Композиционный материал для тензорезисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(111769 644 Союз Советских Социалистических Республик61) Дополнительное к авт. свид-ву -51) М. Кл.Н 01 С 7/ 263918618 2) Заявлено 78 вкисоединением сударственный комите СССР(45) Дата опубликования описания 07,10.80 о делам изобретени и открытий1) Заявител ОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛДЛЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ Для риала лены ч щиеся вой са донате содерж гидной ную доУвел вой са Изобретение относится к радиотехнике, в частности, к материалам, из которых изготавливаются чувствительные элементы тензорезисторов, работающих в широком диапазоне температур - от комнатной до температуры жидкого хладоагента, например азота.Известен композиционный материал для тензорезисторов, содержащий ламповую сажу 1). 10Однако этот материал не нашел широкого применения для изготовления тензорезисторов из-за нестабильности коэффициента тензочувствительности (КТЧ).Наиболее близким по технической сущ ности является композиционный материал для тензорезисторов, содержащий фурфуролфенолформальдегидную смолу и ламповую сажу 2.Электр осопротивление тензорезистора определяется в основном количеством сажевых частиц и характером их распределения в связующем, При температуре обработки 500 С и нижеудельное сопротивление связующего на 8 - 10 порядков больше сопротивления сажи.При значительном диапазоне рабочих температур - от нормальных до криогенных - возрастает вероятность изменения площади конта ктирования сажевых час 2тиц, становится нестабильным электросопротивление чувствительного элемента, а также появляется гистерезис деформационной характеристики, что ограничивает применение тензорезисторов из данного материала.Целью изобретения является увеличение стабильности коэффициента тензочувствительности,Для достижения указанной цели в известный композиционный материал для тензорезисторов, содержащий фурфу ролфенолформальдегидную смолу и ламповую сажу, указанные компоненты введены в следующих количествах (вес. %):фурфуролфенолформаль- ла дегидная смола 77 - 91 мповая сажа 9 - 23 получения композиционного матедля тензорезисторов были подготоветыре смеси инградиентов, отличаю- друг от друга содержанием лампожи, равным в каждой смеси послельно 9; 12; 18 и 23 вес. %, а также анием фурфуролфенолформальдесмолы, составляющим дополнитель% часть в каждой смеси.ичение содержания в смеси лампожи свыше 23 вес. % приводит к не769644 3 полученной пленки на пластины соответствующего размера с дальнейшей термообработкой.Характеристики тензорезисторов, изго товленных из композиционного материалас различным содержанием компонентов приведены в табл, 1. Таблица 1 В вес. % Ламповая сажа Параметры 9 12 186,4 201,0 65,8 Ом 73,1 Ом 57 3)( 10 з 60 510 з Б огз при Т=293 К Т =77 К1,3 у 10 з 1,4 Х 10 2,16 2,38 КТЧ при Т=293 КТ==77 К 2,06 2,19 5,04 5,41 1,83 1,95 Среднее отклонение номинального значе- лов изменения температуры от 293 до 77 оК ния сопротивления Яном и коэффициента 10 приведены в табл, 2.тензочувствительности КТЧ после 100 цикТаблица 2 В вес,% Ламповая сажа Параметры 18 23 12 22 39 0,8 1,0 1,21 0,9 1,1 ф 1 ном Эо КТЧ, %Предлагаемый композиционный материал для тензорезисторов позволяет обеспечить стабильный коэффициент тензочувствительности с отклонением, не превышаю щим 1,5% от номинального, при 100 циклах термоударов от 293 до 77 К и позволяет производить измерения в широком диапазоне температур, в том числе и криогенных. 77 - 91 9 - 23 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе20 Формула изобретения Композиционный материал для тензорезисто ров, содержащий фурфуролфенолформальдегидную смолу и ламповую сажу, отличающийся тем, что, с целью увеСоставитель В. Ленская Корректор С. Серобаба Редактор Федотов Заказ 2527/6 Изд.578 Тираж 857 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 однородности структуры образцов и растрескиванию при термообработке.Термообработка первой и второй смесей производилась при 300 С, третьей - при 600 С и четвертой - при 450 С.Тензорезисторы были получены полимеризацией смеси до 100 в 2 С между двумя гладкими поверхностями и разрезанием личения стабильности коэффициента тензочувствительности, он содержит указанные компоненты в следующих количествах (вес. %):Фурфуролфенолформальдегидная смолаЛамповая сажа 1. Авторское свидетельство СССР332503, кл. Н 01 С 7/00, 1970.2. Авторское свидетельство СССР491027, кл. Ст 01 В 7/18, 1973 (прототип).
СмотретьЗаявка
2639186, 03.07.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4128
АЛЕКСАНДРОВ ЮЛИАН ВИКТОРОВИЧ, ЧИЖОВ ИГОРЬ ВИКТОРОВИЧ, ТЯН ЛЕОНИД СЕМЕНОВИЧ, МЯСНИКОВ НИКОЛАЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, КРОТОВ ЕВГЕНИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, БЕЛОВ ВЛАДИМИР БОРИСОВИЧ, КАЗАНОВА ГАЛИНА ФЕДОРОВНА
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: композиционный, материал, тензорезисторов
Опубликовано: 07.10.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-769644-kompozicionnyjj-material-dlya-tenzorezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Композиционный материал для тензорезисторов</a>
Предыдущий патент: Ферромагнитный экран
Следующий патент: Терморезистор
Случайный патент: Линейный преобразователь эффективного значения электрических сигналов