G02F — Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
Оптический затвор
Номер патента: 1336764
Опубликовано: 15.07.1994
Авторы: Горчаков, Куцаенко, Потапов
МПК: G02F 1/03
Метки: затвор, оптический
ОПТИЧЕСКИЙ ЗАТВОР, содержащий поляризатор, кристалл со структурой силленита с электродами и анализатор, установленные последовательно вдоль оптической оси затвора, и источник управляющего напряжения, соединенный с электродами кристалла, причем кристаллографическая ось [110] кристалла совмещена с оптической осью оптического затвора, а электроды нанесены на грани кристалла (110), отличающийся тем, что, с целью обеспечения наибольшей глубины модуляции при сохранении величины угловой апертуры, оси поляризатора и анализатора повернуты относительно одной из поперечных кристаллографических осей кристалла соответственно на углы - -1/2 l и +1/2
Способ получения слоев для ориентации жидкокристаллических смесей
Номер патента: 1779162
Опубликовано: 09.01.1995
МПК: G02F 1/13
Метки: жидкокристаллических, ориентации, слоев, смесей
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ДЛЯ ОРИЕНТАЦИИ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СМЕСЕЙ, заключающийся в нанесении слоя оксида металла путем термического испарения вещества в вакуумной камере на полированные подложки, установленные в оправе под углом к оси камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности ориентирующего слоя, на подложку наносят слой двуокиси церия толщиной от 10 до 100 нм испарением лазерным или электронным лучом при давлении в камере от 10-6 до 10-4 Тор.
Модулирующий элемент
Номер патента: 1637555
Опубликовано: 30.04.1995
Автор: Рандошкин
МПК: G02F 1/09
Метки: модулирующий, элемент
...анизотропии, вызывает перемагничивание пленки путем вращения векторов намагничивания, Перемагничивание произойдет тем быстрее, чем больше безразмерный параметр затухания Гильберта а. Введение в состав пленки празеодима позволяет повысить а и снизить Н, При содержании празеодима у0,5 даже в пленках с небольшим содержанием висмута, определяющим одноосную аниэотропию, не Формула изобретения1. МОДУЛИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, выполненный в виде немагнитной гранатовой подложки, на которую нанесена магнитоодноосная пленка феррит-граната с точкой компенсации момента импульса, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, достижения легко плоскостной анизотропии и повышения угла фарадеевского вращения,удается обеспечить условие 0 = Н/4 л МЯ1 (О...
Магнитооптическая структура
Номер патента: 1642868
Опубликовано: 30.04.1995
Автор: Рандошкин
МПК: G02F 1/09
Метки: магнитооптическая, структура
1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитооптической добротности и достижения легкоплоскостной анизотропии, подложка выполнена из Gd3Sc2Ga3O12, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима и висмута, причем висмут содержится в количестве не менее 0,5 атомов в формульную единицу граната, а празеодим в количестве не менее 1 атома на формульную единицу граната.2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната дополнительно содержит галлий в количестве до 1,2 атомов на формульную...
Магнитооптическая структура
Номер патента: 1642869
Опубликовано: 30.04.1995
Автор: Рандошкин
МПК: G02F 1/09
Метки: магнитооптическая, структура
1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью достижения легкоплоскостной анизотропии и повышения угла фарадеевского вращения плоскости поляризации излучения, подложка выполнена из гадолиний-скандий-галлиевого граната, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима.2. Магнитооптическая структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната выполнена состава Pr3Fe5-xGaxO12, где x 1,2.3. Магнитооптическая структура по...
Нелинейный материал для обращения волнового фронта электромагнитной волны
Номер патента: 1440193
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Брюквина, Иванов, Иншаков, Пономарев, Хулугуров
МПК: G02F 1/35
Метки: волнового, волны, материал, нелинейный, обращения, фронта, электромагнитной
НЕЛИНЕЙНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ОБРАЩЕНИЯ ВОЛНОВОГО ФРОНТА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ путем создания в нем динамической дифракционной решетки на основе кристалла флорида лития, содержащего поглощающие центры окраски, включая F2 - центры, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности, затрачиваемой на создание в нем динамической дифракционной решетки, путем заселения метастабильных состояний, рабочих центров и расширения спектрального диапазона обращения волнового фронта, в материале дополнительно создают F+3 и F+3* центры в концентрациях, определяемых следующими выражениями:
Способ измерения коэффициента остаточного поглощения в пассивных затворах на основе кристаллов lif с f-2 центрами окраски
Номер патента: 1220475
Опубликовано: 27.06.1995
Авторы: Бураков, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич
МПК: G02F 1/35
Метки: затворах, коэффициента, кристаллов, окраски, основе, остаточного, пассивных, поглощения, центрами
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения Kн определяют по формулеKн Al-1lnT-1,где l длина кристалла;A эмпирический коэффициент;T период.
