Полупроводников

Номер патента: 423773

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Институт, Полупроводников, Сирота, Чобот

МПК: C04B 35/01, C04B 35/499, H01G 4/12 ...

Метки: 423773

...титан, цир формулений,ет 2 РЬ 0,5 х (1 ЬХВ -Изобретение относитсярамики и может быть иве диэлектрика высоко р ских конденсаторов,Известен сегнетокерамический материал, содержащий окись свинца, пятиокись ниобия, двуокись циркония и двуокись титана.Известный сегнетокерамический материал получен на основе тройных систем и является менее технологичным.С целью увеличения диэлектрической проницаемости материала .при близких к нулю значениях температурного коэффициента диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в предлагаемом сегнетокерамическом материале используются двойные системы цирконатаметаниобата или титанатаметаниобата свинца, исходные компоненты которых взяты в следующем количественном соотношении, вес. %:...

Номер патента: 418567

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Грибковска, Дмитриева, Илюшенко, Институт, Полупроводников

МПК: C25D 3/56

Метки: железо, никель-молибден, осаждения, сплава, электролит, электролитического

...сернокислый никель и сернокислое железо, а в качестве соли лимонной кислоты - лимоннокислый натрий. Это позволяет получать блестящие, прочно сцепленные с подложкой осадки сплава с полосовой доменной структурой.Сплав железо-никель-молибден осаждают из электролита, содержащего, г/л:Сернокислый никель 70 - 350 Сернокислое железо 2 - 35 Молибдат натрия 1 - 10 Лимоннокислый натрий 30 - 66 Хлористый натрий 0,5 - 1,1 Глюкоза 10 - 100Процесс электроосаждения ведут при плотности тока 10 - 50 ма/см рН 3 - 5 и температуре 18 - 25 С.Покрытие сплавом железо-никель-молибден обладает устойчивыми магнитными характеристиками: коэрцитивная сила О, 1 - 5 э; насыщения У., 70 - 300 э и относительна таточная индукция В,/В, 0.3 - 0,7. Рассто между полосами...

Номер патента: 316887

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Мазуренко, Полупроводников, Шипило

МПК: F16J 12/00

Метки: аппарат, высокого, гидростатической, давления, средой

...5, под которым помещено пластичное вещество б, а в нижней части - опорной гайкой 7 и обтюраторами 8, 9,Над грибковым уплотнением 3 установлена опорная втулка 10 с пластичным веществом 11.При перемещении плунжеруплотнением внутри канала об рете ни Предмет и 1. Аппарат высокого еской средой, имеющ а:ощими кольцами и г давления с гидростатий корпус с поддержиибковым уплотнением,а 5 с грибковым корпуса 1, в котором находится гидростатическая среда, передающая давление, создается давление. Придостижении давления 15 кбар шток 4 касается пластичного вещества б, которое при заданном давлении выдавливается через отверстия 12, создавая торцовую поддержку корпусу 1 и боковую поддержку верхней частиплунжера 5. Аналогично осуществляется...

Номер патента: 281427

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Институт, Мазуренко, Полупроводников, Сирота, Шипило

МПК: B01J 3/03

Метки: 281427

...например микролита), усиленные стальными кольцами 3, 4, с выпол пенными углублениями с обеих сторон, поформе и размеру повторяющие углубления в наковальнях 1. В камере 2 расположен катлинитовый цилиндр б с графитовым нагревателем б, а в углублениях помещены катлинито- О вые уплотнения 7. Электроизолированныедруг от друга камеры 2 служат одновременно контактами для электровводов 8, помещаемых в зоне высокого давления при обеспечении,высокой температуры, позволяющих про изводить контроль физических параметров,Электрический ток подводится к графитовому нагревателю б через наковальни 1, а охлаждение устройства осуществляется водой со всех сторон. Электроизолированные направ- О ляющие стержни 9 с изолирующими втулка281427 Предмет...

Номер патента: 190062

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Институт, Квасов, Полупроводников, Свечников, Скуридин

МПК: G11C 11/42

Метки: фотоматрица

...в три раза больше упомянутой разрешающей способности. Это обеспечивает четкое считывание.На чертеже изображена предлагаемая матрица, вид сверху и разрез по А - А.Она состоит из вертикальной проводящей непрозрачной шины 1, являющейся общим электродом фотосопротивлений данного вертикального ряда; общего фотопроводящего слоя 2 вертикального ряда матрицы; одной из горизонтальных шин 3; одного из непрозрачных электродов 4 фотосопротивления вертикального ряда, соединенного (пайкой или напылением) с одной из нечетных горизонтальных шин; одного непрозрачного электрода 5 фотосопротивления вертикального ряда, соединенного с однои из четных горизонтальных шин; индивидуальной непрозрачной подложки 6 данного вертикального ряда фотоматрицы и...