Патенты опубликованные 23.04.1986
Способ определения примесей в воде (его варианты)
Номер патента: 1226203
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Авотиньш, Дзелме, Лещинский, Тиликс, Эртс
МПК: G01N 21/64
Метки: варианты, воде, его, примесей
...с данными градуировочных графиков определяют ее концентрацию, Для смесей меди и кадмия строят отдельные градуировочные графики для разных соотношений компонентов. Затем берут пробу с неизвестным составом примесей. Все измерения проводят в тех же условиях, что и при построении градуировочных кривых и50 рабочих зависимостей (фиг.1 - 3). По сравнению с рабочей зависимостью (фиг.1) определяют тип (химическую природу), а по градуировочным графикам (фиг.2 и 3) - концентрацию55 примесей. П р и м е р 2. Изготовление дисков монокристаллов хлорида натрия проводят аналогично примеру 1, Облучение проводят на той же установкеРХМ20, но все диски облучают одинаковой дозой 10 Гр, Для стандартиэапий условий измерения в исследуемых пробах воды...
Способ количественной оценки термической устойчивости фаз металлов и славов
Номер патента: 1226204
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Спиридонова, Таран, Твердохлебова
МПК: G01N 21/64
Метки: количественной, металлов, оценки, славов, термической, устойчивости, фаз
...О сбыс :риваниЯ ггожь Г НаББ аз,.е ОИ Одом .у ще - Тв Ов анИЯ ":азь при локальном поздеОт зии источ .-:их а:Гнев ги 11,.ГГрЪ ЕТ. г, "НЕ рГИГО1 Г 1(." г)Я;)10 СЩ=СТ:= Се 2"3 ":-1В "СГ,:.ИХ ЗрЕК -., ргЧЕСКО О разряда И ло,ЕТ 1 гМЕ" Ь С - ,;, гИ Т ЛЬГтсгр,;,Э Я ИЧ,зе.:ну харак - .еристи;су . ОГрт=.е Ой ус РИВ г" С Г 1 фа -ГРаСЛар ТЗЕРДОИ фаЗЫ ОС; Ц 10".ВРЯКг опа 1г Е 11 с 1 т у - 1Зг, НО " О (гг грРан,: г. "-; той рГ.2 г,. , э ."-ГГ - Э",:1, ОЧ "Кой В З-Г,; -НГО .ЯР= г 1 ЦХ РГИН.:.". р:, ГРЕВЕЛГЮТ У НОСГГТСР 1 Ь. О2 НИЯ ЩсЗ:- С1 .ГЦЕГ.ТВ Г ЗРОВ Гра г,"-. бт:,иГе;, о г ге Г - ,ач. - ;-Г-.Г 3 1 ОИ, 2 ВГ;,"СТ В"1 ГГЕГ:-РУр ГГи - ; НТО 3Е ".10.1 ЕННЬГЕ ИЗ . ЗВ.1 г И.ре1226204 Продолжение таблицыО)акал/йоль РеВБ 1 110 8,86 51,36 75,76 17,81...
Пламенно-фотометрический детектор для газовой хроматографии
Номер патента: 1226205
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Банькин, Исламов, Охитин, Судаков
МПК: G01N 21/72
Метки: газовой, детектор, пламенно-фотометрический, хроматографии
...пламенно-фотометрического детектора, 10Устройство содержит корпус с камерой 1 детектора, горелку 2, отражатель 3 излучения, линзу-световод 4,светофильтр 5, фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) 6, трубопроводы 7-9 для 15подвода пробы и газа-носителя, водорода или СО, кислорода соответственно, патрубок 10 для наддува, и отверстие 11, В нижней части детектора в основании корпуса помещен погло Отитель 12. К ФЭУ 6 подсоединен блок13 питания, выход его подсоединенчерез усилитель 14 к регистратору 15и интегратору 16.Горелка в устройстве выполнена 25перевернутой для обеспечения истекания пламени иэ горелки по направлению силы тяжести, что вызывает изменение геометрии пламени и уменьшает дифференциацию пламени по температурным зонам, повышая...
