Способ получения веществ высокой чистоты
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл. В 01 17/ЗО с присоединением заявки Государственный ноннтет Совета Министров СССР но делан нзобретеннй н отнрытнй(43) Опубликовано 25.11.75 оллетень Мв 43 (45) Дата опубликования описания Д Ц 5(54) спосов получения Веществ высокой чистоты ИИТБ Ф 3",Я 38 ЫРИ 31Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения веществ высокой чистоты кристаллизацией.Известен способ получения веществ высокой чистоты в виде кристаллов,выращенных из скондвнсировавшейся паровой фазы кристаппизующегося в верхней части компонента запаянных стеклянных ампул.Целью изобретения является создание высокозффективного и экономичного промышпенн ого спос оба, позволяющег о выдеаять высокоппавкие компоненты из исходной смеси, имеющие близкие температуры кипения, с получением целевых продуктов в ысокой чистоты в виде кристаллов.Это достигается тем, что целевой компонент выдеаяют из исходной смеси Грвктификацией с последующей дефаегмацивй паров ректификата в пленочном режиме до получения твердой фазы целевого компонента.Пример 1. Получение кристаллов хао 1 ористого алюминия осуществляется в ректификационной колонне, в верхней частикотороИ имеется охааждаемая поверхноот 1,служащая одновременно дефаегматором и 15 кристалаизаторомПары ректификатов, содержащие хаористый алюминий при давлении боаее 2,26ата и температуре более 192,6 о, оверхней тарелки рвктификационной колонны конденсируются на охлаждавмой поверхнос ти. Конденсат, образующийся при 25атом, с текает. под двйс твием с илы тяжеоти к нижнему участку поверхности ив виде фпвгмы поступает самотеком на зо492299 ФОРМУЛА ИЮБРЕТЕНИЯ Составитель ИеРЫХЛОВЬРлдкор,цавовя тегреда фуРуБ 2 ВРектора Е.Росона Заказ7 1 за "ф ФИ Ти)аж 7821111 Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, ЖРаушская набд, 4/51 о,и и с ное Г 1 ПП Патент Москва, Г, Бережковская наба орошение колонны, При температуре охлаждающей поверхности менее 165 оС происходит образование и рост кристаппов хпористого апюминия из конденсата, стекающего тонкоИ ппенкой по поверхвос ти.Создание противотока между твердой и жидкой фазами обеспечивает вымывание промесей, захваченных кристаппами, и получение более чистых кристаллов. Количество кристеллмзующейся твердой фазы регулируется интенсивностью охлаждения поверхности. Закрис таппизовавшийся твердый спой непрерывно снимается с поверхности и выводится из працесса.Содержание хлорного жепеза в готовом продукте при кристаппизации этим способом уменьшается до 1 10 .Пример 2. при разделении смеси дихпорбензопов в ректификационной колонне с получением кристадпов парадихнорбензопа на конденсацию в дефпегматор поступает паровая смесь спедующего составаПарадихлорбензод 65,бОртодихйорбензоп З 3,0Хпорбензоп 1,4Конденсация паровой смеси происходит на охпаждаемой поверхности, которая имеет температуру плюс 50 оС, близкую к точке кристаллизации высокоппавкого компонента. При этом часть парадихпорбензопа выкрис таппизовывается из жидкой фазы на охпаждаемой поверхнос ти, а оставшаяся смесь непрерывно стекает противотоком навс тоецг движению поверхности с затвердевшим 1 о продуктом, вымывая из него примеси извтектику. Затвердевший продукт непрерывно снимается с поверхности ножом и выводится из процесса. Чистота 15получаемого.парадихпорбензопа 99,5.В примерах количество готовогопродукта, а спедоватепьно и количество О фпегмы, легко регупируется температурой хладоагента и может быть опреденено по известным формулам дпя расчета процесса крис тапи изации расппавов.йавпен ие в системе определяется усп овиями работы ректификационной колонны. Способ получения веществ высокоИчистоты из смеси веществ, имеющих З 5близкие температуры кипения охлаждениемпаров целевого компонента, о т и ич а ю щ и И с я тем, что, с цепью 4 о повышения производительности, целевойкомпонент выделяют из исходноИ смесиректификацией с последующей дефпегма 4 б цией паров ректификата в пленочномрежиме до получения твердоИ фазы целевого компонента.
СмотретьЗаявка
1782159, 04.05.1972
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2287
АНТОНОВ ВИКТОР НИКИТОВИЧ, ГЕЛЬПЕРИН НИСОН ИЛЬИЧ, ФИЛАТОВ ЛЕВ НИКАНОРОВИЧ, ПЕКЛЕР АЛЕКСАНДР МАРКОВИЧ, МИХИН ЕВГЕНИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, ФУРМАН АБРАМ АРОНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B01J 17/30
Метки: веществ, высокой, чистоты
Опубликовано: 25.11.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-492299-sposob-polucheniya-veshhestv-vysokojj-chistoty.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения веществ высокой чистоты</a>
Предыдущий патент: Катализатор для полимеризации и сополимеризации этилена, олефинов и сопряженных и несопряженных диенов
Следующий патент: Способ получения химических элементов высокой чистоты
Случайный патент: 313550