Патенты опубликованные 07.10.1980

Страница 44

Буферное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769621

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Летов, Ткаченко

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...с триггерами состояния 4 для каждого регистра 1,первые одни 5 и первые другие 6 элементыИ, первые элементы ИЛИ 7, второй элемент ИЛИ 8, первые 9 и второй 10 разностные элементы, вторые элементы И 11, шинусброса 12 и тактовую шину 13.В исходном состоянии запоминающие регистры 1 и триггеры состояния 4 обнуленышиной сброса 12, элементы И 5, 6 и 11 открыты, на выходе второго элемента ИЛИ 8сигнал о наличии информации на входеустройства отсутствует, а на выходе всехразностных элементов 9 и 10 удерживаетсяуровень логической единицы,Поступившая на вход информация беспрепятственно проходит через элементы И5 и 6 до последнего запоминающего регистра 1, в котором и записывается заднимфронтом импульса на выходе элементаИЛИ 8, который одновременно...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769622

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Авдюхин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...функциональных возможностей предположение о том, что байты, входящие в состав одного слова, располагаются в соседних группах разрядов. Поэтому, если формат слова задан в виде количества Входящих в него байтов г, то с выхода блока 12 на входы блока 13 поступает А-разрядное слово, младшие г разрядов которого равны единице, а старшие Й - г разрядов равны нулю. Следовательно, к блоку 13 не предьявляется требование осуществления циклического сдвига (см. фиг. 1). В противном случае блок 13 должен обеспечивать циклический сдвиг на г разрядов (г = О, 1, й - 1), для чего требуется й групп по й двухвходовых элементов И,Блок 11 управления коммутацией состоит из двух дешифраторов 15 ц 16 на Уг выходов каждый, причем г-й выход дешифратора...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769623

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Бостанджян, Ключевич, Перельмутер

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...управления питанием, сигнализируя о падении напряжения. Через промежуток времени, необходимый для окончания начатого никла ЗУ, блок управления питанием от 5 15 20 25 3 О 3 40 45 55 6 о 05 ключит источник питания шинния 4,В то же время импульс из блока формирования упреждающего сигнала поступитна вход блока формирования импульса запрета и, через элемент задержки, необходимой для окончания цикла ЗУ, запуститформирователь длительности импульса,сигнал с которого, поступив на второй вход8 генераторов тока, запретит запуск этихгенераторов,Сигнал па втором входе 8 генераторовтока присутствует до тех пор, пока напряжение шины питания 9 поддерживает навыходе блока формирования и стабилизации постоянного напряжения уровень, необходимый для работы...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769624

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Виталиев, Смирнов, Софийский

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...синдрома 5и 5 (1) . Синдром 5 , равный 5 (1)Я 5 (1), поступает далее через дополнительные двухканальные переключатели 13 на дешифратор 11, в то время как синдром 5 (1) поступает на дешифратор 12, Управление режимом работы переключателей 13 осуществляется элементом И 21, который при обнаружении двух- кратной ошибки формирует либо сигнал, разрешающий прохождение через переключатели 13 синдром 5 ф (1) =5Я 5 (1), либо сигнал, разрешающий прохождение синдрома 5 (1) .При обнаружении в считанном коде двух- кратной ошибки и наличии в накопителе 18 синдрома 5дешифраторы 11 и 12 расшифровывают соответственно синдромы 5" =5 Я 5(1;), и 5(1), и, таким образом, определяют позиции ошибок в коде числа. Исправление ошибок осуществляется путем передачи...