Устройство для атомизации твердых проб
Номер патента: 1226206
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Барсуков, Гребенников, Емельянов
МПК: G01N 21/74
Метки: атомизации, проб, твердых
...такие условия, когда пары вещества занимают не менее907 объема камеры (объемная доляиспаренного вещества в этом случаеравна 0,9) получим критическийразмер камеры: Ъ 1,1 Ч,Поскольку масса разрушенного материала линейно зависит от энергиипадающего излучения лазераМ=В 11, кг, (2)где В - коэффициент, зависящий оттеплофизических свойств материала,обычно равен 2 10 кг/Дж; М - энергия, Дж, и учитывая, что доля паровой фазы при разрушении материаловлазерным излучением умеренной плотности по результатам различных работсоставляет от десятых долей до 20307. от объема разрушенного материала,получим, принимая в среднем этот показатель за 27., что масса испаренного вещества определяется выражениемт 4,0 10 Ъ 7, кг, (3)Используя соотношениеи учитывая,...
Способ рентгеновской дефектоскопии изделий
Номер патента: 1226207
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Валуев, Ефанов, Лютцау, Парамонов, Сарпов, Хакимьянов
МПК: G01N 23/08
Метки: дефектоскопии, рентгеновской
...напряжения на источнике рентгеновского излучения из условияЙ=сопз, где д - толщина изделия (путь прохождения излучения в бездефектном изделии по направлению на детектор); 1 Ц линейный коэффициент поглощения излучения, зависящий от эффективной энергии излучения, определяемой высоким напряжением на источнике рентгеновского излучения. Далее задают закон изменения анодного тока источника рентгеновского излучения из условия 1 Б сотай, гдеБ - высокое напряжение;- анодный ток. Просвечивание изделия производят сканируюшим пучком рентгеновского излучения при соблюдении указанных законов изменения высокого напряжения и анодного тока источника рентгеновс кого излучения. В результате этого при беэдефектном издепии сигнал детектора,...
Способ определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила
Номер патента: 1226208
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг
МПК: G01N 23/20
Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа
...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...
Рентгенографический способ выявления дефектов структуры кристаллов
Номер патента: 1226209
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина
МПК: G01N 23/20
Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры
...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
Номер патента: 1226210
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Денисов, Зельцер, Ковальчук, Сеничкина, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры
...О перемещения крчсталла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществляется с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 55 без нарушения вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10 мм рт.ст.Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, загрузочно-передающий манипулятор 41, устройство 42 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 43.Устройство работает следующим образом.Сформированный устройством 1 рент. геновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение,...
Рентгеновский спектрометр
Номер патента: 1226211
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Безирганян, Нариманян, Ростомян
МПК: G01N 23/20
Метки: рентгеновский, спектрометр
...соберут 10 ся в одной точке К, которая находится на окружности с центром 0 ирадиусом г,Пусть пучок с угловой расходимостью 2 о падает на кристалл-анализа 15 тор, находящийся в положении МоМооа центральный луч РО, направленныйк оси вращения, падает на кристаллпод углом максимального отражения 9для исследуемой длины волны Э,20 После нечетного числа и отраженийэтот луч выходит иэ точки Во подуглом 29 относительно оси Х. Чтобылуч, распространяющийся в направлении РА, можно было привести в положение максимального отражения, необходимо повернуть кристалл-анализатор против хода часовой стрелки наугол 3 . Тогда луч РА, падающий наММ в точке А, выйдет из анализато 30 ра от точки 8 под углом 2 д +3. Координатыиточки пересечения...
Способ определения интенсивности фона
Номер патента: 1226212
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Астахова, Григорьев, Конев, Слободянюк, Суховольская
МПК: G01N 23/223
Метки: интенсивности, фона
...2,56 2,64 2,75 1,47 1,63 1,79 2,06 2,10 2,19 1,25 1,24 1,29 1,36 1,35 1,39 1,14 1,18 1,20 1,23 1,20 1,16 1,06 1,03 1,03 0,977 0,922 0,903 1,О 1,05 1,06 1,02 0,966 0,935 0,994 0,977 0,95 0,881 0,798 0,758 0,924 0,888 0,845 0,76 0,640 0,592 Пф2,78 2,94 Пф2,.20 2,29 Пф1,83 1,84 Пф1,33 1,331,10 1,11 ПфПФ0,909 0,924 Пф0,958 0,964 ПФ0,801 0,805 ПФ0,650 0,629 Способ определения интенсивности фона осуществляется следующим образом.Анализируемый материал помещают в спектрометрическую кювету, облуФают смешанным излучением рентгеновской трубки (при Б 50 кВ) и регистрируют детектором интенсивность фона М( 3 ) от-Ф них на месте аналитической линии ТеК , а также в максимумах пикова фкогерентно и некогерентно (0,0709 и 0,0743 нм) рассеянного М К, -излу....
