H01J 29/51 — устройство для управления сходимостью нескольких электронных лучей
Катодно-модуляторный узел
Номер патента: 392569
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Андреева, Воронин, Кайдалов, Степанов, Черепахин
МПК: H01J 29/51
Метки: катодно-модуляторный, узел
...управляемых электронных лучей за счет реализации торцового управления и совмещения осей управляющих электродов и 15 пролетных каналов в одной плоскости.Предложенный катодно - модуляторныйузел представлен на чертеже.В качестве источника электронов в немможет быть использован оксидный катод 1 20 косвенного канала, общий для всех лучей,Эмиттирующая поверхность катода может быть плоской или вогнутой для предварительной фокусировки электронов. Перед катодом, па некотором расстоянии от него, расположен общий для всех лучей модулятор 2, выполненный, например, в виде металлической пластины. В модуляторе имеется система отверстий - пролетных каналов 3, с помощью которых сплошной электронный поток зо разбивается на отдельные лучи. В модулято 3рс...
Электронно-оптическая система
Номер патента: 364984
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Рум
МПК: H01J 29/51, H01J 31/20
Метки: электронно-оптическая
...например, в цветных кинескопах.Известна ЭОС для цветного кинескопа с двумя и более электронными пучками, расположенными в одной плоскости, содержащая иммерсионный объектив в качестве системы формирования электронных пучков и цилиндрические электростатические линзы в качестве системы фокусировки в двух взаимно перпендикулярных направлениях, систему сведения пучков на экране,Недостаток известной ЭОС состоит в конструктивной сложности (наличие системы сведения электронных пучков на экране). Предложенная ЭОС отличается от известной тем, что в системе фокусировки, состоящей из двух расположенных последовательно по ходу электронных пучков цилиндрических линз, одна из линз выполнена общей для всех пучков, а у другой высоковольтная...
Электронно-оптическая система
Номер патента: 693478
Опубликовано: 25.10.1979
МПК: H01J 29/51
Метки: электронно-оптическая
...изобретения поясняетсячертежом где показан один из вариантов конструктивной схемы ЭОС,Она содержит раздельные катоды 1,модуляторы 2, фокусирующий электрод3 с плоскими пластинами 4, которыесовместно с плоскими пластинами 5образуют соответственно низковольтную и высоковольтную части бипотенциальных индивидуальных линз; электромагнитную систему сведения 6 крайних пучков в центр экрана; выполненную в виде секступоля, цилиндричес -кую электромагнитную фокусирующуюкатушку 7.Устройство работает следующим образом,Катоды испускают три расходящих -ся электронных пучка с параллельными осями, лежащими в одной плоскости.Формируемые тремя иммерсионными обьек тивами, они попадают в тройную линзу,фокусирующую пучки в плоскости, па -раллельной...
Устройство статического совмещения лучей и регулировки чистоты цвета в цветном кинескопе
Номер патента: 741348
Опубликовано: 15.06.1980
Автор: Жеглов
МПК: H01J 29/51
Метки: кинескопе, лучей, регулировки, совмещения, статического, цвета, цветном, чистоты
...в области центрального луча оказывается скомпенсированным.В зависимости от величины тока, протекающего через катушки сведения на два крайних луча воздействуют соот ветствующей силы магнитные поля, отклоняющие эти лучи от первоначального направления в ту или другую сторону в зависимости от полярности включения источника питания, причем лучи на экране кинескопа двигаются в противоположных направлениях. На фиг. 3, 4 стрелками показаны направления движения электронных лучей и направления магнитных силовых линий при укаэанной полярности включения источника постоянного тока. В случае изменения полярности источника питания направление движения электронных, лучей и направление маг нитных силовых линий изменяется на...
Устройство для регулировки чистоты цвета трехлучевого цветного кинескопа
Номер патента: 1119099
Опубликовано: 15.10.1984
Авторы: Березин, Романов, Фрончак
МПК: H01J 29/51
Метки: кинескопа, регулировки, трехлучевого, цвета, цветного, чистоты
...лучейкинескопа минимально за счет компенсации магнитного поля внутреннегомагнита магнитным полем внешнегомагнита и, следовательно, перемещение электронных лучей на экране кинескопа минимально, а в идеальном случае равно нулю. Указанная компенсация возможна при ширине внутреннего магнита, составляющей 0,7-0,8,ширины внешнего магнита, так как при.этом усилие магнитного поля за счет меньшего диаметра внутреннего магнитакомпенсируется ослаблением магнитого поля за счет меньшей .ширины внутреннего магнита, В результате в областиэлектронных лучей магнитное поле внутреннего магнита оказывается равным и противоположно направленныммагнитному полю внешнего магнита, арезультирующее магнитное поле близкимк нулю, При ширине внутреннего...
Цветная телевизионная трубка
Номер патента: 1429949
Опубликовано: 07.10.1988
МПК: H01J 29/51
Метки: телевизионная, трубка, цветная
...от боковых отверстий 38 и 40, совпадая с ними по контуру, и разделены промежутками 47 и 48, ориентированными перпендикулярно плоскости электронных прожекторов и расположенными в области боковых отверстий 38 и 40.Днище электрода 23 с магнитопроницаемыми элементами находится в части несовмещения зоны отклонения цветной телевизионной трубки 1. Во время работы отклоняющая система 11 создает два ортогональных магнитных поля отклонения в зоне отклонения трубки. Эти поля известны в основном как вертикальное и горизонтальное отклоняннцие поля даже тогда, когда лицеваясторона трубки может быть ориентирована и не вертикально. Вертикальноеотклоняющее поле имеет линии потока,проходящие горизонтально, и оно вызывает отклонение электронных...
Способ регистрации места падения электронного луча на поверхности полупроводника в вакууме
Номер патента: 1669327
Опубликовано: 10.11.1995
Авторы: Асалханов, Домбровский, Иванов
МПК: H01J 29/51
Метки: вакууме, луча, места, падения, поверхности, полупроводника, регистрации, электронного
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ МЕСТА ПАДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В ВАКУУМЕ, включающий очистку поверхности полупроводника и облучение ее электронным лучом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрации низкоэнергетического электронного луча при упрощении способа, одновременно с облучением поверхности полупроводника электронным лучом дополнительно осуществляют сканирование поверхности сфокусированным световым лучом, при этом регистрацию места падения электронного луча проводят по изменению величины тока электронного луча в момент совпадения места падения электронного и светового лучей.