Накопитель для запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 769625

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Беккер, Майоров

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...цель достигается тем, что платы выполнены из керамической основы, на поверхность которой нанесена ферритовая пленка, причем отверстия в ферритовой пленке выполнены большего диаметра,чем отверстия в керамической основе.Это обеспечивает снижение индуктивнойнагрузки как за счет уменьшения толщины5 кипера, так и вследствие уменьшения эффективной ширины перемагнпчиваемой области вокруг ЦМП, приводящее к повышению быстродействия накопителя,На чертеже показан предложенный нако 10 питель, разрез.Накопитель содержит платы, которые выполнены из керамической основы 1, например керамики типа Б, толщиной- 200 мкм с нанесенной на ее боковые по 15 верхности ферритовой пленкой 2 толщиной10 - 15 мкм. Плата содержит сквозные отверстия 3 диаметром Дк, а...

Запоминающее устройство с произвольной выборкой

Загрузка...

Номер патента: 769626

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Фурсин

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00, G11C 8/10 ...

Метки: выборкой, запоминающее, произвольной

...оазгялттой пшне 8, к алпесной с,поваоттой птттнс 14 ц к алресноц разрядной цптпе 15.Кажлттй летттттфратор 10 цпп 11 (фцг. 6) солетттттт очновхоловые ттнжекццонные цнвептопьт 40, повтооцтелц 41, вьтхолные венттт,ти 42 п многовхоловьте вентили И - НЕ 43. Выходы вентттлей 42 полклточеньт к выхолам цтттнт.т 14 (тт,пи 15 т, а вхо.ты к вьтходам мцоговходовых вентилей 43, входы которых соечинены с выходами соответствуюпцтх цнвертовов 40 и повтортттелей 41, входит которых подкчючены к выхолам соответствхюшцх цнвертооов 40, входы которых по.пключены к вхочам устройства 12 (и,тц 13).Число выходов дешифраторов, соединяемт.тх с алреснымц словарными шинами 14 ц с адреснымп разрядными шинами 15, составляет т=2" для словарного дешнфратора 10 и...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769627

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Фурсин

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее

...20 дешнфратора, а выходы - со входами цнжекццонных вентилей 38 (фцг. 6). Выходы вентилей 37 ц 38 соединены с соответствующими шинами 14 дешцфратора 7, Выходы дешцфратора 7 соединены с выходами вентилей 37 ц 38 в последовательности, обеспечивающей полный перебор прямых и инверсных значений двоичных сигналов на входах дешифрато. ра 7, соединенных с адреснымн входами 10 запоминающего устройства.Взаимосвязи между блоками предлагаемого запоминающего устройства и между вентилями позволяют исключить словарные формирователи уровня, усилители записи, усилители считывания, входные и выходные усилители. При этом непосредственно связанные между собой цнжекционные вентили фактически выполняют лишь логические функции ц дают возможность использовать...

Оперативное запоминающее устройство на мдп-транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 769628

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Костюк, Прокофьев, Сидоренко, Сирота, Смирнов, Таякин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, мдп-транзисторах, оперативное

...времени 29 осуществляется обработка адреса дешифраторами 9 и 10 и формирование высоких уровней напряжения на одном из выходов дешифратора 9 строк и на одном из выходов дешифратора 10 столбцов. В интервале 31 времени блок 12 обеспечивает на своем выходе высокий уровень напряжения, которое через соответствующий адресный ключ 14 поступает на одну из словарных шин 6, вследствие чего информация из запоминающих элементов 1, находящихся в выбранной строке накопителя, поступает на соответствующие шины 5. Если емкость затвора транзистора 2 заряжена, т. е. в запоминающем элементе хранится 1, то в интервале 31 времени на соответствующую шину 5 передается высокое напряжение от источника питания Е через транзистор 2 и блок 3 адресации. В случае...

Регистр сдвига

Загрузка...

Номер патента: 769629

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Коробков, Коробкова, Лебеденко, Фурманов

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, сдвига

...Вход 14 гашения вспомогательного триггера образован путем соединения дополнительных третьих входов логических элементов вспомогательного триггера. Входы гашения основных триггеров всех разрядов регистра подсоединены к одной общей шине 15 гашения основных триггеров, а входы гашения вспомогательных триггеров всех разрядов регистра подсоединены ко второй общей шине - шине 16 гашения вспомогательных триггеров, Шина 15 соединена с прямым выходом, а шина 16 - с инверсным выходом формирователя парафазного сигнала сдвига 17. Вход 18 формирователя парафазного сигнала сдвига является входом подачи импульсов сдвига (С) положительной полярности. Входы 5 19 и Я 20 вспомогательного триггера рассматриваемого разряда являются входами приема информации с...