Устройство для создания однородного магнитного поля
Номер патента: 1226213
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Жерновой, Мельников, Чибисов
МПК: G01N 24/02
Метки: магнитного, однородного, поля, создания
...устройства для создания однородного магнитного поля и его локализации.На фиг. 1 показана конструкция устройства для создания однородного магнитного поля; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1. 15Предлагаемое устройство содержит постоянный магнит 1 в форме прямоугольной призмы, на который наложены профилированные полюсные наконечники 2, выполненные из магнитомягкого ма териала в форме плоскопараллельных пластин, Полюсные наконечники образуют пространство, в которое помещается датчик, например датчик ЯМР 3.На фиг. 1 и 2 а - длина прямоуголь ной части полюсного наконечника, выступающая за пределы постоянного магнита 1, в - высота сужающейся части полюсного наконечника; с - ширина зазора между полюсными наконечника- ЗО ми; юс - угол...
Термостатированная камера радиоспектрометра
Номер патента: 1226214
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Ажеганов, Батяев, Данилов, Кибрик
МПК: G01N 24/02
Метки: камера, радиоспектрометра, термостатированная
...удобства смены образца и катушки и техноло - 1 О гичности конструкции.На чертеже представлена камера, продольный разрез.Камера содержит тонкостенную трубу 1 с коаксиальным разъемом 2 и от-15 верстиями 3, трубу 4 с двойными стенками, в которых есть отверстия 5 и 6. Внутри тонкостенной трубы 1 расположены катушка 7 индуктивности и иследуемый образец 8. Все устройство окружено теплоизолятором 9.Камера работает следующим образом,В рабочем положении труба 1 вдвинута в трубу 4 так, чтобы отверстия 3 и 5 совпадали. Газ-теплоноситель подается в открытый конец трубы 1, обдувает образец 8, через отверстия 3 и 5 попадает в полость между двойными стенками трубы 4 и затем в выходные отверстия 6, ЗО Для смены катушки 7 индуктивности или образца 8...
Способ регистрации сигнала спада свободной индукции в импульсной спектроскопии ямр и якр
Номер патента: 1226215
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Кригер, Семенов, Трегуб
МПК: G01N 24/08
Метки: импульсной, индукции, регистрации, свободной, сигнала, спада, спектроскопии, якр, ямр
...возбуждающий радиочастотный (РЧ) импульс от генератора 1 радиоимпульсов, ключи 4 и 6 в это время удерживают разомкнутыми, выход интегратора5 - в нулевом состоянии, Сигнал усиливают и детектируют в усилителе-детекторе 3. По окончании переходных процессон в усилителе-детекторе 3, вызванных возбуждающим РЧ-импульсом, разрешают интегрирование интегратору 5 и на его вход подают усиленный и продетектиронанный сигнал (замыкают ключ 4),По истечении времени интегрирования ключ 4 размыкают и выходное напряжение интегратора 5 передают на выход устройстна (замыкают ключ 6). Выбором постоянной интегрирования можно привести величину выходного напряжения устройства к желаемому диапазону значений при широких пределах изменения амплитуды входного...
Вычислительный томограф на основе ядерного магнитного резонанса
Номер патента: 1226216
Опубликовано: 23.04.1986
МПК: G01N 24/08
Метки: вычислительный, магнитного, основе, резонанса, томограф, ядерного
...второй вход, формируются Фаза и длительность импульсов, а также расстояние между импульсами. Сформированная пос.ледовательность импульсов поступает на первый вход блока 7 формирования селективного импульса, в котором происходит модуляция амплитудного импульса по форме, задаваемой кодами, поступающими на второй зход от управляемого оперативно запоминающего устройства 3, причем управление частотой выборки кодов во время сканирсвания производится программатором 2. Процесс Формирования селектив ного импульса осуществляется с целью получений заданной спектральной Формы импульса, Полноь сформированная последовательность усиливается в усилителе 8 мощности и передается в приемно-передающую катушку 9, в которой находится исследуемый объект 10....
