H01L 33/00 — Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

Номер патента: 1026614

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Гусев, Демаков, Столярова

МПК: H01L 33/00, H05B 33/18

Метки: карбида, кремния, основе, светодиод

СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ, представляющий собой трехслойную структуру, содержащую n- и p-слои, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости свечения, уменьшения падения напряжения и времени высвечивания, он содержит приповерхностный слой, обогащенный углеродом, с градиентом не менее 1024 см-4, при этом концентрация примеси в n-слое не менее 1016 см-3, а градиент концентрации в p-слое 1024 - 1026 см-4.

Номер патента: 1428141

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Зотова, Карандашев, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, содержащий варизонную структуру на основе InAsSbP с p-n-переходом и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет обеспечения стимулированного режима работы светодиода, вариозная структура с p-n-переходом выполнена в виде пленки InAsSb, расположенной на варизонной пленке InAsSbP толщиной 60-90 мкм, торцовые грани диода сколоты по плоскостям, сходящимся в центре под углом , причем пленки InAsSb и InAsSbP выполнены в виде концентрических шаровых слоев, прилегающих к InAsSbP, n-область InAsSb имеет толщину 2-4 мкм, периоды решеток в обеих пленках линейно возрастают в направлении...

Номер патента: 1819488

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Богачев, Вилисов, Днепровский, Калинин, Хан

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. СВЕТОДИОД, содержащий кристалл на держателе, на котором сформирован светопроницаемый отражатель, задняя поверхность которого имеет форму купола, в частности, с параболической поверхностью, и с углублением на передней поверхности, дном которого является линза со сферической поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной силы излучения и механической прочности светодиода, фокус линзы совмещен с фокусом параболоида и кристаллом, а апертурный угол линзы не превышает угла aм, где м есть решение транцендентного уравнения tg

Номер патента: 1831967

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Гуга, Кислый, Малютенко

МПК: H01L 33/00

Метки: излучения, параметрами, проводниковых

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий создание в полупроводнике избытка или дефицита концентрации электронно-дырочных пар, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона плавного управления параметрами излучения положительного и отрицательного контраста при обеспечении максимальной эффективности квантового выхода излучения положительного контраста, используют материал с собственной проводимостью и положительным или отрицательным барическим коэффициентом ширины запрещенной зоны, производят его всестороннее сжатие согласно условиюгде P давление сжатия;Pа атмосферное давление;

Номер патента: 1347831

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин

МПК: H01L 33/00

Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...

Номер патента: 730223

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Литвин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 33/00

Метки: твердотельный, экран

Твердотельный экран на основе выполненных в полупроводниковых брусках электролюминесцентных p-n-переходов с контактами, связанных между собой в строчки и столбцы металлическими шинами, отличающийся тем, что, с целью увеличения КОД при одновременном повышении контрастности, бруски расположены друг к другу однотипными областями и между ними расположена металлическая пластина, соединяющая однотипные области в сточки, контакты к областям противоположного типа проводимости расположены перпендикулярно поверхности экрана и на тыльной поверхности соединены в столбцы балочными выводами.

Номер патента: 701431

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатора, электролюминесцентного

Способ изготовления электролюминесцентного индикатора, включающий выращивание p-n-структуры, разрезание ее на полосы, укладку полос с заполнением промежутков диэлектриком и разрезание полученного монолита на пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повышения КПД и рассеиваемой мощности, при укладке полосы соединяют с металлической фольгой, после чего фольгу гофрируют в состоянии с конструкцией индикатора.

Номер патента: 1736310

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Воробьев, Карачевцева, Страхов, Яременко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, типа, торцового

Светодиод торцового типа, содержащий двойную гетероструктуру, расположенную на непоглощающей подложке, контакты к поверхности подложки и эмиттерному слою гетероструктуры, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения и его внешнего квантового выхода, поверхность подложки с контактом выполнена под углом ( ) к плоскости излучающего торца, а величина угла удовлетворяет условиюгде D - максимальная толщина подложки;L - длина светодиода в направлении выхода...

Номер патента: 1387821

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением где А - параметр с...

Номер патента: 820559

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Рябоштан, Садовой, Сидорова

МПК: H01L 33/00

Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент

1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к...

Номер патента: 1157994

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и...

Номер патента: 644301

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий, Сидоров, Тютюнов

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.2. Светодиод по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1163777

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в излучательном слое, толщина дополнительного слоя по крайней мере в два раза меньше толщины излучательного слоя и меньше обратной величины коэффициента поглощения квантов света, возникающих в излучательном слое, а разница ширин запрещенных зон

Номер патента: 1111645

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по...