Патенты с меткой «подложках»

Способ получения магнитного покрытия на неферромагнитных подложках

Загрузка...

Номер патента: 168491

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Лавров, Ленинградский, Бибик

МПК: G11B 5/845

Метки: покрытия, неферромагнитных, магнитного, подложках

...поля,Для пояснения описанного способа на чертеже изображен один из вариантов устройства для нанесения покрытий на движущуюся ленту.Лента 1 нз неферромагнитного материала непрерывно перемещается лентопротяжным механизмом, не показанным на чертеже. В сосуде 2, содержащем ферролак 3, одна сторона ленты смачивается ферролаком. Лента с нанесенным на нее слоем ферролака перемещается в направлении к клиновидному полюсному наконечнику 4 электромагнита б.Вторым полюсом электромагнита служит 5 массивная плита б и сам ферролак, заключенный в сосуде. Сосуд размещен в окне 7 плиты б, Вследствие того, что напряженность магнитного поля возрастает в направлении полюсного наконечника 4, ферромагнитные 10 частицы ориентируются в направлении магнитных...

Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках

Загрузка...

Номер патента: 380684

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кондратьева, Китаев, Глобус

МПК: H01L 31/0296

Метки: сульфида, слоев, свинца, подложках, состав, фоточувствительных

...концентрацией 3 - б м/л. Недостатеси состава заключаются в том, что щелочи не удается получать нужной чи стоты, а гидразин дорог и токсичен.Г 1 редложенный состав отличается тем, что в качестве щелочного агента используют аммиак концентрацией 2,0 - 2,5 лг/л, а для улучшения фоточувствительности слоев - добавки 20 гидразина концентрацией 0,5 - 1,0 м/л. Это позволяет удешевить производство фоточувствительных слоев сернистого свинца и снизить токсичность состава.Осаждеееие слоев сульфида свинца с высокой фоточувствительностью из ванн, содержащих гидразин, сопровождается образованием частично дегидратированного основного ацетата свинца 2 РЬО РЬЛсг . Н;О, который, явля ясь кислородсодержащей примесью, отезультате чего цианампд свинца образв...

Установка для термической обработки полимерных пленок на плоских подложках

Загрузка...

Номер патента: 512349

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Буравцев, Введенский, Прохоров

МПК: F26B 3/30

Метки: плоских, полимерных, пленок, термической, подложках

...вакуумного коллектора 6 и далее переходят в замкнутый контур ресивера 7.В центре платформы 1 вертикально установлен распределитель лучистого теплового 20 потока, выполненный, например, в виде конуса 8, основание которого размещено в отверстии платформы 1 совместно с приводом. Устаногка также содержит камеру 9, 25 торой по вертикальной осп смонтирова 1лектор 10 с источником инфракрасного чеппя 11. В каче:твс источника ИК-и нпя 11 могут быть использованы зерка сушильные лампы или галогенные ламп 30 каливання.Термическая обработка полимерных пленок на ситалловых подложках осуществляется следующим обр азом.Подложки 4 с полимерными пленками устанавливаются на платформу 1. Создается небольшое разрежение в полости, и подложки 4 плотно...

Стекло для получения покрытий на керамических подложках

Загрузка...

Номер патента: 550350

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Каплина, Кузина, Артамонова, Жукова, Тарасов

МПК: C03C 3/10

Метки: покрытий, подложках, стекло, керамических

...расширения (КТР не выше 60 1 О - /град.), обладает неудовлетворительной адгезией к алюминию и его сплавам и непостоянством химического состава во времени, Кроме того, стекла указанного состава имеют высокую температуру варки (1300 С).гтаиболее близким по технической сущности и досигаехОму резульгату и ОписываютОму изобретению является стекло, включающее РЬО, ЯОз, ХпО, 1 чазО, К,О 12.Для этого стекла характерны также невысокая химическая устойчивость и ьысокий ко. эффциент термического расширения.Для повышеня химЧеской устойчивостиснижения коэффициента термИческого расширения стекла в стекло, включа;ощее РЬО, ЫОз,Артамонова, Т. С. Жукованагельский институт стеклаСвойства Показатели Температура варки, С Температура плавления, С К ТР...

Способ получения покрытий на металлических подложках

Загрузка...

