Способ изготовления матричного накопителя

ОБРЕТЕ ТЕЛЬСТВ АВТОРСКОМУ Й инсти е 1 ес 1 г са Сгцс 1 ц гез р.1450. уемые потва на осодников -АТР ннои и ть исои роще- ачестобрапоследовательераций по изгопителя; на фиг. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯНОГО НАКОПИТЕЛЯ Изобретение относится к электр вычислительной технике и может б пользовано при создании оператив мяти искусственного интеллекта,Целью изобретения является у ние технологии, а также повышение ва и плотности матричного накопите Способ осуществляют следующи зомМежду металлическими шинами наносят слой диэлектрика и оксидное полупроводниковое стекло (ОСП), которое обрабатывают лазерным излучением единичных импульсов с длиной волны 1,06 мкм и мощностью 31 Вт, достаточной для проплава вликера ОСП на всю глубину без выброса массы . В качестве полупроводникового стела используются следующие составы оксидного полупроводникового стекла (ОСП): СцО-СаО-Р 205,БО 1 б 79551(57) Изобретение относится к электронной и вычислительной технике и может быть использовано при создании оперативной памяти искусственного интеллекта, Целью изобретения является упрощение технологии, а также повышение качества и плотности матричного накопителя, Для этого в качестве полупроводникового стекла используют оксидное полупроводниковое стекло (ОСП) следующего состава: СцО - СаО - .Р 205, СцО-Те 02 - Ч 205, а также ОСП других составов на основе переходных металлов. Нанесенную на подложку стеклянную фритту оплавляют импульсными лазерным излучением с длиной волны 1,06 мкм и плбтностью мощности (1,6 - 3,6) 103 Вт/см, достаточной для ее проплава на всю глубину беэ выброса массы, 1 табл., 2 ил. СцО-Те 02-Ч 205, а также другие на основе переходных. металлов. Оксидное полупроводниковое стекло обладает высокой химической устойчивостью, низкой токсичностью, высокой температурой плавления, долговечностью. Нанесение слоя стекла производится на воздухе, вручную и не требует использования сложных дорогостоящих приборов и соответствующей им техники безопасности. Лазерным излучением единичными импульсами длиной волны 1,06 мкм и плотностью мощности (1,6-3,6)ф 40 Вт/см воздействуют на слой оксидного полупроводникового стекла в требуемом , месте. В месте воздействия происходитулетучивание влаги, следов связки. На фиг.1 представле ность технологических о товлению матричного на- электрическая схема матричного накопителя.П р й м е р. На ситалловую подложку наносят термическим напылением контактную полосу металлической (например, хромовой) пленки толщиной 10 мкм (фиг,1, а и б). Затем наносят тонкий слой шликера ОСП состава СцО-Те 02-Ч 205 толщиной 40110 мкм (фиг 1, в). После высыхания слоя шликера подложку устанавливают на рабочий столик лазерной установки типа "Квант" и производят обработку композиции единичными импульсами сфокусированного лазерного излучения с длиной волны 1,0 мкм с мощностью 4 Вт, достаточной для проплава "шликера на всю глубину беэ выброса массы (фиг,1, г). Столик перемещается с шагом нанесения контактных полос, Облучаются участки слоя шликера, находящиеся над электронным материалом. Затем пластину помещают в напылительную установку и производят напыление второго слоя хромовой пленки (У-шина), расположенной перпендикулярно к первой хромовой полосе (фиг.1,д). Далее на пластину вновь наносят слой шликера (фиг.1,е), обрабатывают лазерным излучением (фиг.1,ж). Затем наносят слой диэлектрика (например, Я 02) толщиной 511 мкм (фиг.1,з), в котором методом фотолитографии с последующим травлением изготавливают окно для оголения слоя стекла (фиг,1,и), Сверху наносят хромовый слой второй Х-шины (фиг,1,к). Далее операции повторяют сначала.. В результате электрическую схему (объемного) матричного накопителя можно представить в виде структуры, изображенной на фиг.2. Объемная матричная память может быть расширена по осям Х, У и 7. Плотность мощности лазерного излучения, полученного с помощью лазерной установки типа "Квант" при диаметресфокусированного пятна 0,4 мм, длине вол 5 ны 1,06 мкм и мощности излучения 2-4 Вт,составляет 1,6 10 - 3,6 10 Вт/см.В таблице приведены результаты проводимых исследований по определению оптимального режима обработки лазерным10 излучением,Технико-экономическая эффективностьизобретения заключается в повышенииобъема и плотности записи объемной матрицы, а также повышение эксплуатацион 15 нцх свойств, качества и упрощениетехнологии за счет применения оксидногополупроводникового стекла и исключениямногоразовых операций фотолитографии итравления, что, в свою очередь, приводит к20 сокращЬнию времени изготовления элементов матричной памяти и улучшению условийтруда. Формула изобретения25оСпособ изготовления матричного макопителя, включающий нанесение на подложку слоев диэлектрика и полупроводникового стекла между металлическими шинами с по следующей фотолитографией и травлением,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии, увеличения качества накопителя, в качестве полупроводникового стекла наносят слой оксидного 35 полупроводникового стекла и обрабатывают его с помощью импульсного лазерного излучения с длиной волны Ъ 1.06 мкм и плотностью мощности (1,6- 3,6)10 Вт /см40l/инемюе имШмикери/л/фй 7 гиюаиейэ Нвнмввм биеиаеаю Ц Лощади дщщ фиа ф имениеф изниенинеение еийищежрииЬч ела ни 8 еие Составитель Л;АмусьеваРедактор Г.Гербер Техред М.моргентал КоРРектоР О.КРавцова/ Заказ 3218 Тираж 321 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 твенно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Прои