Спектрометр ядерного магнитного резонанса
Номер патента: 1226217
Опубликовано: 23.04.1986
Автор: Адельсон
МПК: G01N 24/08
Метки: магнитного, резонанса, спектрометр, ядерного
...следующим образом.Частота перестраиваемого по частоте автогенератора-детектора 1 модулируется с помощью генераторов 2 и 3,частоты которых я и а соответственно установлены далекими по отношениюдруг к другуаименно Ю м д , Частотно-зависимое поглощение электромагнитной энергии при ЯМР в исслегуемом образце, находящемся в колебательном контуре автогенератора-детектора 1, обуславливает амплитудную модуляцию колебаний автогенератора,Сигнал автогенератора детектируетсяс помощью АИД 5 и третьего ФЧД 7, Фаза сигнала в опорном канале третьегоФЧД 7 устанавливается при совпадениичастоты автогенератора-детектора 1с частотой ЯИР таким образом, чтобы, сдвиг Фаз между опорами и входнымсигналом детектора составлял П 2.Сигналы с АИД 5 и ФЧД 7 поступают...
Устройство для измерения параметров импульсных сигналов ядерно-магнитного резонанса
Номер патента: 1226218
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Рыцарь, Семенистый
МПК: G01N 24/08
Метки: импульсных, параметров, резонанса, сигналов, ядерно-магнитного
...считывание числа импульсов производится путем подачи импульсов от генератора непосредственно на реверсивный вход счетчика до момента его обнуления. Поэтому время считывания будет в К раз меньше времени записи дй.Следовательно, на 1-выходе блока 11 образуется импульс длительностью равной значению Тг, в момент подачи на синхровход блока 11 импульса с блока 2 управления. Регистратор 15 осуществляет измерение длительности импульса на выходе блока 11 деления временных интервалов, т.е. значения т2Измерение начального значения Аоимпульсов в предлагаемом устройстве происходит следующим образом.В момент окончания импульса, равного по длительности Т 2, с инвертирующего выхода Яблока 11 на уйрав.ляемый вход второго ключа 12 поступа ет импульс,...
Вычислительный томограф на основе ядерного магнитного резонанса
Номер патента: 1226219
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Крутских, Рубашов, Смирнов, Стогов
МПК: G01N 24/08
Метки: вычислительный, магнитного, основе, резонанса, томограф, ядерного
...с РЧ-системой 5.Предложенное устройство работает следующим образам.,Б магнитную систему 1 с1:Е-тай; ."1 Е,4 ГРЯДИЕНТНСИ2:; Г 1-1.ятушкай 3 помещаетя исследуемьт 1:. Обьект 4. РЧ-.система " па каман.де тщагря 1 чмятара 6 вырабатывает уп .раьляюши; импульс.1 для градиентной7 Ч т 11 т т С 1 1 П птт ДОЩИЕв РЧ-катушку 3, Па команде программа таря б т 1 еовьг корту татар 7 дязмыка,ет цепь второй -Хятут 11 кт 1 10, а коммутягар 8 вазмыкт 1 ет цепь проводящего экрана 9,; яте 1 включается гря 19 21,400 Э, Градиентная система 2 обеспечивает градиентное магнитное поле па заданному направлению 0,2-2 Э/см, В РЧ-катушку 3 с внутренним диаметрам 80 см подается 90-градусный РЧ- импульс длительностью 30 мкс, а через интервал 1 7 млс - 180-градусный...
Вычислительный томограф на основе ядерного магнитного резонанса
Номер патента: 1226220
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Крутских, Рубашов, Смирнов
МПК: G01N 24/08
Метки: вычислительный, магнитного, основе, резонанса, томограф, ядерного
...сигналов закрепляются на запястьях рук человека, таким образом регистрируя сигнал электрокардиограммы (ЭКГ), который пройдя через блок 2 защиты, уси литель 3 и фильтр 4, поступает на вход формирователя 5 управляющих импульсов, выход которого соединен с центральным процессором 6, выход которого соединен с входом ЯМР-томографа 7. Фильтр 4 построен таким образом, чтобы выделить из всего комплекса сигналов ЭКГ-зубец, по которому фор 35 мирователь управляющих импульсов вырабатывает командный сигнал, а по последнему центральный процессор запускает программу последовательности градиентов магнитного поля и радиочас 40 тотных импульсов для получения одной проекции. Таким образом регистрация каждой проекции синхронизированна с заданной...