Номер патента: 587674

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Пинчук, Гольдаде, Белый

МПК: B05D 1/04

Метки: металлических, подложках, покрытий

...полимерных покрытий.и ектродных потенциаловодложек. тся тем, что термопласт яют в электрическомостью 20 50 кВ/см, веквправлен от покрытия кйо58 УЕ 74фень- К а С 2 либо выдерживают в условиях100%-ной влажности, С течением времеоб- ни вокруг дефекта происходит отслаивание покрвргий."Оценивают плошадь отслаиваня через фиксированные промежутки,к по- времени Электродные потенциалы метал60).лических подложек измеряют с помощьюрй потенциоствтв П827.тер- Результаты испытаний приведеньг вие таблице,ью 1 О Из таблицы дно ч о рм бр бока покрытий в электрическом поле с цельючно придания им электретных свойств поэвобра- ляет. существенно повысить защитную спорие собность полимерных покрытий в электролитах. а) Без наложения поля 0,2 0,7-0,29 ПВБ 10...

Способ измерения толщины тонких пленок на подложках

Загрузка...

Номер патента: 684299

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Любецкий, Пунько, Конев

МПК: G01B 11/06

Метки: тонких, толщины, подложках, пленок

...индекс. Кроме того, установка содержит анализатор 7, приемник 8 излучения, усилитель 9 и синхродетектор 10. Эллиптичность определяется по индикатору 11.Способ осуществляется следующим образом.Излучение от генератора 1 проходит фокусируюшую линзу 2, модулятор 3, врашатель 4 плоскости поляризации, анализатор 5 и под р попадает на контрольную подложку 6 с пленкой. Отраженное деполяризованное излучение, пройдя через анализатор 7 попадает на приемник 8, сигнал с которого усиливается усилителем 9 и детектируется на синхродетекторе 10.Эллиптичность определяется по настройке индикатора 11 по минимуму показаний детектора путем вращения анализатора 7, это соответствует измерению величины малой оси эллипса поляризации, при этом по лимбу...

Устройство для измерения толщины пленок на подложках

Загрузка...

Номер патента: 748131

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Сафронов, Ходовой, Скроботова

МПК: G01B 19/38

Метки: подложках, толщины, пленок

...для материала 50 на кремниевой подложкедля углов падениями, у,соответственно равных 17 о, 40, 55, чтопозволяет измерить, толщину пленкис погрешностью 10 А , если коэффициент отражения измерен с погрешностью 1. Для любого типа пленки(510, 5 К 4, Фосфорсиликатного стекла) всегда имеются оптимальные углы,при которых обеспечивается равномерность и однозначность измерений, Если дискретность отсчета толщины выбрана 1 А , то номер сектора в точности равен толщине плевки. Например,сектору 11220 осоответствует толщинапленки 11220 А, Если дискретностьпреобразования равна 10 К; .чего вполне достаточно для удовлетворенияпотребности практики, то триады записываются в 10, 20, 30 и т.д. (каждый десятый) секторы, а общее числосекторов определяется...

Устройство для измерения толщины пленок на металлических подложках

Загрузка...

Номер патента: 947644

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Шестов, Белик, Кулаков, Каменцев, Файфер, Бажин, Ступак, Коржавый

МПК: G01B 15/02

Метки: пленок, металлических, подложках, толщины

...нов, прошедших через гнализатор б, и представляет собой цилиндрический стакан с отношением длины к диаметру 5/2.Далее устройство содержит блок 7 питания, генератор 8 напряжения задержки, электрометрический усилитель 9, дифференциальный усилитель 10, двухкоординатный самописец 11, мишень 12 цил.ндрической Формы с измеряемой пленкой на внутренней поверхности, неподвижную штангу 13 корпуса измерительного преобразователя 1 и шток 14 держателя цилиндрической мишени 12.Лнализатор выполнен в виде трех- сетчатых диафрагм, внешние сетки соединены между собой и находятся под нулевым потенциалом относительно измеряемого образцг, что исключает влияние напряжения задержки на первичный пучок. Нг среднюю сетку от генератора 8 напряжения задержки...

Способ получения планарных волноводов на диэлектрических подложках

Загрузка...