Реверсивный регистр сдвига

Загрузка...

Номер патента: 769630

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Зельцер, Золотарев, Табалаев

МПК: G11C 19/14, G11C 19/36

Метки: реверсивный, регистр, сдвига

...реле и первая обмотка реле 1 отключаются от шины положительного потенциала. Затем другой контакт ключа 2 размыкается. Прп замыкании первого контакта элемента управления 9 подается напряжение на вторую обмотку реле 1 з и первую обмотку реле 1,. При этом переключается реле 1 возвра 10 15 20 25 30 35 40 45 50 5 д 60 65 щаясь в исходное состояние. Замыканием контакта 1 з, подготавливается цепь питания второй обмотки реле 1 первой обмотки реле 14, а размыканпем контакта 1 з, в процессе переключения реле 1, вторая обмотка этого реле и первая обмотка реле 1 з отключаются от шины положительного потенциала. Затем первый контакт ключа 2 размыкается, замыкается второй контакт этого ключа, и схема работает аналогично. При каждом импульсе сдвига...

Ячейка памяти для регистра сдвига

Загрузка...

Номер патента: 769631

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Лебедев

МПК: G11C 19/00

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...блока 1. В то же время лог:ческий О, поступающий по шине 5 управлсгшя, через инвертор 12 логической 1 разрешает прохокденис информационного сигнала со второго входа 15 через третий элемент И 11 и первый элемент 1 ЛЛИ 7 на первый выход 8 ячейки памяти без задержк. на какое-либо число тактоь по отношению к ходпому сигналу. Логический 0, поступаоцшй по шипе 5 управления, через ипверто; 12 разрешает прохождение информационного сигнала со входа 14 ячейк. памяти через второй элемент И 10 па второй выход 13 ячейки памяти осз за;сржки,Таким образом, по шппс 5 управлсшя логическим сигиалом мо;кно управлять ячейко 1 памят дся с;Вигового Гегистра,и. инфомационный сигнал, поступающий па вхо, 14 или вхо, 15, можно передать иа выо: 8 ячейки памяти...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769632

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Кабанов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...работает не в режиме интегрирования, а в режиме хранения запомненного уровня напряжения Уь сформировавшегося на выходе 10 в момент времени 1=1 ь На протяжении всего интервала времени Ы = 1 - 1выходное напряжение будет постоянным иравным /вых=У=сопз 1. При сияи сигнала управления с ключа 5 его переключающий контакт снова отключает от входа 8резистор Зи подключает к нему резистор 4,поэтому при 1) 1 устройство опять работает в режиме интегрирования. В режиме запоминания аналогового сигнала, т. е. при1(Х(1 уровень запоминаемого напряжения остается постоянным длительное времяблагодаря шунтирующему действию резистора 3 на конденсатор 2, так как приростуровня запоминаемого аналогового сигнала, возникающий за счет интегрированияостаточного...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769633

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Дубицкий

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...памяти, включенный между шиной нулево- щ го потенциала и точкой соединения другого входа дополнительного усилителя и одного из входов основного, соединенного через второй и третий ключи соответственно с источником сигналов и выходом дополнительного усилителя,С замкнутым первым и вторым ключами и разомкнутым третьим устройство охваче но первым контуром отрицательной обратной связи и находится в режиме выборки, ЗО Напряжение на конденсаторе памяти и выходе дополнительного операционного усилителя меняется синфазно с напряжением входного сигнала и мало отличается от него по величине, С замкнутым третьим ключом и разомкнутыми остальными устройство охвачено вторым контуром отрицательной обратной связи и находится в режиме хранения. Напряжение...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769634

