Патенты с меткой «кристаллообразования»

Номер патента: 309952

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бажал, Зубченко, Киевский, Попов, Сиренко

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллообразования, процесса, увариваниисиропа

...помо;ци исполнительного механизма 12.Секция активного кристаллообразованияоснащена регулятором 13 с исполнительным механизмом 14 и датчиком 15 концентрации кристаллов, воздействующим через регулятор 16 на исполнительный механизм 17 отбора вторичного пара пз секции сгущаемого раствоЗ 0 ра и через диффсренциатор 18 и регулятор 8309952 Составитель Р. Станина Редактор В. Блохина Техред Л. Л. Евдонов корректор О. И, Волкова Изд. Ла 029Поди исио о делам лри Совете Заказ 350 гг 248Тирагк 473ЦНИИПИ Комитетаоткрытиигстров СССРа шская изобретенииаб, д. 4,концентрации раство 1 ра на подачу пара в греющую камеры секции 1 сгущения раствора.Устройство раоотает следующим образом, Сироп или патока в требуемом количестве поступает в нижнгою часть секции...

Номер патента: 432196

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Всесоюзный, Еременко, Кот, Кравчук

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллообразования, непрерывного, процессом

...заданного значения, Действие магнитного поля на сахарный раствор осуществляют в калиброванном переходном канале 10, образованном магнитопроводом и корпусом кристаллогенератора, Магнитное поле в переходном канале создают с помощью электромагнитов 12 и магнитопровода 11.Количество центров кристаллизации определяют из условий пропорциональности проекции поверхностей У кристаллов в поле зрения датчика электронного или лазерного сканирующего устройства действительной поверхности центров кристаллизации, принимая их форму близкой к сферической и задавая проекцию их диаметра,Вычисление количества зародышей заданного размера выполняют по формулеф 272где Уф - число центров кристаллизации в объеме измерительного устройства;Ку - коэффициент,...

Номер патента: 478862

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Еременко, Кравчук, Ропотенко

МПК: C13F 1/02

Метки: исследования, кристаллизации, кристаллообразования, процессов, растворов

...62, 63; регулирующим органом 64 для контроля и регулирования абсолютного давления; приборами 65, 66 регулирования поступления раствора в зависимости от его пересы- щения и уровня; регулятором 67 и регулирующим органом 68; приборами 69 - 71 контроля электропроводности; прибором 72 контроля температуры греющего пара; прибором 73 контроля температуры пара термостатирующего устройства; прибором 74 контроля и регистрации фазовых превращений и эффекта различных интенсификаторов процессов кристаллообразования и кристаллизации растворов. (Приборы контроля расхода, давления воздуха и пара, дозаторы поверхностпоактивных веществ на чертеже не показаны.)Устройство также снабжено: вентилем 75 для отключения его от вакуумной линии; вентилем 76...

Номер патента: 545366

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Малашевич, Переяслова, Порубаев

МПК: B01D 9/02

Метки: жидкой, затравки, кристаллообразования, применением, фазе, электролита

...твердой фазы.Цель изобретения - повышение производительности установки и уменьшение зарастания стенок, что достигается введением в жидкую фазу электролита жидкой затравки,Способ осуществляют следующим образом. м е р. Берется 1000 мл э нем примесей, г/,г: 50 2 0,5 Мп; 0,05 Сц; 0,1 Сс 1; 0,6 Са; имеющий температуру 50 - 52 С.Электролит заливается в цилиндрический стеклянный сосуд 1500 я.г, где подвергаетсч вакуумпрованию. Часть электролита (50 мл) указанного состава предварительно охлаждается,до 40 С и подается в распыленном состоянии во внутрь воздушного пузырька. Параллельно в аналогичный сосуд помещается вторая проба, но жидкая затравка в нее не подается. Оба сосуда подключаются к единой вакуумной системе, в которой обеспечивается...

Номер патента: 671827

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Малашевич, Переяслова, Порубаев

МПК: B01D 9/02

Метки: жидкой, затравки, кристаллообразования, применением, фазе, электролита

...процесса варения путем локализацталлообразования.Поставленная цельтем, что одновременноравкой в жидкую фазудают воздух в диспергтоянии по периферии пзатравки.Поскольку капли элдаются внутрь воэдушнони проникают через св охлаждаемый электрозпруют кристаллообраз является инт куумного исп ии эоны крис достигается 2 с жидкой эатэлектролита поированном сос-отока жидкой2 ектролита поого пузырька,тенки пузырькалит и активиование вблизи 3 Государственный научно-исследовательский и проектныйинститут по обогащению руд цветных металлов фКаэмеханобрФормула изобретения Составитель И.Иенайева едактор Л. Курасова Техред Э,Чужик Корректсшетник 44/5Цг 1 И Вака Тираж 876 арственного к изобретений и ква, Ж, Ра Подписнмитета...

Номер патента: 798565

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Мирошник, Попов, Сиренко, Трегуб

МПК: G01N 21/85

Метки: caxap-ных, кристаллообразования, про-цессов, утфелях

...этой границы возникают кристаллические центры, В вакуум-аппарате самопроизвольное кристаллообразование начинается через. 3-10 мин после этогоДля увеличения точности измерений которая достигается путем устранения зеркальной компоненты отраженного светового потока, на фотоэлементы на правляют только диффузионно-отражен" ные лучи, размещая осветители 3,4 и фотоэлементы 5,6 н плоскостях, углы которых относительно нормали с оптических окон 8,9 отличаются на 5-80 При появлении кристаллов в растворе появляется разность в сигналах сравнительного и измерительного фотоэлементов, по величине которой судят о концентрации кристаллов н растворе. Наперед заданная величина сиг нала по "муке" определяет момент заводки кристаллов в...