Номер патента: 866953

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Редько, Войтенков

МПК: G02B 6/10

Метки: подложках, волноводов, диэлектрических, планарных

...14,02.79 (про СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАНАР ОВОДОВ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСОЖКАХ, включакщий термоподложек при температуре ниже ы деформащщ на 100-200 Ч" электрическом поле напряжен - 500 В/мм в течение ч и последуккцее охлаждение, ающийся тем, что,с учения волноводов в стеклах, ах с высоким показателемпреохлаждение осушествляют вэлектрическом полеПродолжение тяГпипы 0,5 200 460 0,5 400 460 Ф 1 1,7526 176 1,7510 160 10 100 Бф 2,7 520 Из приведенной таблицы видно, что получаемые указанным способом волноводы обладают хорошими волноводными свой-. ствами. Использование описываемого способа позволяет изготавливать волноводы Составитель Г, БуровцеваРедактор Л, Письмен Техред М,Надь Корректор В, Гирняк Тираж 508 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...

Способ сварки расщепленным электродом проводников с контактными площадками на изоляционных подложках

Загрузка...

Номер патента: 1053996

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Моравский, Ляшок, Карлюченко

МПК: B23K 11/30

Метки: подложках, сварки, проводников, изоляционных, площадками, электродом, контактными, расщепленным

...изоляционных подлохек из стекла и керамики.Известен также способ сварки расщепленным электродом, при котором осуществляют теплоотвод в зоне сварки путем размещения между токо- подводящими пластинами электрода теплоотводящей вставки, например, из керамики 1 2 1.Кедостатком этого способа является .также невозможностьобеспечения качественной сварки в связи с неравенством теплоотвода в материал вставки и материал подложки при сварке, например, с контактными площадками на ситалловой подложке.Кроме Того, наличие диэлектрических глоев между вставкой и.пластинами также. способствует неравномерному тепловыделению в зоне сварки.Целью изобретения является повьппение качестваи стабильности сварки за счет выравнивания теплоотвода вматериал...

Способ измерения глубины микрорельефа, преимущественно в тонких слоях на полупроводниковых подложках

Загрузка...

Номер патента: 1073574

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ларионов, Герасимов, Волков

МПК: G01B 11/30

Метки: тонких, преимущественно, слоях, полупроводниковых, подложках, глубины, микрорельефа

...к плоскости подложки, изменяют в этой плоскости угол падения пучка света наподложку, регистрируют те углы, прикоторых достигаются экстремальныезначения интенсивностей света вдифракционном спектре, и по этимуглам определяют глубину микрорельефа по формуламЪпЬф дпя минимальных значений интенсивностей света,Ь, для максимальныхзначенийЪ(Л+ Офсое Ч интенсивностей света,. где и - глубина микрорельефа;р -. Угол падения кучка света иа подложку,П - целое число;3 - длина волны падающегоизлучения.На фиг.1 и 2 изображены схемы реализации способаизмерения глубинымикрорельефа, преимущественно в тонких слоях на попупроводниковых подложках; иа фиг.З - диаграмма изменения интенсивности света в дифракционном спектре в зависимости от угла падения...

Способ упаковки групп предметов на подложках в термоусадочную пленку

Загрузка...

Номер патента: 1122561

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Зацепин, Гальчевский, Шапошников, Виленчик

МПК: B65B 11/00

Метки: упаковки, предметов, групп, термоусадочную, подложках, пленку

...последовательность выполняемых технологических операций.Способ осуществляют следующим образом,Группа штучных предметов 1, уложенныхна подложку 2, устанавливается на поверхности термоусадочной пленки 3, подаваемойс рулона на несущую поверхность, например, рольганга 4, и перемещается на операцию резки, в процессе которой осуществляется отрезание пленочной заготовки 5 спомощью режущего устройства 6. В процессе заворачивания штучных предметов 1на подложке 2 в пленочную заготовку 5 дваее противоположных конца 7 отгибаютсявнутрь по контуру предметов, образуя двебоковые стенки 8 упаковки, а их кромки 9складываются внахлест, Перемещаясь далее на подвижную часть 1 О рольганга 4,подложка 2 с предметами 1, обернутая впленочную заготовку 5,...

Алмазное сверло для обработки отверстий в полупроводниковых и диэлектрических подложках

Загрузка...

Номер патента: 1140966

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Романов, Грапонов

МПК: B28D 1/14

Метки: диэлектрических, подложках, сверло, алмазное, полупроводниковых, отверстий

...Кроме того, низкая жесткостьобусловлена наличием зазоров между тонкостенными цилиндрами и отсутствием устройства, обеспечивающего надежное и плотное сжатие этих цилиндров по контактнойповерхности в радиальном направлении.Низкая жесткость режущей части сверла является причиной возникновения вибраций ипоявления сколов и трещин на кромкахобработанных отверстий, а также сниженияточности и качества обработки.Цель изобретения - расширение технологических возможностей сверла, повышениестойкости и улучшение качества обработки.Поставленная цель достигается тем, чтоалмазное сверло для обработки отверстийполупроводниковых и диэлектрических подложках, содержащее корпус с режущимиэлементами и механизмом крепления, режущий элемент выполнен в виде...

