Шихта для изготовления сегнетокерамического материала

Номер патента: 629198

Авторы: Бойс, Михайлова, Продавцова, Соколова

ZIP архив

Текст

(111ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистимесаа Республик. св 22) Заявл 5) М. КлС 04 В 35/ Н 01 С 41 Н 01 и 311 о 06.02,76еннем заявк 322275129 с прнсоед (23) Прио Государстооиими комит Совета Миииотров СС оо делам изобротоии и открытийе публнковано 25,10,78,53) УДК .6 12. 5 (088.8 о 39 лл 5) Дата опубликования опнсання 11,09.78 2) Авторы изобретеки В. Бойс, Н. А. Михайлова, Э. И. Продавцов н В, М. Соколова Заявитель 54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГОМАТЕРИАЛА 1сается технологии проалей н может быть нс- зкочастотеских конИзобретение каизводства радиодет стронций углекислый н тндополнительно содержит какислый, цирконий двуокисьи алюминия окись при сле ган двуокис льцнй углеланган окдующем соо онентов, вес.53,2-57,0 сь ошенин исходнь Барий углек Стронций уг рамическнеаве барийй двунслый лекис, 0-1 ром ма- кальция обеспеи пронилах 55 ения вые имеетпрониль нзобретення - рнческой проннцае еского материалаостигается это те вышенне диос тн се гнет рам го шихта дл нзго терн вления сегне гокера а, содержашая бар кого маекнслый,угл пользовано прн изготовлении нн ных полупроводниковых керамич денсаторов. Широко известны сегнетоке материалы содержашие в сост углекислый, стронцнй углекисль окись титана. Известно изобретение, в кот тернал на основе окислов бария нли стронция титана н висмута чнвает величину диэлектрнческо цаемостн ( с ) только в преде 90 и предназначен для изготовл сокочас тотных конденсаторов 1 Ц Однако известное и зобре те ни недостаточную диэлектрическую цаемость .лый 5 0,4Кальций углекислый 3,4-4,8Тнтан двуокись 25,6-26,9цирконий двуокись 5,3-6,8Лантан окись 0,3-0,5Алюминий окись 0,2-0,6 5Введение двуокиси цкрконня и кальция углекислого обеспечивает высокуювеличину 6 магернала, добавка окисилантана прндаег материалу полупроводниковые свойства, а окись алюминияспособствует полноте вхождения лантанв решетку титана бария, образуюцегосяпри сннтезе нсходных компоненгов, г.е,обеспечивае г хорошую воспронзводимосгьизготовления материала с заданными25элек тропараметрамя.629198 1,0 В 25 Составитель О. БогомоловРедактор Н Разумова Техред Э. Чужик Корректор В, Сердюк Заказ 6009/23 Тираж 751 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5=1,0 10,Я=2,5 109 Омсм. Материал готовится по обычной керамической технологии. Синтез компонентов при 1200-1250 С в течение 2 час,сформление заготовок любым методом(прессовка литье и т.д.) обжиг при температуре 1320-1380 оС время обжига2 час,Формула изобретения Шихта для изготовления сегнетокерамического материала, содержащая барий , углекислый, стронций углекислый и титан двуокись, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала, она дополнительно содержит кальций углекислый цирконий двуокись, лантан окись и алюминия окись при следуюшем соотношении исходных компонентов, вес, %:Барий углекислый 53,2-57,0 Стронций углекислщй 5,0-10,4 Кальций углекислый 3,4-4,8 Титан двуокись 25,6-269 Цирконий двуокись 5,3- 6,8 Лантан окись 0,3- 0,5 Алюминий окись 0,2- 0,6 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;1, Авторское свидетельство СССР М,313233 кл. Н 01 В 3/12, 1970.

Смотреть

Заявка

2322275, 06.02.1976

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5425

БОЙС ГЕОРГИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, МИХАЙЛОВА НИНА АЛЕКСАНДРОВНА, ПРОДАВЦОВА ЭЛЕОНОРА ИВАНОВНА, СОКОЛОВА ВАЛЕНТИНА МИХАЙЛОВНА

МПК / Метки

МПК: C04B 35/465, H01B 3/12, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

Опубликовано: 25.10.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-629198-shikhta-dlya-izgotovleniya-segnetokeramicheskogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для изготовления сегнетокерамического материала</a>

Похожие патенты