Интегральный эсл-элемент

Номер патента: 1531209

Авторы: Ботвиник, Полупан

ZIP архив

Текст

(5 03 К АНИЕ ИЗОБРЕТЕН па. Це надежи льс ваГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(57) Изобретение относится к импуной технике и может быть испольэоно при построении микросхем ЭСЛ-тиИзобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа.Целью изобретения является увеличение надежности путем упрощения.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема интегрального ЭСЛ-элемента.Интегральный ЭСЛ-элемент содержит первый 1 и второй 2 резисторы, соединенные первыми выводами с шиной 3 питания, а вторьваи - с коллекторами первого 4 и второго 5 транзисторов и с первью 6 и вторым 7 выходами, эииттеры транзисторов 4 и 5 соединены с коллектором третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен через третий резистор 9 с общей шиной 10, база транзистора 4 через четвертый резистор 11 соединена с шиной 3 питания и с анодои первого диода 12,2ь изобретения - увеличение ти интегрального ЭСЛ-элеменм упрощения. Интегральный ЭСЛ содержит четыре транзистора, иода и пять резисторов. Четтранзистор ответвляет частьтока в цепь формирования напряжения на базе одного ора и одновременно ограничивень напряжения на базе друнэистора, которые вместе об- СЛ-элемент, При этом достипрощение ЭСЛ-элемента без ия быстродействия и увелитребляеиой мощности, 1 ил. та путе элемент четыре д вертый входног опорного транзкст вает уро гого тра разуют Э гается у уменьшен чения по катод которого является входом 13, база транзистора 5 через пятый резистор 14 соединена с шиной 3 питания и с анодом второго диода 15, катод которого через последовательно включенные третий 16 и четвертый 17 диоды сое- ь динен с общей шиной 10, база транзистора 4 соединена с коллектором чет- , вертого транзистора 18, база которого соединена с коллектором транзистора 8, а эмиттер - с базой транзистора 4 и с катодом диода 15.Интегральный ЭСЛ-элемент работает следующим образом.При подаче на вход 13 напряжения высокого уровня ток через диод 12прекращается и через резистор 11 течет в базу транзистора 4.При этом транзистор 4 открывается, транзистор 5 закрывается. Ток через транзистор 4 определяется генерато 1531209ром тока, выполненном на транзисторе 8 и резисторе 9. Напряжение на базе транзистора 8 постоянно и равно 2 У , где 0, - прямое. падение напряжения на переходе база - эмиттер, при этом величина тока генератора будет равна10что позволяет легко рассчитать величину резисторов 1 и 2 для получения заданного перепада напряжений на выходах 6 и 7.15При достижении на базе транзистора 4 напряжения 40 транзистор 18 открывается и избыточная часть базового тока транзистора 4 по цепи: шина 3 питания, резистор 11, коллектор О эмиттер транзистора 18, диоды 16 и 17, общая шина 10, протекает по цепи 4 юрмирования опорного наряжения на базе транзистора 5.При этом напряжение на базе транзистора 4 не превваает уровня 40 что исключает насыщение транзистора 4 при заданной величине логического перепада напряжений на выходе 6. Составляющая входного тока, используемая для Формирования опорного напряжения на базе транзистора 5, является избыточном базовым током транзистора 4, который можно отобрать из цепи базы этого транзистора после его включения.35При подаче на вход 13 напряжения низкого уровня транзистор 5 открывается, а транзисторы 4 и 18 закрываются, так как входной ток нроте кает при этом по цепи: шина 3 питания, резистор 11, диод 12вход 13. Напряжение на базе транзистора 5 постоянно и равно ЗУа эа счет про текания тока по цепи; шина 3 питания, резистор 14, диоды 15 - 17, общая шина 10.Таким образом, ЭСЛ-элемент содержит меньшее количество элементов и обеспечивает быстродействие и потребляемую мощность не хуже известного технического решения, что позволяет повысить технико-экономические показатели устройств, выполненных на его основе.Формула изобретенияИнтегральный ЭСЛ-элемент, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первыми вторьи выходами и, соответственно через первый и второй резисторы подключены к шине питания, а эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистора, эмиттер которого через третий резистор подключен к общей вине, база первого транзистора через четвертый резистор соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода, катод которого подключен к входу, база второго транзистора через пятый резистор соединена с шиной питания и с анодом второго диода, катод котО- рого через последовательно включенные третий и четвертый диоды соединен с общей шиной, о т л и ч .а ющ и й с я тем, что, с целью увеличения надежности, введен четвертый транзистор, коллектор которого соединен с базой первого транзистора, база - с коллектором третьего транзистора, а эмиттер - с базой третьего транзистора и с катодом второго дио" да.За Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгоро Гагарина, 101 966/56 Тираж 884 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5

Смотреть

Заявка

4405561, 15.03.1988

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-3106

БОТВИНИК МИХАИЛ ОВСЕЕВИЧ, БОТВИНИК ВЛАДИСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ, ПОЛУПАН ИГОРЬ ВИТАЛЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 19/086

Метки: интегральный, эсл-элемент

Опубликовано: 23.12.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1531209-integralnyjj-ehsl-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральный эсл-элемент</a>

Похожие патенты