Способ управления поляризованным лазерным излучением
Номер патента: 1635859
Опубликовано: 25.07.1995
Автор: Рандошкин
МПК: G02F 1/00
Метки: излучением, лазерным, поляризованным
...анализатор 2 в зависимости от ориентации его оси пропускания, Для удобства анализатор 2 может быть установлен с возможностью вращения. Рабочую температуру элемента 1 выбирают ниже точки компенсации магнитного момента, например, на 1 - 10 С. Источник 4 излучения выполняется импульсным и нагревают феррит-гранатовый элемент 1 выше точки компенсации магнитного момента, т.е, на 2-20 С. В результате фарадеевское вращение в элементе 1 изменяет свой знак на противоположный (фиг. 1) и угол поворота плоскости поляризации в нем изменяется на 1 Р" 20 рЬ, где Ос - удельное фарадеевское вращение в точке компенсации магнитного момента; й - толщина феррит-гранатового элемента 1,5 10 15 20 25 30 35 40 Для обеспечения 100 глубины модуляции значение й...
Способ преобразования оптического сигнала в электрический
Номер патента: 1364039
Опубликовано: 09.08.1995
Авторы: Петров, Степанов, Трофимов
МПК: G02F 1/015
Метки: оптического, преобразования, сигнала, электрический
СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ОПТИЧЕСКОГО СИГНАЛА В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ сигнал путем освещения фотопроводящего элемента, с которого снимают электрический сигнал, фазомодулированным и референтным пучками света, формирующими интерференционную картину на элементе, отличающийся тем, что, с целью увеличения отношения сигнал/шум и упрощения способа, угол между фазомодулированным и референтным пучками устанавливают таким, чтобы частота интерференционной картины K находилась в диапазоне от 0,1L-D1 до 10 L-D1 где диффузионная длина; D коэффициент диффузии фотоэлектронов;
Способ герметизации жидкокристаллического индикатора и устройство для его осуществления
Номер патента: 1800901
Опубликовано: 27.12.1995
Авторы: Кроткова, Прозоровский, Троицкий
МПК: G02F 1/13
Метки: герметизации, жидкокристаллического, индикатора
...из полиуретана марки СКУ 7 П с углом заточки 90 и углом4 5При этом геометрические размеры нанесенного герметизирующего слоя составили: длина Г 10 мм; ширина т 2,8 мм; высота й 03 мм,После нанесения герметика кассету с индикаторами извлекали из устройства нанесения и на ее место ставили следующую кассету с индикаторами, подлежащими герметизации, и процесс нанесения герметика повторяли, Отверждение герметика проводили по комнатной температуре в течение 24 ч,П р и м е р 2. Герметизация выполняется как в примере 1, однако размещение элементов устройства выполняется, как показано на фиг,3. Угол а= 10 О, Геометрические размеры нанесенного слоя определяются теми же характеристиками, что в примере 1. но длина(2соваоднако при таком малом...
Магнитное зеркало
Номер патента: 1179798
Опубликовано: 27.12.1995
МПК: G02F 1/09
МАГНИТНОЕ ЗЕРКАЛО, содержащее последовательно расположенные подложку, поглощающий ферромагнитный слой и многослойную диэлектрическую структуру в виде чередующихся слоев с большими и меньшими показателями преломления, отличающееся тем, что, с целью увеличения фазовой невзаимности зеркала без увеличения потерь в нем, между ферромагнитным слоем толщиной 6 10 нм и подложкой размещена дополнительная отражающая диэлектрическая многослойная структура, в которой ближайший к ферромагнитному слою диэлектрический слой характеризуется большим показателем преломления.