Шкаф для охлаждения продуктов на горизонтальных сплошных подложках

Загрузка...

Номер патента: 1186908

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Барбаль, Боголюбова, Черненко, Тихомиров, Заплатин, Белозеров

МПК: F25D 17/06

Метки: шкаф, сплошных, горизонтальных, охлаждения, продуктов, подложках

...сплошные подложки 8 для продуктов, например Функциональные емкости. По высоте стенки корпусаустановлены испарители 9 холодноймашины с вентиляторами 10, В канале7 установлены ограничители 11 в виде пластины обдува колес 12 стелла -жа 6,Шкаф работает следующим образом.В корпус 1 устанавливают стеллаж6, на горизонтальных сплошных подложках 8 которого уложены горячие продукты. Воздух, охлажденный в испарителях 9, продувается вентиляторами10 между горизонтальными сплошнымиподложками 8 и по горизонтаЛьному(потолочному) каналу 4 и вертикаль,ным каналам 5 поступает вновь в испарители 9. Такая организация потоков воздуха исключает рециркуляциюхолодного воздуха, обеспечивает однонаправленный и равномерный обдувстеллажа по всей его высоте...

Способ измерения толщины пленок на подложках

Загрузка...

Номер патента: 1226042

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Михалычева, Волкова, Лонский

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, подложках, толщины

...ей (У) должны бытьбольше диаметра пучка излучения, чтобы удовлетворять условию ХР/сову и УР, где Э - диа 30 метр используемого при измерениях пучка излучения;- угол падения излучения на плоскость тестовой ячейки, что означает, что пучок излучения не должен выходить за пределы измеряемого в данный момент участка тестовой ячейки. Структура элементов участка А должна быть такой, чтобы хотя бы один размер элементов этого участка не был больше десятков мик рон, от.е.удовлетворял условию а сс9ссЬ - сову, где 6 - угол (в радианах) расходимости используемого пучка излучения; Ь - расстояние от исследуемого участка до точки регистрации отраженного излучения в используемом приборе (эллипсометре) . Это условие способствует уверенному нахождению...

Способ оценки блеска прозрачных лаковых покрытий на древесине и древесных подложках

Загрузка...

Номер патента: 1383166

Опубликовано: 23.03.1988

Автор: Рыбин

МПК: G01N 21/55

Метки: оценки, лаковых, древесных, прозрачных, подложках, покрытий, древесине, блеска

...определения угла (Брюстера),под которым необходимо освещать контролируемую поверхность и фиксироватьвеличину отраженного света,. предварительно определяют показатель преломления лакового покрытия. Для этойцели используют иммерсионно-микроско. пический метод, который позволяетустановить показатель преломленияпрозрачного лакового покрытия в спектральной области видимого излучения,Для различных лаковых покрытий, определяя показатели преломления, .устанавливают в приборе угол, под ко- фторым осуществляют освещение поверхности и фиксирование отраженногосвета, Допускаемая погрешность приустановке углов падения и отраженияИсвета должна быть не более 3Для определения величины светового потока, отраженного от контролируемой поверхности, перед...

Способ получения ферромагнитных пленок на твердотельных подложках

Загрузка...

Номер патента: 1347789

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Бухараев, Яфаев, Казаков, Хайбуллин

МПК: H01F 41/14

Метки: ферромагнитных, подложках, твердотельных, пленок

...в плоскости пленки, Иэ снятых петель гистерезиса на частоте 1 " 75 Гц вычислены величина коэрцитивилы Н =60 Э, намагниченность нас кия Т =1,47 10 Гс см /см и от1 З 4778 о О Формула изобретения Редактор П,Тцмонина Техред Л.Сердюкова Корректор М.Пожо Здктэ 679 о Тираж 694 ПодписноеВНЧ 1 ИИ Гсуларстнецного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, ЖРаушская наб., д. 4/5 Пр, иволтвенно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,10 ттттн цт г т;тт,чттой ндмагцттчгцтц сти к ттдмтт т ттттттт то.ти ттясьпцеттття Т т / Т г=-О, 2 т, П лучсццдя пленка здщищчтд гноем ттттдцттстцтого кттдрцд толщиной100 Л. В к;тчестве мдтерцдлд подложки ттттбрттт кварц. Кндрц - немагнитцый и; терттдл, что является...

