Патенты опубликованные 07.01.1986

Номер патента: 1005344

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Гинберг, Ергопуло, Поляков, Чемянов

МПК: A61K 33/06

Метки: искусственной, костной, создания, состав, ткани

...см, весом 1,5 гберут смесь: минеральная соль гидрооксиапатит Са(РО 4) (ОН) 58% (85 мг),желатин 32% (55 мг), мелконарезанный 25 сухой кетгут 6% (6 мг), вода остальное 4% (4 мг) .Смесь тщательно перемешивают и помещают в цилиндрическую форму длиной2,5 см, диаметром 0,5 см. Добавляют ЗО 2-3 капли жидкого припоя, напримерциакрина, и производят ультразвуковое.озвучивание волноводом с частотойколебаний 26 кГц в течение 30 с. Образуется искусственная костная тканьв виде трансплантата заданных размеров, Созданный трансплантат по формеи внешнему виду подобен естественнойтрубчатой кости белого цвета, поверхность гладкая. Трансплантат проченна изгиб и растяжение, твердость равна твердости естественной кости.В организме животного...

Номер патента: 1007697

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Большаков

МПК: B01D 29/28, B01D 29/44

Метки: самоочищающийся, топлива, фильтр

...очистки.Цель достигается тем,что в самоочищающемся фильтре, содержащемкорпус, фнльтрующий элемент и вибропривод фильтрующий элемент выполненв виде набора плоских дисков, наружные кромки которых скошены под углом 19-45Диски могут быть соединены междусобой стержнями.На фиг.1 изображен фильтр, общийвид; на фиг. 2 - диски, общий вид;на фиг. 3 - вид А на фиг.2.фильтр состоит из корпуса 1,фильтрующего элемента 2, набранногоиз плоских дисков 3, кромка 4 которых скошена под углом 19-45 . Диски соединены между собой в пакет посредством стержней 5. Фильтрующий элемент снабжен патрубком 6 для отвода фильтрата, который соединен штоком 7 с виброприводом 8. В нижней части фильтрующий элемент опирается на пружину 9. Патрубок 6 и шток 7...

Номер патента: 1103762

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Борисов, Васенков, Полторацкий, Ракитин, Сурис, Фукс

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...влиянию)в приповерхностных областях подложки под туннельно-прозрачным диэлект 30 риком электродов истока и стока образуются слои, обогащенные свободныминосителями. Эти слои примечательнытем, что являются хорошими инжекторами свободных носителей в индуцированный канал (в отличие от барьеровШоттки под электродами истока и стока известного транзистора). Поддействием электрического поля электрода затвора свободные носители вы 40 текают из-под электрода истока всторону электрода стока, двигаясьпо индуцироваяному поверхностномуканалу и ускоряясь полем, создаваемым напряжением, прикладываемым меж 45 ду электродами стока и истока, Восполнение носителей под туннельнопрозрачным диэлектриком электродаистока происходит благодаря протеканию...

Номер патента: 1010940

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Кунина, Лифшиц, Чудаков

МПК: G01N 21/55

Метки: излучения, инфракрасного, лазерного, материалах, поглощения, показателя, прозрачных

...введена система из двух неподвижных и одного подвижного плоских зеркал для коммутации лазерного луча в двух перпендикулярных направлениях относительно предметного столика, а фотоэлектрический полярископ установлен на консоли с возможностью поворота относительно предметного столика.55 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из инфракрасного лазера .1 с непрерывной генера- цией излучения (мощность лазера может варьироваться от нескольких ватт до десятка ватт), фокусирующей оптики 2, плоского зеркала 3, установленного с воэможностью поворота относительно двух других плоских зеркал 4 и 5, направляющих лазерное излучение на прозрачный плоский образец 6, расположенный на...