Параметрический генератор ультракоротких импульсов оптического диапазона
Номер патента: 782678
Опубликовано: 20.02.1996
Авторы: Бабин, Беляев, Веревкин, Каров, Фрейдман
МПК: G02F 1/37, H01S 3/108
Метки: генератор, диапазона, импульсов, оптического, параметрический, ультракоротких
1. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР УЛЬТРАКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА, содержащий резонатор с расположенным внутри него линейным кристаллом, и генератор импульсов накачки, отличающийся тем, что, с целью снижения пороговой плотности мощности накачки и увеличения степени когерентности генерируемого излучения при малом числе импульсов накачки, в него введены оптически связанные по лучу накачки, по крайней мере, два отражательных элемента, расположенных относительно нелинейного кристалла, так, что падающий на каждый из элементов и отраженный от него луч проходит через центр нелинейного кристалла по образующим конуса синхронизма, а расстояние от центра кристалла до каждого отражательного элемента равно расстоянию от центра кристалла до...
Способ изготовления жидкокристаллического индикатора
Номер патента: 1378623
Опубликовано: 20.04.1996
МПК: G02F 1/13
Метки: жидкокристаллического, индикатора
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ИНДИКАТОРА, включающий нанесение на электродные пластины прозрачных проводящих слоев, формирование электродов изображения, нанесение диэлектрических ориентирующих слоев, соединение электродных пластин в пакет герметизацией по периметру, заполнение пакета смесью жидкого кристалла, герметизацию заливочного отверстия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности жидкокристаллического индикатора, в качестве ориентирующего слоя наносят пленку на основе эпоксидно-новолачного блок-олигомера.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что пленку наносят методом центрифугирования 3 5%-ного раствора эпоксидно-новолачного блок-олигомера в спиртово-ацетоновой смеси 1 1.
Внутрирезонаторный магнитооптический модулятор
Номер патента: 1457624
Опубликовано: 20.08.1996
Авторы: Демьянцева, Табарин
МПК: G02F 1/09
Метки: внутрирезонаторный, магнитооптический, модулятор
Внутрирезонаторный магнитооптический модулятор, содержащий установленные вдоль оптической оси резонатора лазера магнитооптическую ячейку и частичный поляризатор, а также устройство для создания магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вносимых в резонатор лазера потерь, модулирующей мощности, габаритов, массы и стоимости модулятора, магнитооптическая ячейка содержит управляемый фарадеевский вращатель с замкнутым магнитопроводом, выполненный в виде диска из магнитооптически активного монокристалла толщинойгде F удельное фарадеевское вращение; k1 и k2 - коэффициенты наибольшего и наименьшего главного пропускания частичного...
Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления
Номер патента: 1832963
Опубликовано: 10.10.1996
Авторы: Ваксман, Матвеева, Шошин
МПК: G02F 1/13
Метки: жидкокристаллическое
1. Жидкокристаллическое устройство, содержащее слой сегнетоэлектрического жидкокристаллического материала, расположенный между двумя подложками, на внутренние поверхности которых последовательно нанесены слой в виде групп электродов, защитный и ориентирующий слои, отличающееся тем, что, с целью обеспечения бистабильности устройства при отсутствии пробоев, повышения равномерности светотехнических характеристик путем получения равномерной ориентации слоя сегнетоэлектрического жидкокристаллического материала, защитный слой выполнен из материала, имеющего удельное электрическое сопротивление в следующих пределах:102 Rn
Рабочая среда для нелинейно-оптических устройств
Номер патента: 1739776
Опубликовано: 10.02.1997
Авторы: Грин, Груцо, Желудев, Корзун, Липницкий, Маковецкая, Тарасенко
МПК: G02F 1/29
Метки: нелинейно-оптических, рабочая, среда, устройств
Применение монокристалла соединения CuAlSe2+x, где x 0,03 0,01, в качестве рабочей среды для нелинейно-оптических устройств, управляющих светом с помощью света в области длин волн 527 534 нм.
