Устройство для создания однородного магнитного поля

Номер патента: 1226213

Авторы: Жерновой, Мельников, Чибисов

ZIP архив

Текст

АВТОРСКОМ ТЕЛЬСТВ ЗДАНИЯ ОДНО носитики и ктябрьсовогоеский х с д зличния МР р брет я од чения, Целью изопрощение создани ного наз одляе нико поля. Устроиство соый магнит и полюсные ного магнитног держит постоян наконечники. О поле в зазоре нечниками созд филированием г, магнитной сист янной шириныза дное магнитн правоч , М.: Энер люсными нак специальным наконечников сохранениипостюсн роектироватоянными 69, с, 6-7. мып с еждуними.2 и ЬР ГОСУДАРСТБЕННЬ)Й КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЬГПФ(71 Ленинградский орденакой Революции и ордена ТруКрасного Знамени технологиинститут им. Ленсовета(56) Постоянные магниты. Сник под ред. Пятахина Ю.Мгия, 1980, с, 109,Арнольд Р.Р. Расчет и иние магнитных систем с помагнитами, М.: Энергия, 1(541 УСТРОИСТБО ДЛЯ СОНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ1226213 оставитель И. Кащкурехред Н .Бонкало Ред акт о тилл Корректор Т. Кол каз 2118/36 БНИИПИ Госу Тираж 778 арственного комитета СС изобретений и открытий ва, Ж, Раушская наб. писно по делам113035, Мос 4/ изводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгороц, ул. Проектная Изобретение относится к области измерительной техники и предназначено для создания однородного магнитного поля в магнитных системах различного назначения, в частности в системах, использующих явление ядерного магнитного резонанса 1,ЯМР),Целью изобретения является упрощение устройства для создания однородного магнитного поля и его локализации.На фиг. 1 показана конструкция устройства для создания однородного магнитного поля; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1. 15Предлагаемое устройство содержит постоянный магнит 1 в форме прямоугольной призмы, на который наложены профилированные полюсные наконечники 2, выполненные из магнитомягкого ма териала в форме плоскопараллельных пластин, Полюсные наконечники образуют пространство, в которое помещается датчик, например датчик ЯМР 3.На фиг. 1 и 2 а - длина прямоуголь ной части полюсного наконечника, выступающая за пределы постоянного магнита 1, в - высота сужающейся части полюсного наконечника; с - ширина зазора между полюсными наконечника- ЗО ми; юс - угол профилирования, т.е.угол, под которым прямоугольнаячасть полюсного наконечника переходит в сужающуюся. 35 Б предлагаемом устройстве ширина прямоугольной части полюсного нако нечника в пять раэ превьпдает ширину зазора между ними, т.е. с =5 с 1, Профилирование пластин полюсных наконечников осуществляется таким образом, что угол профилирования Ж лежитов пределах 20-50 , а отношение длины сужающейся частик длине прямоугольной части д находится в пределах 0,7.5-1,75, т,е. 0,75- 61,75.дБ этом случае в пространстве между полюсными наконечниками появляется область локализованного однородного магнитного поля, в которую помещается датчик, например датчик ЯМР. формула изобретения Устройство для создания однородного магнитного поля, содержащее постоянный магнит выполненный в виде прямоугольной призмы, и палюсные наконечники в виде пластин, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства для создания однородного магнитного поля и его локализации, пластины имеют форму сопряженных основаниями прямоугольника и равнобедренного треугольника, угол при вершине треугольника нахоцится в диапазоне 40 а100 , отношение высоты треугольника к несопряженной с треугольником стороне прямоугольника, выступающей за пределы постоянного магнита, равно 0,75-1,75, а соотношение величины зазора между пластинами и основанием прямоугольника - 1:5.

Смотреть

Заявка

3818759, 30.11.1984

ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. ЛЕНСОВЕТА

ЖЕРНОВОЙ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, МЕЛЬНИКОВ НИКОЛАЙ МИХАЙЛОВИЧ, ЧИБИСОВ АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01N 24/02

Метки: магнитного, однородного, поля, создания

Опубликовано: 23.04.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1226213-ustrojjstvo-dlya-sozdaniya-odnorodnogo-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для создания однородного магнитного поля</a>

Похожие патенты