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Солонин

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...в элемент задержки 7, Этот импульс сбрасывает линейно изменяющееся напряжение 13.Как только заканчивается импульс сброса, генератор 2 сразу же формирует новое линейно изменяющееся напряжение 13. Это новое напряжение 13 также сбрасывается, как только сравняется с напряжением одиночного процесса 12. Это продолжается на протяжении всего одиночного процесса 12. В результате в элемент задержки 7, имеющий длительность задержки, большую, чем длительность одиночного процесса 12, записываются импульсы одинаковой длительности на разных расстояниях один от другого. Эти расстояния несут информацию об амплитуде квантов одиночного процесса 12, т. е. об амплитуде треугольных импульсов 14. Циркулируя в элементе задержки 7, импульсы управляют...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769635

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Тарасевич, Шевченко

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...подаются прямоугольные импульсы с тактовой частотой д, поступающие со второго выхода блока импульсного питания 5. Линейно изменяющееся напряжение треугольной формы с опорной частотой 1 с первого выхода блока импульсного питания 5 подводится к одному из входов ключа 4, другой вход которого соединен со вторым выходом блока импульсного питания 5.Прямоугольные импульсные напряжения второго и третьего выходов блока импульсного питания 5 сдвинуты между собой по фазе на 180,Выходной сигнал ключей 4 и 3, выходы которых объединены, представляет собой поочередную коммутацию входного напряжения У, и опорного сигнала треугольной формы, Этот сигнал поступает на входы элементов 7 и 6. Связь между входами элементов 6 и 7 и выходами ключей 3, 4 является...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769636

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Чигирев, Юрковский

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...5. Выходом устройства является выход сумматора 4.15 Устройство работает в двух режимах:записи (запоминания) напряжения и хранения запомненного напряжения.В режиме записи ключ 1 замыкается, ина накопительном элементе (конденсаторе) 5 устанавливается входное напряжение.В течение времени записи на выходе интегратора 3 поддерживается нулевое напряжение. В момент размыкания ключа 1 начинается режим хранения запомненного на пряжения. В режиме хранения вследствие. самопроизвольного разряда накопительного элемента 5 на выходе усилителя 2 формируется изменяющееся во времени напряжение, которое подается на первый вход сум матора 4 и на вход интегратора 3, которьш769636 Формула изобретения Составитель В. Муратоехред А. Камышникова рректор 3....

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 769637

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Богатырев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...промежуток времени от моментаокончания имплуьса делителячастоты 8 до момента 1;У, - напряжение на выходе элемента памяти 1 в интервале времени (ь 2) )У, - эталонное напряжение, подаваемое на вход 4 интегратора 2 систочником эталонного напряжения 7.В результате этого на выходе формирователя импульсов 10 в момент 1, появляетсяимпульс, длительность Т которого постоянна. Этот импульс поступает на вход триггера 11 и устанавливает его в состояние логической 1, если в этот момент на другомего входе - высокий уровень напряжения,или состояние логического О в противномслучае, Опорные импульсы генератора 9,импульс формирователя 10 и сигнал с вы-.хода триггера 11 поступают на блок управления 12. Блок управления 12 вырабатывает импульс коррекции,...

Устройство для контроля запоминающих устройств

Загрузка...

Номер патента: 769638

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Аржеухов, Калечиц, Киселев, Полевина

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающих, устройств

...узла 9, выход которого соединен с выходом сумматора 10.Входы регистра 3 подключены к выходу экстраполятора 2 и одним из входов узла 1, другой вход и выход которого соединены соответственно с первым входом экстраполятора 2 и первым выходом регистра 3, второй выход которого соединен со вторым входом экстраполятора 2.Устройство работает следующим обраВ режиме записи поступающие из ЦВМ на входной регистр 21 слова кодируются в узЛе кодирования декодирования 23, растягиваются в узле 24 и выдаются для записи в ВЗУ. Параметры растяжения - сжатия выбраны из условия расщепления групповых сбоев кратности до К включительно на одиночные, причем устанавливают величину К, соответствующую границе нормальной работы тракта каждого из ВЗУ. На блоке...