Установка для термообработки пленок на подложках

Загрузка...

Номер патента: 1560957

Опубликовано: 30.04.1990

Автор: Монвилло

МПК: F27B 1/09, C21D 9/00

Метки: пленок, подложках, термообработки

...контролируемой спомощью термопары и поддерживаемую спомощью блока управления и источникапитания.5 1Использование кондуктивного механизма нагрева н охлаждения пленок также позволяет повысить их качество и воспроизводимость параметров, При кондуктивном нагреве термообра". ботка начинается с нижних слоев пленок. Выделяющиеся при нагреве газы беспрепятственно выходят из пленки, так как в этом случае огсутствует 1корка , которая образуется при конвективном механизме нагрева пленок, Снижается дефектность пленок, вызываемая микротрещинами.Резистивные элементы снабжены компенсаторами, что предотвращает их коробление при нагреве и, кроме того, придает им дополнительную жесткость. Наличие этих складок увеличивает общую длину резистивных...

Способ контроля адгезии металлических и металлополимерных покрытий на металлических подложках

Загрузка...

Номер патента: 1567931

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Спиридонов, Василенко, Новиков

МПК: G01N 19/04

Метки: металлополимерных, адгезии, покрытий, металлических, подложках

...достаточно для прогрева с 1 я прьтия. по не слишком большим, чтобь, не бгс нагрева подложки Э- - прочежуток ар;мени составляет 0 85 - 0,9 ог начала и является оптимальным вследствие того, что за счет процесса теплопроводно ти (не гдаваяс в тонкости:роцеса теплопередачи и не описывая этот процссс в терминах коэффициеч.ов, определякгщих вклад каждой из его составляюцих) в слоерытия через это время максимально сказывается эффект изч ения т. а изм. нечие проводимости:1 пкп31 К Тиракк 4 Гл 7 ГоссиисиоеЬ 1 И 11 о л.:и н н ипо кол 1 н и но н, )Ок- инни и о;критики прн ГЬ 11С.С.(,111:ИЛ 5 Москва, ж 3 н р, сискпи ннп, а 4,5ни нннннонн( н 1 пн сел некий колпни.1 11 птент", с л жп оро, л о.с рина,пОдлОжки еще не наступило. Через промежуток...

Устройство для испытания на адгезию токопроводящих пленок на диэлектрических подложках

Загрузка...

Номер патента: 1627931

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Баязитов, Холопов

МПК: G01N 19/04

Метки: токопроводящих, испытания, адгезию, подложках, пленок, диэлектрических

...обеспечивает усилие его отрыва в случае,когда сила прижатия превышает адгезию пленки 6 с подложкой 51 ил,", с 11)1 1 чЮТ р т(Г р и сРК У . ) 31ОН О Г Г Ь3 ) Менение наметитепя емкости в);Ч С Гпс- КОПтР с НО).О УС РОЙСТВа За ОГТ)Ы 13)М 1 ЕНК)1 т) 1 1)т)ц)г) И 10 ЭОТ" т по ТкЛе прибора впзуа,3) си ровать г омент отрыва пленки и сразу же проводить отбраковку негодных поп в и, наабо х д= галях, без присе:е (я гестовых образцов и приводит 10 К с КОРЕИЮ Л.,:ССО)Р(ДЕЛЕНИЯ, )(с О Нс ЛЬЛОжЕН 15 На ГР ." КИ ЕМКОСТЬэ)оденсатора "Зонд пленк" оста( тгяпо.тоянпой, ро прои ходит в случае,когда Р(1,. -. Рзс (Р,адгезия эек", к; с)5,н )т1 и)З, Р зГ : ондС П;)Л;К.П 1 И Нт р; Г.КИ ОГрмяартСяеФГ)ркСю) ис с) с,т13 Е Г ГОЧЦ ,ь к(нтроля,покры ия равныйсПрои...

Способ получения покрытий из металлов и их соединений на твердых подложках

Загрузка...

Номер патента: 1566786

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Травкин

МПК: C23C 16/48, H05K 3/18, C23C 16/18 ...

