Интегральный преобразователь давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК О 9) 8 11.904 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ СВ ЛЬСТВУ(5 в л Изобретениельной технике носится к измерив частности к микроразователям механиектроннь 1 м прео ских воздейств Целью изобрет ения является увелита преобразования,ставлено топологие и ориентация исторов горизонталь- кремниевой пластине том в виде прямона фиг.2 - разрез фиг.3 - тензотранение коэффициен На фиг.1 пред еское размещенир-и-р-тензотранз ной структуры на с упругим элемен угольной мембрань А-А на фиг,1; на ст Пары 2, обла ми чувс дый баз ней 4, иненные ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 4169651./ 29,12,86 07.04.89 Московск нститут С.О,Брит 531.787 Авторско 059, кл. ектроник в с.29, р ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНИЯИнтегральный преобразовательния предназначен для измеренияний посредством преобразования р-и-р-тензотранзисторов 1 иающие противоположными знакавительности, содержащие каж"вую область 3 и контакт кмиттерную область 5 и обьевместе коллекторные области деформации мембраны в электрическийсигнал с повышенным коэффициентомпреобразования. Форма мембраны, расположение и ориентация на ней тензотранзисторов выбраны таким образом,что в области обоих тензотранзисторосоздается напряженное состояние,близкое к одноосному для одноготензотранзистора - растяжение, длядругого - сжатие. Оси тензотранзисторов противоположных знаков тензочувствительности,.проходящие от эмиттера к коллектору, совпадают с кристаллографическим направлением (110,причем оси тензотранэисторов параллельны между собой и перпендикулярны поперечной оси мембраны. 3 ил 26 и 7, ориентация которых определяется осью 8,.проходящей от эмиттера к коллектору, на упругом элементе в виде прямоугольной профилированной мембраны 9, плоскость которых совпадает с плоскостью (100), расположены в центре и на периферии мембраны в середине ее длинной стороны .так, что оси 8, проходящие от эмиттера к коллектору, у обоих тенэотранзисторов 1 и 2 параллельны, эта ось параллельна близлежащему краю мембраны и параллельна направлению (110).Преобразователь работает следующим образом.При воздействии на преобразователь измеряемого давления происходит ,деформация упругого элемента преобразователя, при этом в местах расположения тензотранзисторов 1 и 2+Гюо) Составит Полев ехред М.Дидык актор ека рректор М,Васильева Заказ 1601/45 Тираж 788 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ГКНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагар 3 14710 возникают механические напряжения, приводящие к деформационным изменениям иххарактеристик, Форма упругого элемента, расположение и ориентация на нем тензотранзисторов выбраны таким образом, что в области обоих тензотранзисторов создается напряженное.состояние, близкое к одноосному, для одного тензотранзистора - растяжение, для другого - сжатие, при этом сами тензотранзисторы .ориентированы относительно возникающих механических напряжений одинаковым образом 1,параллельно либо перпендикулярно ) 15Использование в преобразователе интегральных р-и-р-тензотранзисторов горизонтальной структуры позволяет получить высокий коэффициент преобразования. 2 С Формула изобретения Интегральный преобразователь давления, содержащий кремниевую пласти944ну с плоскостью ориентации, (100) с профилированной в ней прямоугольной мембраной, содержащей два жестких выступа, расположенных симметрично по обеф стороны от продольной оси мембраны и симметрично расположенных на ее поперечной оси, и сформированные на мембране тензочувствительные элементы, один из которых. расположен в центре между выступами, а другой между выступом и краем мембранысимметрично на ее поперечной оси, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, в нем тензочунствительные элементы выполнены в виде р-п-р-тензотранзисторов, противоположных знаков тензочувствительности, оси которых, проходящие от эмиттера 1 к коллектору, совпадают с кристаллографическим направлением (110), причем оси обоих тензотранзисторов параллельны между собой и перпендикулярны поперечной оси мембраны.
СмотретьЗаявка
4169651, 29.12.1986
МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БРИТВИН СЕРГЕЙ ОЛЕГОВИЧ, ВАГАНОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 9/04
Метки: давления, интегральный
Опубликовано: 07.04.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1471094-integralnyjj-preobrazovatel-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральный преобразователь давления</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения натяжения рулонного материала
Следующий патент: Устройство для контроля дрейфа нуля
Случайный патент: Устройство для выворачивания голенища