Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала

Номер патента: 555074

Авторы: Брант, Бранте, Гаевска, Гаевскис, Гринвальд

ZIP архив

Текст

ОП ИСАЙКЕИ ЗОБРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистицеских Республиккием за Гасударственный номитет Совета Министроа СССР оа делам изобретений и открытий(43) Оп нь 15 ковано 25.04.77, Бюл публикования описан 3) УДК 666.655 (08 5) Дата 13.05.77 72) Авторы изобретени Ж. Гринвалд, А. Э. Брант, В. А, Гаевска, И. В. Бранте и А. П. Гаевскис(71) Заявитель Латвийский ордена Трудового Красного Знамени государственныйуниверситет им, П, Стучки(54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛАМЬг 0, содержащая укщем соотношении, веРЬОЬг О,Мо 0К 0ЕпО РЬз -и ледую зобретение относится керамическим мат азанные компо ,%:66,50 - 67,02 26,52 - 26,752,51 - 2,93 1,50 - 2,24 1,82 - 2,23 ть ы, вес.%: 0,07; ЕпО ляется уз- применеИзвестна также шихта для изгото оэлектрического материала, содержа щие компоненты, вес.%: РЬО 66,84-6 6,53-26,74; МоО 1,01-2,03; К 0 О, ,25-5,22, Однако верхний предел ра атурного интервала этого материала 0 С. ения гнею. щая следу 735; МЬгОз 1-1,64; 2 пО очего темпе- не превышает Цель изобрецы темлерату ения - повышение верхнеи граого рабочего интервала материала, длагается шихта для изготовления кого материала на основе тверЬз Мя ИЬг 09 - РЬз чМЬг 09 того п сегнетоэлектричедых растворов риалам, обладающим сегнетоэлектрическими свойствами и предназначенным для применения в качестве диэлектрика в электрически управляемых мощных высокочастотных каскадах радиосвязанной аппаратуры.Известен сегнетоэлектрический материал, содержащий следующие сежсл РЬО 68,08; МЬг Оз 27 18; М.фЭ 3,45 ЯО 1,23.Недостатком известного материала явкий температурный интервал возможногония от 20 С до 80 С,Исходные компоненты шихты смешивают и измельчают в шаровых мельницах с агатовыми барабанами и шарами в среде этилового спирта в течение 8-10 час (до полного прохождения через сито Х 0056), После высушивания при 120 СС шихту прессуют в брикеты и подвергают первому обжигу при 900 С с выдержкой при этой температуре в течение 2 час, Затем брикеты измельчают и размалывают повторно. После помола из просушенной массы при удельном давлении 900-1000 кг, см прессуют заготовки конденсаторов в виде дисков и "чашек", Второй обжиг проводят при 1150 С с выдержкой при этой температуре до 1 час. Обжиг проводят в защитной атмосфере, предотвращающей потери РЬО,Примерный состав предлагаемой шихты может содержать следующие компоненты, вес, %:555074 66,85 26,75 2,71 1,87 1,82 РЬОГчЬз ОзИОЕпО 66,50 - 67,02 26,52 - 26,75 2,51 - 2,93 1,50 - 2,24 1,82 - 2,23 РЬО"Ь 2 О 5М 9 ОМ 10ЕпО Составитель А. ГаевскисТехред Н. Бабурка Редактор А. Морозова Корректор С. Болдижар Заказ 409/10 Тираж 762 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 После двух обжигов получают материал еле.дующего стехиометрического состава, вес. %:РЬз М 9 М Ьз 09 055 РЬз ММЬз 09 0,25РЬ ЕпМЬ О 0,20, содержащий сверх стехиометрии,3 з 91 Овес.%. 0,5 М 90 и 0,2 ЕпО. На заготовки конденсатора после плифовки наносят электроды методомосжигания сереоряной пасты при 800 С, Полученныйкерамический материал имеет следующие диэлектрические свойства на частоте 1 мГц в интервалетемператур от 10 С до 110 С, Тангенс угла диэлектрических потерь19610: при 10 С 196 = 9 10при 110 С 196 = 2 10, коэффициент управления диэлектрической проницаемости1 20при управляющем поле ЕУ = 70 квсм К ) 2;температурный коэффициент диэлектрической проницаемости находится в пределах:10 з (ТКЯ (+3 10 а4) электрическая прочность материала относительно25управляющего поля Е,Епр= 140- 160 кв смТаким образом, из предлагаемой шихты можно получить керамический материал для электрически управляемых ВЧ- каскадов с рабочим температурным интервалом от 10 С до 110 С. Формула изобретения Шихта для изготовления сегнетоэлектрического матерыала на основе твердых растворов системы РЬз М 9 ИВ, О, - РЬз И МЬг 09 - РЬз 2 пйЬг 09, включающая РЬО, ИЬзО М 90, ИО, ЕпО, о тлича ющая ся тем, что, с целью повышения верхней границы рабочего температурного интервала, она содержит указанные компоненты в следующем соотношении, вес. %:

Смотреть

Заявка

2325249, 17.02.1976

ЛАТВИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. П. СТУЧКИ

ГРИНВАЛД ГУНАР ЖАНОВИЧ, БРАНТ АНДРЕЙ ЭРНЕСТОВИЧ, ГАЕВСКА ВАНДА АНТОНОВНА, БРАНТЕ ИНТА ВОЛДЕМАРОВНА, ГАЕВСКИС АНТОН ПЕТРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C04B 35/01, C04B 35/497, H01G 4/12

Метки: сегнетоэлектрического, шихта

Опубликовано: 25.04.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-555074-shikhta-dlya-izgotovleniya-segnetoehlektricheskogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала</a>

Похожие патенты