Метки: подложках, покрытий, соединений, твердых, металлов

...пленки МОС при нагреве, преимущественно, пучком высокоэнергетического излучения. 15Для образования на поверхности вод- ф ной среды пленки МОСиспользуют два варианта: непосредственное нанесение на поверхность воды раствора МОС в органическом растворителе или нанесение на поверхность водного раствора неорганическоР соли осаждаемого металла жирной кислоты общей формулы. СН (СН,)СООН,где и = 12-22, в органическом растворителе. В последнем случае пленка МОС образуется за счет химической реакции между солью металла и кислотой. Для формирования монослоя пленки МОС на поверхность водной среды наносят около 30 мкл раствора соответ. ствующего состава. В качестве растворителя, необходимого для обеспечения равномерного нанесения монослоя РОС...

Способ определения показателя преломления прозрачных слоев на прозрачных подложках

Загрузка...

Номер патента: 1693483

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Рупчев, Бендерский, Ржевский

МПК: G01N 21/45

Метки: прозрачных, показателя, слоев, преломления, подложках

...нормальны к зондирующему излучению, Один пучок проходит сквозь исследуемую пленку и подложку, другой - через подложку без пленки,Линия г.рорези перпендикулярна осивращения пластинки, а сама ось вращениялежит в плоскости зондирукгщих пучков. Отъюстированное на бесконечную полосу излучение интерферометра попадает на оптическое приемное устройство 9, электрический сигнал которого подается на один из входов двухкоординатного самописца, Второй вход самописца соединен с потенциометром, напряжение на котором пропорционально углу поворота образца,Включение двигателя разворота пластинки приводит к одновременному изменению напряжения на выходе оптического приемного устройства и напряжения на потенциометре, отсчитывающем угол поворота 25 30 35...

Способ контроля качества резистивных пленок на диэлектрических подложках

Загрузка...

Номер патента: 1702270

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Ряхин

МПК: H01C 17/00, G01N 24/00

Метки: подложках, пленок, диэлектрических, резистивных, качества

...равной разности ТКС, измеренных после и до термооб работки,чала проводят измерение сопротивления заготовок йь армированных контактными узлами, при комнатной те.пературе+25 С, а затем нагревают их до температуры на 100 С выше комнатной, т.е, до +125 С, и, проводят второй замер сопротивления Й 2, а затем по формуле определяют ТКС:2 1ТКС = Т = (Тнагр - Ткомнат) Эту же или другую выборку образцов из изготовленной партии термообрабатывают при температуре 150-350 С.Проводить термообработку и редпочти-. :тельно при температурах 150-350 С, так как при увеличении температуры до 400"С и выше разница между значениями ТКС пленок с хорошей адгезией и с неудовлетворительной будет уменьшаться, т,е, чувствительность способа будет снижаться.После...

Способ определения пористости неорганических покрытий на металлических подложках

Загрузка...

Номер патента: 1704029

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Плахотнюк, Макаревич, Фролов, Иващенко

МПК: G01N 15/08

Метки: покрытий, пористости, металлических, подложках, неорганических

...и количество пор поэтому в таблице определено интервалом. Количество пор определяли по трем измерениям,Определить пористость покрытия способом по ГОСТ 9.302 - 79 удалось только по участкам, так как после высыхания индикаторной пасты, нанесенной на всю поверхность детали, наблюдали отслоение и осыпание слоя пасты на площади более, чем 10;,.По предлагаемоф;у способу раствор индикаторной пасты наносили сразу на всю поверхность детали. Было отчечено повышение производите;ьности почти в три раза. Уменьшение количества зарегистрированных пор с увеличением соотношения клея ПВА к индикаторной пасте, превышающей соотношение 4:1, свидетельствует о том, что увеличение вязкости раствора индикаторной пасты и уменьшение концентрации основного...

Способ настройки устройства для записи голограммных дифракционных решеток на вогнутых подложках

Загрузка...

Номер патента: 1755240

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Матвеев, Лукин

МПК: G02B 5/32, G03H 1/04

Метки: дифракционных, решеток, настройки, вогнутых, устройства, записи, подложках, голограммных

...9. По центру синтезированного голограммного оптического элемента 4 установлен датчик положенйя 10,Способ осуществляют следующим образом. В устройстве для записи голограммных дифракционных решеток в положение зэготовки со светочувствительным слоем, на котором предстоит записать решетку, устанавливают синтезйровайный голограм- мный оптический элемент 4, таким образом., чтобы сформировать автоколлимационное 15 изображение первого точечного источника излучения, что соответствует положению синтезирОванного голограммного оптического элемента 4 (фиг. 3), Положение первого источника излучения фиксируют на 20 расстоянии 1 с помощью, например, ножа фуко. Это реализуют следующим образом. Сходящийся пучок излучения от синтезированного...

