможностью вращения в обоих направлениях, рабочая кромка высоковольтного элемента...

Номер патента: 1519484

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Кислецов, Муркин, Федосов, Фомин

МПК: H01S 3/038

Метки: газоразрядного, импульсно-периодического, лазера, электрод

Электрод газоразрядного импульснопериодического лазера, содержащий диэлектрическую подложку, на противоположных концах которой расположены инициирующий и заземленный электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса работы электрода, диэлектрическая подложка выполнена с капиллярно-пористой структурой и пропитана неэлектропроводной жидкостью с диэлектрической проницаемостью, равной диэлектрической проницаемости материала подложки.

Номер патента: 1586478

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Кусочек, Муркин, Шорин

МПК: H01S 3/0977

Метки: газового, импульсно-периодического, лазера, плазменный, поперечным, проточного, разрядом, электрод

Плазменный электрод проточного импульсно-периодического газового лазера с поперечным разрядом, содержащий диэлектрическую подложку, на одну из сторон которой нанесено заземленное покрытие, а также высоковольтный и заземленный элементы, образующие на другой стороне подложки разрядный промежуток, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса, диэлектрическая подложка выполнена в виде установленного с возможностью вращения вокруг своей оси полого цилиндра, при этом заземленное покрытие нанесено на внутреннюю поверхность полого цилиндра, а заземленный и высоковольтный элементы выполнены в виде пластин, рабочие кромки которых расположены вдоль образующих цилиндра.

Номер патента: 1731001

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Козлов, Оськин, Рошаль, Самородов, Сипайло, Шарабанов

МПК: H01S 3/08

Метки: волноводного, лазера, оптический, оптическим, резонатором, складным, узел

Оптический узел волноводного лазера со складным оптическим резонатором, включающий подложку, металлическое покрытие глухого зеркала и светоделительное диэлектрическое покрытие выходного зеркала, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности излучения, металлическое покрытие нанесено на часть поверхности подложки, а светоделительное диэлектрическое покрытие - на остальную часть поверхности подложки и на металлическое покрытие.

Номер патента: 1463098

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Лобанов, Лурье, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центров, активной, лазера, окраски, создания, среде

Способ создания F-2-центров окраски в активной среде лазера на основе LiF, включающий обучение -квантами в интервале доз 5 105 - 106 Gy, отличающийся тем, что, с целью формирования осесимметричного профиля поглощения F-2-центров окраски в активной среде, перед облучением -квантами проводят облучение электронами в интервале доз 106 - 5 106 Gy...

Номер патента: 1409082

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Брюквин, Ермаков, Лукин, Макушев, Пензина, Соболев

МПК: H01S 3/11

Метки: затвора, лазера, пассивного

Способ изготовления пассивного затвора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание кристалла, легированного двухвалентными ионами редкоземельных или щелочноземельных элементов, аддитивное его окрашивание в парах щелочного металла, закаливание при 300 - 400oC, измерение коэффициента поглощения в максимуме F-полосы поглощения, отбор кристаллов с коэффициентом поглощения 30 - 300 см-1, облучение отобранных кристаллов светом с длинами волн от 400 до 900 нм, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн лазера, кристаллы облучают таким образом, чтобы длительность облучения tобл...

Номер патента: 1412546

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Балашов, Бондарчук, Васильев, Герасюк, Ермикова, Мысовский, Парфианович, Рейтеров, Чепурной, Чуфистов, Шкадаревич, Шляк, Янчук

МПК: H01S 3/11, H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазера, пассивных, элементов

Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 368 5 К до установления неизменного значения коэффициента оптического поглощения во времени.

Номер патента: 710449

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Василенко, Гольдорт, Дюба, Скворцов

МПК: H01S 3/13

Метки: лазера, стабилизации, частоты

Способ стабилизации частоты лазера по центру линии поглощения внешней ячейки путем воздействия на поглощающую ячейку сильным полем, определяемым параметром насыщения G > 1 с последующей регистрацией отклика в слабом поле, определяемом параметром насыщения G < 1, отличающийся тем, что, с целью снижения влияния паразитных явлений и повышения точности настройки на центр резонанса, модулируют амплитуду сильного поля и регистрируют изменение фазы слабого поля.

Номер патента: 557657

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Василенко, Дюба, Скворцов

МПК: G02B 17/00

Метки: волны, излучения, лазера, обратной, оптическое, развязки

Оптическое устройство для развязки лазера от обратной волны излучения, включающее поляроид и средство для поворота плоскости поляризации обратной волны на 90o по отношению к плоскости поляризации падающей волны, отличающееся тем, что, с целью обеспечения развязки в широком диапазоне мощностей и длин волн излучения, указанное средство состоит из светоделительной пластины, расположенной под углом 45o к падающей волне, и системы шести зеркал, при этом светоделительная пластина и три зеркала расположены в вершинах прямоугольника, остальные три зеркала расположены в вершинах второго прямоугольника, образующего с первым пространственный прямой угол, и одно из зеркал является...