Способ изучения разрезов скважин
Номер патента: 1226221
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Аксельрод, Гольбхаер, Даневич, Садыхов
МПК: G01N 24/08, G01V 3/32
Метки: изучения, разрезов, скважин
...отношение приведенных к мощности слоистого пласта эффективной и открытой пористости прослоев коллекторов, а по этому отношению - коэффициент открытой пористости, приведенный к мощности пласта, и коэффициент связанной водонасьпценности прослоев .коллек тора.Способ осуществляется следующим35 образом.На исследуемой площади по результатам лабораторного исследования образцов пород производится определе40 ние характерного значения времени продольной релаксации связанной воды в магнитном поле Земли. В исследуемой скважине обычной аппаратурой ядерно-магнитного каротажа проводят 45 ся измерения в режиме измерения ИСФ и времени продольной релаксации. Отбирается проба промывочной жидкости, в лабораторных условиях из этой пробы отбирается...
Спектрометр электронного парамагнитного резонанса
Номер патента: 1226222
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Горелкинский, Ким
МПК: G01N 24/10
Метки: парамагнитного, резонанса, спектрометр, электронного
...относится к технике радиоспектроскопии и может быть использовано для определения градиента, а также пространственного распределения концентрации парамагнитньгх центров, присутствующих в материале, беэ разрушения исследуемых образцов,Цель изобретения - расширение функциональных возможностейНа чертеже представлена схема спектрометра ЭПР.Спектрометр содержит плоскопараллельный магнит 1, который создает постоянное магнитное поле в объеме образца 2, находящегося в СВЧ-резонаторе 3, призмы 4 из ферромагнитного материала, создающие в зазоре магнита неоднородное магнитное поле и жестко соединенные между собой платформой 5, микрометрический винт 6 для возвратно-поступательного перемещения призм в направлении, параллельном плоскостям полюсов...
Способ определения высокоароматических веществ в каменноугольном пеке
Номер патента: 1226223
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Золкин, Котосонов, Объедков, Остронов, Самойлов
МПК: G01N 24/10
Метки: веществ, высокоароматических, каменноугольном, пеке
...высокоароматическкх веществ.По предлагаемому способу яз поступающей партии гека отбирают первую пробу выделяют фракцию пека., нерастворимую в хинолкне, к измеряют интенсивность сигнала ЗПР. Для каждой гесследующей пробы проводят только изме.эеняе интенсивности сигнала ЗПР, я 26223 2содержание высокаароматических веществ в них определяют пс отношениюинтенсивности сигнала ЭПР анализируемой пробы пека к интенсивности сигнала ЗПР фракции пека, нерастворимойв хянслкне, выделенной из первой проПутем механического смещения пекатсй же пробь 1 с выделенной фракциейпека, нерастворимой в хинолине, взятых в заданных яропсрциях,готовят серию образцов. Содержание высокоароматкческих веществ для этих образцовизвестна с точностью не менее...
Устройство для выделения слабых сигналов магнитного резонанса
Номер патента: 1226224
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Адамович, Куликовских, Лапицкий, Ромбак, Яновский
МПК: G01N 24/10
Метки: выделения, магнитного, резонанса, сигналов, слабых
...резонанса, содержащее аналого-цифровой преобразователь (АЦП),запоминающее устройство (ЗУ) и блок управления, первый выход которого подключен к управляющему входу запоминающего устройства, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повышения чувствительности и точности воспроизведения спектра магнитного резонанса за счет уменьшения низкочастотных и дрейфовых шумов,в него дополнительно введены первый и второй управляемые, целителичастоты (УЛЧ) реверсивный счетчикцифровой сумматор и преобразовательпаралпельного кода в последовательный, причем выход АПП подключен кинформационному входу первого УДЧ,Ф 122624 2Изобретение относится к техникемагнитного резонанса и может бытьиспользовано в приборостроительнойпромышленности при изготовлении...
