Способ изготовления пассивного затвора лазера

Номер патента: 984374

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Брюквин, Варнавский, Мецик, Парфианович, Пензина, Соболев

МПК: H01S 3/11

Метки: добротности, лазера, модулятор, пассивный, резонатора

...волны люминесценции Е - центров зависит как оттого, так и от другого.Центры окраски Е - типа создают подобно центрам прототипа с помощью облучения кристаллов ионизирующей радиацией или частицами высоких энергий, илипрогревом кристалла в течение нескольких часов в пар щелочного металла притемпературе, близкой к температуре плавления кристалла, т. е, способом аддитивного окрашивания,Пассивный модулятор выполнен в видепараллелепипеда, размеры которого брались в пределах от 10 ф 100,5 мм до10 10 10 мм, В качестве материе=ла модулятора использовались монокристаплы щелочных галоидов, например МРС 6КСЕ, КВг, КЗ, К ВСЕ, ССЕ, СВг,С 9 Х и другие, выращенные из расплава,с добавлением в исходную щихту гапоидных солей легирующей примеси,...

Номер патента: 1082271

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Брюквин, Парфианович, Пензина, Соболев

МПК: H01S 3/11

Метки: добротности, лазера, модулятора, пассивного, резонатора

Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание легированных двухвалентными ионами щелочно-земельных или(и) редкоземельных элементов кристаллов и аддитивное их окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн модулятора в длинноволновую область спектра, дополнительно после аддитивного окрашивания кристаллы закаливают при температуре в интервале 300-400°С, измеряют коэффициент оптического поглощения в максимуме F-полосы, отбирают кристаллы с коэффициентом поглощения, лежащим в интервале 30-300 см-1,...

Номер патента: 1241965

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Брюквин, Гадонас, Макушев, Пензина, Пискарскас, Попова, Соболев

МПК: H01S 3/11

Метки: затвора, лазерного, пассивного

Способ изготовления пассивного лазерного затвора на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего Z2-центры окраски, включающий выращивание щелочно-галоидного кристалла, легированного двухвалентными ионами щелочноземельных или редкоземельных элементов, и аддитивное окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью управления длительностью лазерных импульсов пикосекундного диапазона, аддитивное окрашивание ведут при температурах, составляющих 73 - 93% от температуры плавления щелочно-галоидного кристалла, после окрашивания определяют коэффициент оптического поглощения в максимуме Z2-полосы поглощения и отбирают кристаллы с коэффициентом поглощения...

Номер патента: 1143277

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Королев

МПК: H01S 3/034

Метки: газовый, лазер

ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР, содержащий резонатор и активный элемент с оптическим узлом, включающим окно Брюстера, выполненное из гиротропного двулучепреломляющего кристалла, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности и степени поляризации излучения, рабочая поверхность окна выполнена под углом = arcsin(sin cos ) к оптической оси кристалла и расположена в резонаторе так, что угол между проекциями оптической оси кристалла и оси резонатора на рабочую поверхность окна удовлетворяет...

Номер патента: 1331394

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Непомнящих, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА на основе кристалла фтористого лития LiF с примесью магния, включающий выращивание кристалла из расплава, облучение его ионизирующим излучением для создании центров окраски, отличающийся тем, что, с целью повышения фотоустойчивости рабочих центров окраски и расширения диапазона генерируемых длин волн, кристалл выращивают в инертной или восстановительной атмосфере, а его облучение производят при одной из температур в диапазоне 80 300oС.