Оптоэлектронный логический элемент
Номер патента: 782533
Опубликовано: 20.05.1999
МПК: G02F 3/00
Метки: логический, оптоэлектронный, элемент
Оптоэлектронный логический элемент, содержащий диэлектрическую пленку из материала с электрооптическим эффектом, имеющую прозрачные электроды, расположенную на прозрачной подложке и покрытую сверху пленочной диафрагмой из непрозрачного материала с рабочими окнами, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет оптического ввода и расширения функциональных возможностей, он содержит не менее двух одинаковых оптоэлектронных элементов, каждый из которых содержит три триггера и тринадцать прозрачных электродов, из которых первый, второй, третий и четвертый электроды расположены между диафрагмой и диэлектрической пленкой, причем первый электрод размещен под шестым и седьмым...
Устройство для профилирования импульса лазерного излучения
Номер патента: 1215506
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Куликов, Николаев, Сухарев
МПК: G02F 1/35
Метки: излучения, импульса, лазерного, профилирования
Устройство для профилирования импульса лазерного излучения, содержащее систему светоделительных зеркал, отличающееся тем, что, с целью повышения энергосъема в каскадах усиления путем увеличения спектрального состава профилированного импульса, оно дополнительно содержит по крайней мере два возвратных зеркала, расположенных на выходах системы светоделительных зеркал и выполненных в виде ВРМБ-кювет с нелинейными средами, причем нелинейные среды выбраны с учетом соотношениягде Vзв - скорость гиперзвука в нелинейной среде;n - показатель преломления нелинейной среды;с - скорость света в...
Нелинейный оптический волновод
Номер патента: 1365932
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Агапов, Дерюгин, Сотин, Шевцов
МПК: G02F 1/35
Метки: волновод, нелинейный, оптический
Нелинейный оптический волновод для параметрического преобразования оптических излучений, состоящий из диэлектрического волноводного слоя, содержащего нелинейную поликристаллическую пленку с преимущественной ориентацией кристаллитов, на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности параметрического преобразования, диэлектрический волноводный слой дополнительно содержит по крайней мере одну нелинейную поликристаллическую пленку и одну аморфную пленку, при этом аморфные и нелинейные поликристаллические пленки чередуются между собой, а толщины нелинейных поликристаллических пленок не превышает среднего размера кристаллита.
Устройство формирования оптических импульсов
Номер патента: 1108897
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Макарецкий, Покровский, Хурхулу
МПК: G02F 1/03
Метки: импульсов, оптических, формирования
Устройство формирования оптических импульсов, содержащее модулирующие элементы из электрооптического материала с управляющими электродами, причем входная грань первого элемента и выходная последнего перпендикулярны к направлению распространения света, отличающееся тем, что, с целью уменьшения длительности оптических импульсов, модулирующие элементы выполнены в виде трех прямых трехгранных призм, установленных вдоль направления распространения света с зазорами, при этом управляющие электроды расположены на основаниях призм, а коэффициент преломления электрооптического материала n, величина каждого зазора d и угол между...
Способ измерения электрооптических констант
Номер патента: 1586417
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Горчаков, Куцаенко, Потапов
МПК: G02F 1/03
Метки: констант, электрооптических
Способ измерения электрооптических констант, заключающийся в возбуждении кристалла монохроматическим поляризованным светом и расчете электрооптической константы по измеренному значению сигнала фотоприемника на частоте управляющего напряжения, отличающийся тем, что, с целью расширения области измеряемых характеристик и повышения точности измерений, возбуждают кристалл циркулярно поляризованным светом, прикладывают к кристаллу переменное управляющее напряжение, выделяют плоскость поляризации, соответствующую максимуму сигнала фотоприемника на частоте управляющего напряжения, определяют коэффициент модуляции m(Т1) при температуре Т1, рассчитывают электрооптический модуль...
Планарное акустооптическое устройство
Номер патента: 791030
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Букреев, Гудзенко, Дерюгин, Осадчев, Погосов, Семенов, Тищенко, Трубецкой
МПК: G02F 1/33
Метки: акустооптическое, планарное
1. Планарное акустооптическое устройство, содержащее оптический волновод, входную и выходную линзы, акустооптический модулятор, акустооптический дефлектор, совмещенный с передним фокусом входной линзы, и фоторегистратор, совмещенный с задним фокусом выходной линзы, отличающееся тем, что, с целью обработки радиосигналов и электрического управления длительностью и задержкой радиосигналов, между акустооптическим модулятором и выходной линзой на пути недифрагированного оптического пучка размещена планарная призма и введен блок управления акустооптическим дефлектором, электрически сопряженный с фоторегистратором.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью сокращения размеров всего...