Устройство для контроля ферритовых запоминающих матриц

Загрузка...

Номер патента: 769639

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Обенко, Шибалов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающих, матриц, ферритовых

...определении обрыва обмоток импульсы с генератора через блок 2 иэлемент 3 и замкнутую контактнуюгруппу коммутатора 4 поступают наматрицу 8, а с нее через элемент "Запрет" 3 - на запуск коммутатора 4.В случае обрыва обмотки прекращается подача импульсов запуска на коммутатор 4, последний останавливается,при этом в элементе "Запрет" 3 вырабатывается сигнал, по которому блоку 15 разрешается вывод на печатьномера оборванной обмотки с блока индикации 5, После печати номера оборванной обмотки в блоке печати 16 вблоке 15 вырабатывается сигнал "Конец печати строки", который переводит коммутатор 4 в следующее состояние. Далее процесс работы повторяется,При определении короткого замыкания между обмотками матриц устройствоработает следующим...

Устройство для контроля постоянной памяти

Загрузка...

Номер патента: 769640

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Козырь, Коледов, Петросян, Шишанкин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, постоянной

...8 и второго блока индикации 10. Выходы дешифраторов 8 подключены к выходам устройства и входу формирователя б, выход которого соединен со вторым входом регистра слов 3, Второй вход резистора слов 4 подключен ко входу устройства. Блок контролируемой постоянной памяти 11 подключается ко входу и выходам устройства.Устройство работает следующим образом.В блоке управления 1 вырабатываются сигналы, необходимые для работы устройства в автоматическом режиме. В начале работы блок управления 1 устанавливает триггеры регистров слов 3 и 4 в нулевое состояние. После этого в блоке управления 1 вырабатывается сигнал, поступающий на входы счетчиков 7 и через дешифраторы 8 и формирователь 6 и блок контролируемой постоянной памяти 11. В результате...

Устройство для контроля памяти

Загрузка...

Номер патента: 769641

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Волкова, Гущенсков, Запольский, Шкляр

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти

...для клапанирования сигнала приема контрольных разрядов в регистр 6.Регистр 11 хранит эталонные данные, записываемые в память в диагностическом режиме, Регистр 12 предназначен для запоминания номера разряда в данных, в который внесена ошибка.Регистр 13 запоминает действительный номер сбойного разряда. Схема сравнения 14 сравнивает эталонные данные, хранимые в регистре 11, с действительными данными, скорректированными в блоке обнаружения и коррекции ошибок 3.Схема сравнения 15 сравнивает содержимое регистров 12 и 13 (эталонную и действительную позиции ошибки).В случае отрицательных результатов сравнения схемы сравнения 14 и 15 выдают сигналы, свидетельствующие о наличии неисправности в устройстве, что фиксируется в регистре 7. Общий...

Устройство для контроля памяти

Загрузка...

Номер патента: 769642

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Вариес, Гласко, Култыгин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти

...чисел 7, а на второй входсигналы с формирователя б. Результат сравнения поступает со схемысравнения чисел 7 на второй управляющий вход элемента И 13, по первомууправляющему входу которого поступает разрешение на контроль первого40 цикла, формируемое блоком управления 8, При наличии ошибки при считывании нулей по адресам накопителяэлемент И 13 формирует сигнал, поступающий на вход. элемента ИЛИ 14,45выходной сигнал которого, поступаяна вход блока пуска-останова 3, прерывает работу устройства,Если ошибки в считанной информации не было в первом цикле работыустройства, то начинается второй50 цикл работй устройства, называемыйдолблением.При этом блок управления 8 подготавливает формирователь1 к реверсу и одновременно запускает...