Номер патента: 1162352

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Гаврилюк, Гуменюк, Ланская, Мансуров, Чудновский

МПК: H01L 21/385

Метки: пленочных, структур

...интервала температур наблюдается плохая адгезияслоя ЧО к слою оксида переходногометалла. При температуре подложки,25 превышающей 90 С, слой МО получается сильно восстановленным. Этоприводит к возникновению большихнапряжений в слое УО, в результатечего перетекания водорода из сильЗО но напряженного слоя ЫО в слойоксида переходного металла не происходит.Скорость нанесения слоя ИОсоставляет 20-50 А/с. При скоростяхнанесения меньших 20 А/с в слойтрноксида вольфрама захватываетсябольшое количество примесей из остаточной атмосферы технологическоговакуума, что приводит к уменьшениюкоэффициента диффузии водорода вслое ИО и снижению эффективностиего перетекания. При скоростяхнанесения больших 50 А/с атмосферныеЮ получаются сильно напряженными,что...

Номер патента: 828802

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Вавилов, Молоков, Молокова, Шерстобит

МПК: F41C 25/08

Метки: крепления, магазина, оружию

...яря тому, .= О еустройетВЕ скп,дд дьЗс.:.: Н бт(е;сВЬТС 0 с, ОДНО тглс -" 7., СДЕТТР 7 к тТ ПЫСГсПС, с КС, ССД СссВ ц 3 са РКЕ СГУСКО=с. 7 .:КООЫ гс. В.;с С".у 0 С .:, ОЬсщки Оп та,: ОЗ: . сов , сс,", зТ,.:.,; Н - РИ ВН 7. Г л Ь К Рпяси 2. с тановне нную в :.ы: ьь",й Р ЧТ(077 ОКЕ О, б Обойс 77,7 Сс ЧРОРСсВ усПТсду 8 дрьсдсксс - г В -т с" ч;ос 1 с,В ГЕрР с-ай ЧЯт 7 и,: тсв,с 7здн 6 ф 77 КСТвссется в обод,Р заде г -К 01"..,7, тЯНОБПЕНН 1 Н,с Ссс 717,ЕЮТДТЕт пР УДИ ис7., сс,с Р ас ОлсС ПЕНЕГТЬЕй Стзикой ОбоТМЬ ":, Тст. За,гссЕй СтР 7 КЕ ОбОИМЬ с жЕСтК СГисс:ДСЕГТпена ОповЯ 16 г Осью 1 , на с,ос;сгсССЯНОВГЕН ВЬт Р 771 ИВ , тЕЛ сной 19,Вьтзлкивятел 7 1 0 вьгполнен с упр/", ст. Ойствс о-ботает с 1 е;,7 уацимОбрядесд ссз Со.с я ,а дакже...

Номер патента: 1111266

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Вълчанов, Демидов, Заборонский, Мейксон, Събов

МПК: A01C 7/00, H01L 31/00

Метки: датчик, фотоэлектрический

...датчика, 40Датчик содержит фотоприемник 1,установленный внутри светоотражателя2, который закрыт защитным стеклом3. В отверстии защитного стекла Закреплен светонепроницаемый экран 4,имеющий защитную светопрозрачнуювставку 5, против которой установленсветовой излучатель 6, например светодиод, работающий в импульсном режиме, который обеспечивается импульсным генератором 7. Светонепроницаемый экран 4 со светопрозрачнойвставкой 5 установлен так, чтобыстекло экрана 4 располагалось в зонемежду световым излучателем 6 и фотоприемником 1, а. торец светонепроницаемого экрана со светопрозрачнойвставкой 5 был в одной плоскости с 266 2наружной поверхностью защитного стекла 3.Выход фотоприемника 1 соединен с выходом усилителя 8 через...