Малогабаритный радиоспектрометр электромагнитного резонанса
Номер патента: 1226225
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Адамович, Куликовских, Мороз, Ромбак, Яновский
МПК: G01N 24/10
Метки: малогабаритный, радиоспектрометр, резонанса, электромагнитного
...в блок 6 СВЧ, преобразуется вэлектрический сигнал, а затем регистрируется и обрабатывается в блоке 5регистрации.Электромагнит 1 создает однородное поляризующее магнитйое поле наобразце, Юстировка параллельностирабочих плоскостей полюсных наконеч 5 2ников 8 и 9 для получения требуемойоднородности поляризующего магнитного .поля, а следовательно, и раз-.решающей способности радиоспектрометра ЭПР производится юстировочным механизмом, состоящим иэ обоймы 1 О с юстировочными винтами11, подвижно закрепленной на цилиндрической поверхности стакана 2,с прорезями 12, параллельными егообразующей. Процесс юстировки однородности поля в рабочем зазоре электромагнита 1 осуществляется вращением юстировочных винтов 11, расположенных в подвижной обойме...
Способ определения адгезии
Номер патента: 1226226
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Деликатная, Мышкин, Смуругов
МПК: G01N 24/10
Метки: адгезии
...ЭТОМ,д ЛтттЯЕ ДОЛЯ М:1 ТЕРИЯЛЯ, тОДНЕР -жРннаГО ядгеэеонному взаимодРйствиюпа Отнашеэию ко всему слю больше,НнжНЕй ГР; НИЦЬ Н ТОЛ 1 Рт 1.= СЛОЯ СПОсоб теоре.ически не имеет. В Отношеии верхой Границы устяковле 1 О., чтовлияние мадекулярнсга поля твердойповерхности на струкгуру н сьойства при 1 егаюш х к ней сдоен толиеран изолированы,друг ат друга и взаимодействуют диш с матрицей материала При концентрациях больше 10 молекулы р яди кя 1 я на чи нают в э яииад ехс 1 н О- вать между собой (ОбмРнное взаимо. действия) и за счет этого н спектрах ЭПР появляются сущестненные ис- Каж Е "ИЯ Н ВИД Р УДДР Р РИЯ ДИНИПри нанесегии жидкости,;1 о .рьтия, ;-1 енки материала на позер;:ность твер. дога тела под действием молекулярного тОДЯ тНЕРДай П"ВО...
Устройство для измерения температурной зависимости электрической проводимости материалов
Номер патента: 1226227
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Бакурадзе, Коган, Мшвелидзе, Харатишвили
МПК: G01N 25/00
Метки: зависимости, проводимости, температурной, электрической
...состоящим из датчика 31, исполнительного механизма. 32 и соеди"няющих их компенсационных проводов ЗО33, Исполнительный механизм включенв разрыв коммуникационной линии 34для подачи воды в охлаждающую рубашку 29. При перемещении пластины-основания. термоизоляционный кожух поскользящей посадке движется в отверстиях 35 в нижней 5 и верхней 4крьппках.ФОтверстия 35 снабжены бортиками36, выполняющими роль направляющихдля кожуха 28, а также функцию теплевого экрана и ограничителей дляподъемного устройства. Для прохождения светового измерительного сигнала от источника 37 к исследуемомуматериалу по беспроводной линии 38 45связи в корпусе переходного отсекаимеется окно, через которое сигналподается к измерительной аппаратуре 39.Нижняя...
Способ определения температуры фазовых превращений ионных кристаллов
Номер патента: 1226228
Опубликовано: 23.04.1986
Автор: Зильберман
МПК: G01N 25/02
Метки: ионных, кристаллов, превращений, температуры, фазовых
...изобретения является упрощение способа и повышение достоверности определения.Способ осуществляется следующим образом.Исследуемое вещество помещают в ячейку термостата с двумя электродами, один из которых эаземлен, нагревают с определенной скоростью, измеряют температуру нагрева и регистрируют амплитуду сигнала ионного тока, возникающего в момент образования расплава. Начало плавления вещества определяют по скачкообразному возрастанию амплитуды сигнала ионного тока.На чертеже представлена блок-схема установки.Устройство включает термостат 1 с регулируемой скоростью нагрева (охлаждения), ячейку 2 с исследуемым веществом, электрод 3 для индикациисигнала ионного тока, датчик 4 температуры, усилитель 5 сигнала, пере 226228 2 счетный...