Ферромагнитный экран

Загрузка...

Номер патента: 769643

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Афанасьев, Гусев, Порфиров, Шеремет

МПК: G12B 17/02

Метки: ферромагнитный, экран

...под действием 45 магнитного поля помех происходит намагничивание ферромагнитных слоев 4-7 и за счет этого остаточное магнитное поле экрана увеличивается, а следовательно уменьшается коэффици ент экранирования. Тогда эти ферромагнитные слои размагничиваются пропусканием по ним, начиная с наружного слоя 4 и кончая внутренним слоем 7, переменного тока размагничивания 3 от источника питания 19 через кольца из высокопроводящего материаРла 8-15, закрепленные на противоположных концах ферромагнитных слоев с электрическим контактом по всему периметру, что обеспечивает однородное 60 распределение размагничивающего тока по всему ферромагнитному слою. Сужение 3 предназначено только для закрепления колец из высокопроводящего материала 12-15 и...

Композиционный материал для тензорезисторов

Загрузка...

Номер патента: 769644

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Александров, Белов, Казанова, Кротов, Мясников, Тян, Чижов

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, материал, тензорезисторов

...сажу, указанные компоненты введены в следующих количествах (вес. %):фурфуролфенолформаль- ла дегидная смола 77 - 91 мповая сажа 9 - 23 получения композиционного матедля тензорезисторов были подготоветыре смеси инградиентов, отличаю- друг от друга содержанием лампожи, равным в каждой смеси послельно 9; 12; 18 и 23 вес. %, а также анием фурфуролфенолформальдесмолы, составляющим дополнитель% часть в каждой смеси.ичение содержания в смеси лампожи свыше 23 вес. % приводит к не769644 3 полученной пленки на пластины соответствующего размера с дальнейшей термообработкой.Характеристики тензорезисторов, изго товленных из композиционного материалас различным содержанием компонентов приведены в табл, 1. Таблица 1 В вес. % Ламповая сажа...

Терморезистор

Загрузка...

Номер патента: 769645

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Елисеев, Люцарева, Халанская, Чуйкина

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...из трех сл выполнены ренний -Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности, к изготовлению терморезисторов с ионной проводимостью.Известен терморезистор, содержащий керамическую основу из стабилизированнойдвуокиси циркония с размещенными в нейэлектродами 11.Однако у данного терморезистора недостаточно широкий диапазон использованиярабочих температур.Наиболее близким по технической сущности является терморезистор, содержащийкерамическую основу и размещенные в нейпроволочные электроды 121. Однако известный терморезистор работает в интервале400 в 12 С, что для решения целого рядазадач недостаточно, т. к. необходима чувствительная температурная индикация вболее широкой области, начиная с комнатных температур,Целью данного...

Устройство для нанесения контактных поясков на цилиндрические заготовки радиодеталей

Загрузка...

Номер патента: 769646

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Леонтьев, Мартынов, Шевинов

МПК: H01C 17/06

Метки: заготовки, контактных, нанесения, поясков, радиодеталей, цилиндрические

...с дисками 28.Длина 1 толкателя 16 равна расстоянию между выступом рабочего профилМ кулачка 9 и впадиной противоположного рабочего профиля кулачка 13 вего исходном (нулевом) положении (см.фиг. 3). При этом кулачок 13 сбазирован на валу 12 со стороны кулачка 9и не может сближаться с последним нарасстояние, меньшее длины толкателя 16.Рабочий профиль кулачка 13 со стороны толкателя 16 выполнен с обеспечением перемещения последнего в осевом направлении на величину 1, соответствующую максимальной величинекорректировки (приращения) шириныконтактных поясков 25, а профиль кулачка 13 со стороны толкателя 14 изаготовки 15 выполнен с обеспечениемперемещения последних влево на величину, равную только половине максимальной величины корректировки...