Номер патента: 1061591

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...составит не более 3 ч.Целью изобретения является увеличение надежности и быстродействияустройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее шины для подключения исследуемой структуры, к одной из которых присоединен источникобратного смещения, а к другой -параллельный колебательный контури входы фильтров первой и второйгармоник сигнала, фильтр первойгармоники выполнен в виде последовательно включенных селективного усилителя, детектора и дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с источником опорногонапряжения, фильтр второй гармоникивыполнен в виде последовательновключенных селективного усилителя,детектора и фазового детектора, выход фильтра первой гармоники соединен с управляющим входом...

Номер патента: 1061658

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Волков, Липко, Царенков

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, растворов, твердых

...чтодля прямоэонных полупроводников вслучае примеси, создающей водородоподобные центры,- 10 / М, а оо , для концентрации легирующейпримеси получаем соотношение М10 /ь,Концентрация легирующей примеси естественным образом ограничена сверхузначением М соответствующим предельной растворимости вводимой примеси. Создание ч Е в условиях фотонного переноса приводит к возникновению фотонного дрейфа ННЗ, направНаиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ получения полупроводниковых твердых растворов для силовых диодов и солнечных элементов, на основе по крайней мере двух полупроводниковых соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов, включающий управление градиентом ширины...

Номер патента: 1064816

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Кайданов, Немов, Парфеньев, Шамшур

МПК: H01L 39/12

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...дополнительно вводимой в РЬТ 1 Теакцепторной примеси А был использован,натрий, содержание примесейталлия х и натрия у варьировалось45 в пределах 0,01 к х0,02,0,00075 4 у 6 0,025. Конкретныепримеры составов изготовленныхобразцов приведены в таблице. Образцы были изготовлены авторами методом горячего прессования. Синтез вещества, отвечающего приведенной выше химической формуле при различных содержаниях примесей таллия и натрия, осуществлялся сплавлением 5 исходных компонентов (РЪ, Т 1, Иа,Те), взятых в соответствующих пропорциях в эвакуированных до 10 торркварцевых ампулах при температуре106486 Т = 930 оС. Слитки дробились до размера гранул менее 300 мкм из котоорых при температуре 420 С прессовались образцы под давлением Р =184 10...

Номер патента: 1019909

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Анисимов, Молоков, Нестеров, Суслопаров

МПК: F41C 25/08

Метки: крепления, магазина, оружию

...защелкой 12, уста -новленной на оси 13 и имеющей пружину 14. Ось 13 установлена на двух выступах 15 на передней стенке обоймы . На задней стенке обоймы 1 вы, полнены выступы 16, в которых закреплена ось 17, с установленным на ней выталкивателем 18 и пружиной 199909 2 5 10 5 20 25 30 35 40 45 50 Выталкиватель 18 выполнен с упругими концами 20, которые снабжены выступами 21, взаимодействующими через радиусные окна 2 обоймы 1 с выемками 22 магазина 6.Защелка 12 имеет два плеча 23 и 24. Плечо 24 расположено над выступом 10 крышки 9.Планка спусковой скобы 5 снабжена пазом 25.Обойма 1 установлена в ствольной коробке 2 посредством двух цилиндрических штифтов (переднего 26 и заднего 27) и имеет выступы 28 и 29,Выступы 28 и 29 образуют опорные...

Номер патента: 1118273

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Панасюк, Самошенков, Симановский

МПК: H05H 9/00

Метки: высокочастотный, заряженных, ускоритель, частиц

...резонатором с возможностью подстройки этой связи, например, путем отключения или подключения ВЧ конденсаторов 8 в соответствии с режимом настройки ускорителя, Имеется также элемент обратной связи в виде штыря 9 и источник 10 заряженных частиц. В устройстве анод 4 источника ВЧ мощности выполнен в виде одной из обкладок конденсатора связи, второй обкладкой которого является сетка 6 источника ВЧ мощности. Катод 5 источника ВЧ мощности может быть выполнен многоэлементным с возможностью параллельного электрического соединения его элементов между собой. При этом каждый из элементов катода 5 может быть коаксиален соответствующей ему части анода 4 и сетки 6 лампы (см. фиг. 2). Все детали ускорителя расположены в вакуумированном корпусе 3. Этот...