Способ получения висмутового покрытия на диэлектрических подложках

Загрузка...

Номер патента: 1798379

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Янкаускас, Желене, Винкявичюс

МПК: C23C 18/31

Метки: диэлектрических, покрытия, висмутового, подложках

...рН 12,0-13,3, плотностью загрузки 2-3 дм 2/л,Покрытия наносили на диэлектриках: АБС, ударопрочный полистирол, поли1798379 Продолжительность обработки 30 - 60 с,Продолжительность обработки покрытия 1 ч. амид-б, лавсан, полиэтилен, полиимид, фенолформальдегидный стеклопластик маркиАГ, стеклотекстолит, стекло,Количество осажденного висмута определяли фотометрическим методом с помощью йодида калия,Концентрацию железа (П) определялититрованием с бихроматом калия, в качестве индикатора использовали дифениламинсульфонат натрия,Сопротивление висмутового покрытияизмеряли прибором. Ц 4340, расстояниемежду контактами - 10 мм.Для измерения сцепления покрытия сполимерной основой-.на висмут осаждалигальваническую медь толщиной "50 мкм.3 атем...

Способ получения изображений на металлических подложках

Загрузка...

Номер патента: 1817054

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Сироткина, Угрюмов

МПК: G03C 1/675

Метки: изображений, подложках, металлических

...полимерного слоя 7-10 мкм. По примеру 1 экспонируют УФ-светом через фотошаблон. Полимерную пленку после экспонирования удаляют толуолом. На поверхности медной пластины наблюдается окрашенное изображение. Соотношение между цветом изображения и величиной экспозиции аналогично примеру 1, При проецировании полутонового иэображения на поверхности медной пластины формируется окрашенное полутоновое изображение,П р и м е р 3, Готовят раствор 1 г поливинилкарбазола в 5 мл хлороформа. В полученный раствор добавляют 10 мг йодоформа, На поверхности медной пластины из полученного раствора формируют полимерную пленку толщиной 3-5 мкм. После экспонирования УФ-светом аналогично примеру 1 полимерную пленку удаляют диоксаном. На поверхности медной...

Способ ионно-химического травления кремнийсодержащих диэлектрических пленок на кремниевых подложках

Загрузка...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Дикарев, Бутырин

МПК: H01L 21/3065

Метки: кремниевых, подложках, диэлектрических, пленок, травления, кремнийсодержащих, ионно-химического

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Способ изготовления радионуклидных источников на керамических подложках

Номер патента: 1240250

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Волкова, Беляцкий, Шумков, Нарышкин, Михайлов

МПК: G21G 4/00

Метки: керамических, источников, подложках, радионуклидных

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОНУКЛИДНЫХ ИСТОЧНИКОВ НА КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ, включающий нанесение радионуклида на подложку, фиксацию его в слое глазури и формирование защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения поверхностной активности источников при сохранении высокого энергетического выхода, фиксацию радионуклида проводят путем нагревания керамической подложки с нанесенным радионуклидом в парах пентаоксида фосфора до образования слоя глазури.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагревание в парах пентаоксида фосфора керамических подложек с нанесенными радионуклидами в случае плутония или америция проводят при 900 - 1100oС в течение 2 - 3 мин.

Способ изготовления многослойных печатных плат на подложках из алюминия

Номер патента: 1614742

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Игнашев, Сидоренко

МПК: H05K 3/36

Метки: многослойных, печатных, плат, подложках, алюминия

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ АЛЮМИНИЯ, включающий механическую и химическую обработку подложки, нанесение на обе стороны подложки масок из фоторезиста с рисунком схемы проводников на поверхности и в объеме подложки, двустороннее анодирование подложки, удаление маски с рисунком схемы проводников в объеме подложки, повторное двустороннее анодирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества плат за счет уменьшения рельефа поверхности подложек, первое двустороннее анодирование проводят на глубину "а", равную 0,25 толщины проводников в объеме подложки, после чего удаляют оксидный слой, а повторное анодирование выполняют на глубинуh =