Способ разделения лучей с ортогональными поляризациями
Номер патента: 1561715
Опубликовано: 20.10.1999
Автор: Строганов
МПК: G02F 1/03
Метки: лучей, ортогональными, поляризациями, разделения
Способ разделения лучей с ортогональными поляризациями путем пропускания оптических лучей через плоскопараллельную прямоугольную пластину из двулучепреломляющего кристалла, отличающийся тем, что, с целью увеличения угла разделения и регулирования величины угла, оптические лучи пропускают на расстояниигде L - длина боковой грани пластины; - угол двулучепреломления; - угол падения лучей на пластину;nо - показатель преломления обыкновенного луча,от...
Способ преобразования теплового изображения объекта
Номер патента: 1777481
Опубликовано: 20.10.1999
Автор: Строганов
МПК: G02F 1/00
Метки: изображения, объекта, преобразования, теплового
Способ преобразования теплового изображения объекта, в котором формируют тепловое изображение объекта и в нелинейном кристалле пропускают пучок лазерной накачки через кристалл, выделяют преобразованную видимую часть спектра излучения и формируют действительное изображение, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения, пучок лазерной накачки предварительно рассеивают в произвольной плоскости и линзой переносят изображение плоскости рассеивания в плоскость теплового изображения в нелинейном кристалле.
Стекло для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров
Номер патента: 1187597
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Зубринов, Семенов, Терещенко, Шелопут
МПК: G02F 1/11
Метки: акустооптических, добротности, лазеров, модуляторов, светозвукопроводов, стекло
Применение стекла 19SiO2oC4PbOoC4K2OoC3B2O3oC2BaOoCCaO в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров.
Стекло для светозвукопроводов акустооптических устройств
Номер патента: 1371275
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Дауркин, Зубринов, Терещенко, Шелопут
Метки: акустооптических, светозвукопроводов, стекло, устройств
Применение стекла As30Sb1S12Se51 в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических устройств управления световым излучением ближнего ИК-диапазона.
Материал для светозвукопроводов акустооптических дефлекторов
Номер патента: 1194172
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Богданов, Семенов, Туряница, Шелопут
МПК: G02F 1/11
Метки: акустооптических, дефлекторов, материал, светозвукопроводов
Применение стекла 11SiO2oC7PbOoC2K2O в качестве материала для светозвукопроводов термостабильных акустооптических дефлекторов.
Материал для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров
Номер патента: 1202423
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Богданов, Зубринов, Семенов, Терещенко, Шелопут
МПК: G02F 1/11
Метки: акустооптических, добротности, лазеров, материал, модуляторов, светозвукопроводов
Применение стекла 14SiO2oCB2O3oCPbOoCBaOoC3K2O в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров.
Материал для светозвукопроводов внутрирезонаторных акустооптических устройств управления излучением co2 лазеров
Номер патента: 1336766
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Авдиенко, Дауркин, Зубринов, Семенов, Шелопут
МПК: G02F 1/11
Метки: акустооптических, внутрирезонаторных, излучением, лазеров, материал, светозвукопроводов, устройств
Применение стекла Ge11Sb11SniSe65 в качестве материала для светозвукопроводов внутрирезонаторных акустооптических устройств управления излучения SO2 - лазеров.
Акустооптический синхронизатор мод
Номер патента: 1491210
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Зубринов, Семенов, Шелопут
МПК: G02F 1/11
Метки: акустооптический, мод, синхронизатор
Акустооптический синхронизатор мод лазера, состоящий из светозвукопровода и закрепленного на нем пьезопреобразователя, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности и уменьшения мощности управляющего сигнала, светозвукопровод выполнен из монокристалла парателлурита, повернутого на 50 2o от оси [110] среза в плоскости [110], [001], а пьезопреобразователь закреплен на плоскости, перпендикулярной оси, повернутой на 50 2o от оси [110] в плоскости [110], [001].