Устройство для исследования фазовых равновесий жидкость-пар
Номер патента: 1226229
Опубликовано: 23.04.1986
МПК: G01N 25/02
Метки: жидкость-пар, исследования, равновесий, фазовых
...препятствующий попаданию капель в отверстие 3. Дпя улучшения циркуляции жидкости трубы а вывод одной иэ труб расположен надкарманом для измерителя температурыжидкости. 1 ил. диаметром5-7 мм должны заполнять. ся не менее чем на половину. Присоединение циркуляционных труб к емкос ти усиливает конвекционное перемешивание и обеспечивает равномерное кипение жидкости, исключая толчки, вызванные самоиспарением жидкости, а также колебания давления и температуры жидкости,В верхней части над зонтом 4 пар из выброшенной парожидкостной смеси отделяется от жидкости и через отверстия 3 в трубке и отводную трубку 11 попадает в кондейсатор 12 пара. Во избежание конденсации пара в трубке 11 последняя несколько наклонена в сторону сборника 15 конденсата,...
Способ определения коксуемости тяжелых нефтепродуктов
Номер патента: 1226230
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Долматов, Доломатов, Малахов
МПК: G01N 25/04
Метки: коксуемости, нефтепродуктов, тяжелых
...коксуемости тяжелых нефтепродуктов: пеков, термообработанных крекинг-остатков и т.п.Целью изобретения является упрощение способа и улучшение условийтруда.Предлагаемый способ осуществляет -ся следующим образом,Образец испытуемого нефтепродуктаэапрессовывают в металлическое кольцо, нагревают с постоянной скоростью5 град/мин и нагружают стержнем. Придостижении температуры размягченияобразец деформируется. Отмечаемая вмомент деформации температура принимается за температуру размягчения образца нефтепродукта. Подставляя полученное значение температуры размягчения Т в экспериментально полученнуюзависймость коксуемости нефтепродукта от температуры (Ч = А + В Т),получают значение коксуемости йефтепродукта Ч в массовых...
Способ калибровки приборов для определения водорода в сталях
Номер патента: 1226231
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Бушлов, Гладов, Глебов, Иванов, Касаткин, Кунин, Шалимов
МПК: G01N 25/14
Метки: водорода, калибровки, приборов, сталях
...е р. Образец армко-железа чистотой 99,997., диаметром 4 мм, длиной 15 мм, массой 1,5 г помещают в экстракционную камеру прибора для . определения водорода, экстракционную камеру продувают газообразным водородом и оставляют в камере в ,атмосфере водорода под давлением 101,3 кПа, нагревают образец до 500 С и выдерживают в атмосфере водорода при этой температуре 20 мин, далее продувают экстракционную камеру аргоном в течение 10 с, после чего проводят определение водорода в образце армко-железа и записывают показания прибора. Насьпцение водородом и отсчет показаний при данной температуре повторяют три раза, вьгчисляют среднее значение и оценивают дисперсию определения.Повторяя все перечисленные опера ции, проводят определение водорода в этом...
Устройство для определения деформативных свойств влажных капиллярно-пористых материалов при различных температурах
Номер патента: 1226232
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Александровский, Сильвестров, Ясин
МПК: G01N 25/16
Метки: влажных, деформативных, капиллярно-пористых, различных, свойств, температурах
...с внутренними опорнымиповерхностями рамки, а дне другие,расположенные напротив, свободноперемещались в ее проеме при деформациях образца, Перемещение свободных поверхностей образца регистрируют с помощью двух датчиков 8 перемещения, которые находятся на внутренних поверхностях рамки, расположенных напротив ее опорных поверхностейа сами датчики соединены с измерительным прибором 9. Кроме того, устройство содержит дополнительные электроды 10, расположенные внутри обоймы между упругоподатливыми прокладками и боковыми поверхностями рамки.Соприкасаясь с боковыми поверхностями исследуемого образца, электродь 1образуют с последними надежный электрический контакт, Они соединены сэлектротермическим устройством 11,по показаниям...