Номер патента: 656432

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Ассесоров, Булгаков, Горохов, Кожевников, Кочетков

МПК: H01L 29/70

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

...во входную цепь транзистора. Поэтому при конст 5 10 15 20 25 30 миссные решения, в результате чего возможности транзисторной структуры в отношении мощности рассеивания и выходных эксплуатационных параметров в полной мере не реализуются.Вместе с тем при работе транзистора центральная часть каждой ячейки структуры и центральная часть всего кристалла нагреваются сильнее вследствие того, что теплообмен крайних участков происходит более интенсивно, и они лучше охлаждаются,В результате на кристалле всегда существуют тепловые пятна-участки с более высокой температурой. Существование их и экспоненциальной зависимости тока эмиттера от температуры способствуют возникновению положительной обратной связи, приводящей к тому, что наиболее нагретые...

Номер патента: 1120912

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Панасюк

МПК: H04B 10/105

Метки: радиосвязи

...фазы сгустка пучка заряженных частиц на орбите 6 происходит в течениевремени, равного по крайней мере одному периоду5 11 радиально-фазовых колебаний частиц в ускорителе, частоты которых приб" лизительно составляют 10 г - 10 от частоты обращения частиц по орбите. Таким образом, ширина полосы передаваемого устройством сигнала определяется при прочих равных условиях периодом радиально-фазовых колебаний, Пусть, например, частота обращения сгустка по орбите 6 (частота ВЧ ускоряюЩего поля) составляет 3,10 Гцф (типичная частота импульсных магнетронов, применяемых для возбуждения ускоряющего поля). Тогда для худшего случая, соответствующего отличию частоты Радиально-фазовых колеубаний в 10- раз от частоты обращения частиц по орбите,...

Номер патента: 1023716

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Ковтушенко, Копылов, Лагутин, Миронцев, Семишин

МПК: B21H 1/18

Метки: поперечно-клиновой, прокатки, стан

...распределительной шестерни с осью поворота соответствующегоэксцентрикового стакана, а угол 2между указанными прямыми выбран 25 из условия 1023716 30 сагссОВ. а углы у поворота с сторону от указанно 30,: ничены величиной=агсйо(аЬ 2 гд ьныхний между осями валков;- допустимая разностьмальных и минимальнь бокового зазора в зацеплении;с - угол зацепленияней ступени редНа фиг, 1 изображен стан поперечклиновой прокатки; на фиг. 2 - рез А-А на фиг. 1, на фиг. 3 - рез Б-Б на фиг, 2, на фиг. 4 - четная схема для определения осных геометрических зависимостей, Стан поперечно-клиновой прокаткиержит плитрвину 1, редуктор 2, рабочих валка 3 с клиновидными офилирующими выступами 4, консоль- посаженные на выходные валы 5 редуктора 2, и привод 7. Валы 5...

Номер патента: 724000

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Асеев, Косой

МПК: H01L 27/02

Метки: мощный, свч, транзистор, широкополосный

...тем,что в широкополосном СВЧ транзисторе эмиттерные области транзисторов, выполненные в виде гребенчатой структуры, охватывающей базовой области, и крайние секции конденсаторов охватывают по периферии со стороны общей базовой металлизации секции согласующих МДП-конденсаторов, соединены металлической дорожкой между собой и индуктивно связаны только с общей базовой металлизацией. На чертеже схематически показанпредлагаемый мощный широкополосныйСВЧ транзистор.Он содержит корпус 1, базовый,эмиттерный и коллекторный выводы 2,1/3 и 4 соответственно, контактнуюплощадку под МДП конденсатор 5,кристалл транзистора 6 и кристалл МДПконденсатора 7. Кристалл транзистора 6 состоит из трех ячеек 8, каждая из которых имеет ряд транзисторных...