Способ технологического контроля спеченных ферритовых заготовок по магнитным свойствам

Загрузка...

Номер патента: 769647

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Андреевский, Голубков

МПК: H01F 1/10

Метки: заготовок, магнитным, свойствам, спеченных, технологического, ферритовых

...диаметра, Градуировочные кривые для данных магнитов и устройства контроля представлены на фиг, 1, температурная зависимость контролируемого параметра - на фиг. 2, нормы на традиционные магнитные параметры В) 2400 Гс, И)2560 Э, нормы на предлагаемые параметры3,5(3,7; 230 у , (280 усл. ед.Предлагаемый способ контроля позволяет выявить нетекстурованные заготовки магнита, заготовки магнитов с параметрами, не соответствующими нормам, и оценить основные характеристики магнитов Вн и Н, с точностью не хуже традиционных методов;П р и м е р 2. Проводят контроль заготовок кольцевых магнитов типоразмера К 61 Х 24)(12 с осевой текстурой из феррита бария марки 25 БА 170 в индукционном датчике с одной катушкой индуктивности,769647 Предварительно...

Конденсаторная секция

Загрузка...

Номер патента: 769648

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Канин, Карабанов, Набока, Оболончик, Огнев, Шабунин

МПК: H01G 4/14

Метки: конденсаторная, секция

...поля,Целью данного изобретения является повышение удельной энергоемкости.Для достижения поставленной цели в известной конденсаторной секции, содержащеи сложенные по длинеленты и обкладки, располосложенными участками ленляционных лент, огибающиеполнены металлизированныНа чертеже представленасекция.Секция содержит ощиеся между сложенляционными лентамииены металлизированние поверхности 5, 6,ные участки изоляцибкладки.рой ство работает следующим обраМеталлизированные поверхности изоляционных лент 3, 4 принимают потенциал обкладок 1, 2 и при этом шунтируют зазор между краями обкладок и участками изоляционных лент, огибающих обкладки, При этом диэлектрик с меньшей электрической прочностью, заполняющий зазор, исключается из области...

Высоковольтный конденсатор переменной емкости

Загрузка...

Номер патента: 769649

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Сафронов, Шабанов

МПК: H01G 5/013

Метки: высоковольтный, емкости, конденсатор, переменной

...перегородкой, выполненной иэ диэлектрического материала, расположенной на границе раздела двух жидкостей с различными диэлектрическими и физическими свойствами.На чертеже изображен предложенный конденсатор, общий вид.Предлагаемый высоковольтный конденсатор переменной емкости включает цилиндрическую обкладку 1, которая заземлена (на чертеже не показано), и обкладку 2, соединенную с токоведущим стержнем 3. Герметичность конденсатора создается изоляционным дном 4 и изоляционной крышкой 5. В качестве активного диэлектрика в верхней части конденсатора находится трансформаторное масло, а в нижней - глицерин.Резервуары 6 и 7, занимаемые трансформаторным маслом и глицерином, соединяются через трубопроводы 8 и 9. На границе раздела этих...

Конденсатор переменной емкости

Загрузка...

Номер патента: 769650

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Рузанов, Рузанова

МПК: H01G 7/06

Метки: емкости, конденсатор, переменной

...емкости.Конденсатор содержит диэлектрическийкорпус 1 с размещенными в нем электродами 2 и 3, обкладки 4, покрытые диэлект 20 рическим слоем 5. Корпус заполнен газом,молекулы которого ионизируются при возникновении тлеющего разряда между электродами.Принцип действия конденсатора основан25 на явлении поляризации частично ионизированной плазмы, расположенной междупластинами конденсатора с диэлектрическим покрытием. При подключении управляющего напряжения между электродамиЗО 2 и 3 (анадом и катодом, соответственно)769650 Формула изобретения Составитель В. ЛенскаяТехред А. Камышннкова Корректор О, Силуянова Редактор Б. Федотов Заказ 2273/16 Изд.523 Тираж 857 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и...